12MeV直线感应电子加速器

 12MeV直线感应电子加速器(LIA)是经12MeV LIA能量升级和系统改进而来,该机通过在10MeV　LIA加速末端续接四个加速组元并调整脉冲功率系统, 将输出的电子束的能量升级至12MeV；同时,重新设计的输运磁场分布及聚焦系统更趋于合理,使经10MeV　LIA升级和改进后的12MeV　LIA，打靶电子束能量达到12MeV,束流约2.6kA，脉冲半高宽约89ns，焦斑约4 mm。     

基于面阵探测器6／9MeV新型高能工业CT系统

研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源，成像系统与9MeV高能工业CT相同，扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近，其空间分辨率也达到21p／mm（10％的调制度下）。     

σ^＊和Ф介子对有限温度中子星物质的影响

考虑到矿，中介子的贡献及重子八重态{n，p，∧，∑^-，∑^0，∑^＋，≡^-，≡^0}，采用相对论平均场方法，在5—25MeV的有限温度范围内，对中子星物质的性质进行了研究．发现当考虑到σ^＊，Ф介子的贡献后，超子出现的临界密度降低了（但对∧超子，影响并不显著），超子的粒子数密度增加了，在能量密度较高时物态方程变软，中子星的最大质量变小而相应的半径增大，中子星的中心粒子数密度、中心能量密度和中心压强都降低了．当温度为较低的T=5MeV，10MeV时，σ^＊，Ф介子的参与使出现∑^0，≡^0，∑^＋超子的临界密度极大地降低了；但当温度为较高的T=15MeV，20MeV，25MeV时，影响则较小．对于∧，∑^-，≡^-超子来说，在上述所有温度下，矿，中介子对超子出现的临界密度的影响都不明显．     

CMOS器件60Co γ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积，比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领，分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用⁶⁰Co γ射线、1MeV电子和2—9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验，比较⁶⁰Co γ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明，⁶⁰Co γ射线、1MeV 电子和2—7MeV质子辐照损伤效应中，在0V栅压下可以相互等效； 关键词： γ射线 电子 质子 辐射损伤     

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为10¹¹～10¹³cm^-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试，并由此推得电导率的变化。结果表明，经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少，而且随着辐照注量的增加而越小，而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器，其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析，并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。     

K■和KK共振态

比较肯定的K共振态有TJ~p=00~+的1000—1040MeV共振,和TJ~p=01~-的1020MeV共振。最近实验指出,似乎尚存在T=1的1060MeV的K共振,和T=1的1275MeV的KK共振。在这一短文中,我们试图从动力学观点,对这些共振态进行统一的考虑;并进一步分析有关1060MeV和1275MeV共振态的空间量子数。     

56MeV—70MeV~(12)C+~(28)Si弹性散射研究

用大面积位置灵敏电离室测量了69.5MeV,66MeV,59MeV和56MeV轰击能量下~(12)C+~(28)Si弹性散射角分布。用光学模型对实验数据进行了拟合,并讨论了弹散角分布振荡及增强的可能原因。     

不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究

本文采用60 MeV Br离子、5 MeV质子和1 MeV电子等三种辐射源, 针对CC4013型互补金属氧化物半导体器件(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)进行辐射损伤研究. 通过Geant4程序计算了该器件电离辐射吸收剂量与芯片厚度的关系, 经过计算, 在相同注量下, 60 MeV Br离子的电离吸收剂量最大, 1 MeV电子产生的电离吸收剂量最小. 应用Keithley4200-SCS半导体特性分析仪在原位条件下研究了CC4013器件电性能参数随辐射吸收剂量的变化关系. 测试结果表明, 相同电离辐射吸收剂量下, 1 MeV电子对CC4013器件的阈值电压参数影响最大, 5 MeV质子其次, 60 MeV Br离子的影响最弱. 关键词： CMOS器件 高能带电粒子 电离辐射 辐射损伤     

16O+28Si全熔合激发函数

在50—90MeV的能量范围内,以1.0MeV为能量步长,测量了¹⁶O+²⁸Si的全熔合激发函数.用熔合模型分析了激发涵灵敏,提取了模型参数在质心系能量小于46MeV时,激发函数存在粗结构,其峰位分别在34.5、38.5和43MeV.能量在46MeV以上时,结构逐渐消失.     

高电离态离子束箔光谱学研究

利用束箔技术研究电重离子加速器提供的47MeV能量的氖离子和94MeV能量的氩离子，分别和不同材料，不同厚度碳箔（39μg/cm^2）和铝箔（3.4mg/cm^2）相互作用，产生高电离态的氖和氩离子，并测量了这些离子的激发江谱和某些能级寿命。     

12 MeV直线感应加速器主开关的优化设计

 介绍了12MeV直线感应加速器主开关的一种优化设计。在保持原有主开关的设计风格和接口结构的条件下，通过优化设计局部结构和调整开关电极尺寸，把主开关的结构电感从63.7nH减小到35nH，使得加速腔的高压脉冲前沿从39.6ns减小到27ns，从而有利于提高12MeV直线感应加速器的性能，验证了优化设计的可行性。     

程函波函数对准自由散射6Li（p,pd）α的应用

近似地用程函波函数作为粒子在原子核作用下的扭曲波函数,分析了入射能量为156MeV、590MeV与670MeV的质子对原子核⁶Li引起的准自由散射⁶Li（p,pd）α。从156MeV的情况可看到,用程函波函数来研究准自由散射所得的结果和用分波法得到的结果同样使人满意。对590MeV与670MeV的情况,所得结果与平面波冲量近似相比有所改进。     

E≤50MeV能区核反应机制的研究

本文以5－50MeV中子对⁵⁶Fe的反应为例,分析了E≤50MeV能区的核反应机制.计算结果表明:非弹性散射能谱的高能段分立能级部份主要是由直接反应贡献的,当能量大于30MeV时,整个非弹性散射截面也变成主要是由直接反应贡献的;对于由统计理论计算的单粒子发射截面,当入射粒子能量小于10MeV时主要由平衡发射贡献,但是当入射粒子能量等于20MeV时,则变成90%以上来自预平衡发射,当入射粒子能量小于20MeV时,第二个粒子的预平衡发射可以忽略,当入射粒子能量小于50MeV时,第三个粒子的预平衡发射可以忽略.     

2MeV注入器脉冲电子束时间分辨能谱诊断研究

 介绍了利用磁分析器和电子束产生的契伦科夫辐射光诊断直线感应加速器脉冲电子束时间分辨能谱的原理、方法及诊断系统，对中物院2MeV感应叠加型注入器的2kA强流脉冲电子束时间分辨能谱进行实验诊断，并与二极管电压进行对比分析。测得能量约2.2MeV，60ns内最大能量变化为4%。     

56MeV—70MeV12C+28Si弹性散射研究

用大面积位置灵敏电离室测量了69.5MeV, 66MeV, 59MeV和56MeV轰击能量下¹²C+²⁸Si弹性散射角分布. 用光学模型对实验数据进行了拟合, 并讨论了弹性散角分布振荡及增强的可能原因.     

2MeV注入器绝缘支撑设计与实验

 针对更高能量注入器的技术要求，在现有的2MeV注入器阴阳极头部分别设计出了尼龙材料的分层径向匀场环绝缘支撑结构。实验结果显示，在保证可靠绝缘的基础上，改善了阴阳极间的机械对中性能，提高了束、场、机械三轴的同一性，为2MeV注入器实验平台各项技术指标的提高奠定了基础。     

不同入射角度下强流脉冲电子束能量沉积剖面和束流传输系数模拟计算

 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大，理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数，并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明，随着入射角的增大，靶材表面层单位质量中沉积的能量增大，电子在靶材料中穿透深度减小，能量沉积系数减小，相应的束流传输系数也减小；能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。     

Nuclear -K Bound States in 4He and 3He

We construct a phenomenologica/KN interaction which reproduces the two resonances： the energy of the first resonance is 1420MeV and the other is 1392MeV. The A（1405） is found by a superposition of the two reso- nances with appropriate weights. Within the framework of the Brueckner-Hartree-Fock theory, we have studied K- - 3He（T = 0） and K- - 4He（T = 1/2）. The binding energy BK- is 93MeV（72MeV） and the width F is 13 MeV（25 MeV） for K- - 3He（T =0） （ K- - 4He（T = 1/2））.     

组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器

提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质，采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理. 这种组合的主要特点有： 1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性； 2)提高了探测器的n/γ分辨本领； 3)在实现多个探测器信号相加的同时，组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变. 从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeV γ灵敏度、n/γ分辨，时间特性和测量统计性进行了研究.     

BES-Ⅲ MC 前端板FPGA的辐射损伤实验

研究了Altera公司ACEX 1K系列现场可编程逻辑门阵列(FPGA，Field Programmable Gate Array) EP1K30TC144-3在g射线和14MeV、2.5MeV中子照射下的辐射影响，对得到的试验结果给出了分析和评估. 对于在BES-IIIm子鉴别器读出电子学系统上应用ACEX 1K系列FPGA的可行性给出了结论.