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介绍采用短程飞行时间吸收谱测量铯原子磁光阱(MOT) 中冷原子温度的基本原理及实验实现.与通常的飞行时间方法不同,采用短程飞行时间吸收谱来测量MOT 中冷原子云的温度.在MOT 区域正下方若干毫米处入射一束圆柱状共振探测光束(实验中对于h=3mm,5mm,8mm的情况均作了研究),释放冷原子云,在其膨胀和自由下落过程中穿过探测光束,即可由光电探测器测得飞行时间吸收谱,由此推得MOT中冷原子的温度.
关键词:
磁光阱
冷原子
飞行时间
短程飞行时间
铯原子 相似文献
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中在获得温度低,数目多的冷原子基础上,研究了冷原子传输速度与推的脉冲光各种参数之间的关系。 相似文献
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文中在获得温度低,数目多的冷原子基础上,研究了冷原子传输速度与推的脉冲光各种参数之间的关系. 相似文献
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本文介绍了用于冷原子样品等效温度测量的简化的飞行时间荧光成像法。将用于激光冷却和俘获原子的冷却光,代替标准的飞行时间荧光成像法中额外引入的探测光。在铯原子磁光阱基础上,通过进一步采用偏振梯度冷却技术使冷原子等效温度有效地降低。采用简化的飞行时间荧光成像法测量的铯原子气室磁光阱(光学粘团)的等效温度,典型值为TY≈22.3±2.2μK,TZ≈15.4±2.7μK(TY≈11.6±1.1μK,TZ≈2.8±1.2μK)。本文中的简化飞行时间荧光成像方案,在不牺牲冷原子样品等效温度测量的精度和准确度情况下,更容易在实验中执行和推广,对于应用于冷原子微波原子钟、冷原子光频原子钟、冷原子干涉重力仪等量子精密测量领域,以及采用冷原子样品进一步开展量子光学、量子信息处理等领域的研究工作,具有积极意义和良好的推广价值。 相似文献
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研究表明,Rb原子磁光阱中所囚禁的原子数目对囚禁光的光强和失谐量,回泵光的强度以及磁场梯度有很大的依赖关系.用二能级系统模型对囚禁原子数目随囚禁光的光强和失谐量的变化关系进行了预估,理论预测的结果与实验结果定性符合.实验结果也展示了囚禁原子数目随回泵光的强度和磁场梯度的变化关系,要定量解释这些实验结果则需要更复杂的理论模型.通过囚禁原子数目对实验参数依赖关系的研究,得到特定的实验参数,来获得最大数目的冷原子.
关键词:
磁光阱
冷原子 相似文献
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磁光阱目前已经成为量子光学领域的内的一种强有力的研究工具,在实现了铯磁光阱后,我人通过对实验系统的改进提高了磁光阱的性能,在此基础上对磁光阱中原子数目和密度与磁光阱参数(包括激光光强,失谐以及磁场梯度等)的关系进行了系统的实验研究,结果与我们的理论预计大致符合,同时我们还观察到调节冷却激光光束准直和补偿地磁场的姆霍兹线圈电流过程中出现的冷原子云形状的变化,包括原子云的干涉图样,多亮点原子云,环形原 相似文献
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冷原子的双阱微磁表面囚禁 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案(即双U形与双Z形导线囚禁)。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁;如果逐渐减小直导线中的电流大小,即可将一个双阱微磁囚禁连续地合并为一个单阱微磁囚禁,反之亦然。详细计算和分析了上述两种载流导线囚禁方案的磁场及其梯度的空间分布。研究发现在导线中通以较小的电流,即可在导线表面附近产生很大的磁场梯度及其曲率。例如当电流为O.2A时,其磁场梯度和曲率可分别达到0.2T/cm和10T/cm2以上。由于双U形导线囚禁中存在磁场零点,而双Z形导线囚禁中仅存在磁场最小值,所以双U形导线囚禁仅适用于制备双样品磁光囚禁(MOT)或研究中性原子的冷碰撞,而双Z形导线囚禁除了可用于研究原子的冷碰撞之外,还可以用于制备双样品玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)或实验研究双阱玻色-爱因斯坦凝聚的性质等。 相似文献
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冷85Rb原子D2线电磁诱导透明的实验研究 总被引:1,自引:2,他引:1
对85Rb原子D2线三能级系统的电磁诱导透明进行了详细的实验研究.得到了不同耦合强度下探测光的吸收线型,并对气室中热原子与磁光阱中冷原子的电磁诱导透明光谱进行了比较. 相似文献
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Absorption spectra of cold caesium atoms confined in a magneto-optical trap are measured around D_2 line at 852nm with a weak probe beam. Absorption reduction dip due to electromagnetically induced transparency (EIT) effect induced by the cooling/trapping field in a V-type three-level system and a gain peak near the cycling transition are clearly observed. Several mechanisms mixed with EIT effect in a normal V-type three-level system are briefly discussed. A simple theoretical analysis based on a dressed-state model is presented for interpretation of the absorption spectra. 相似文献
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使用激光感应压力波法和热刺激放电技术,系统地研究了直流高压作用下线性低密度聚乙烯(LLDPE)半导性电极试样中空间电荷的形成和演变及电荷陷阱分布和退极化过程.在直流高压作用下试样中空间电荷的分布明显地表现为两电极同极性电荷快速对称注入的特征,半导性电极与LLDPE的界面近乎呈现欧姆接触特征.LLDPE中的电荷陷阱分布表现出体内为浅陷阱、表层为深陷阱的特征.半导性电极与LLDPE薄片间的压合条件或电极材料对LLDPE表层的掺杂显著地影响表层陷阱的能量分布,导致表层中较深陷阱的深度和密度减小、较浅陷阱的密度增大.在整个短路退极化过程中,试样中正、负电荷的中心分别向距它们较近的电极迁移,而在开路退极后期则表现为与短路时不同的行为、被表层深陷阱再俘获的电荷脱阱后向背电极迁移.
关键词:
线性低密度聚乙烯
空间电荷
陷阱分布
热刺激放电 相似文献