应用ZKG-型空心阴极光源测定半导体和超纯材料中痕量杂质

试验了 ZKG-Ⅰ型空心阴极光源测定半导体和超纯材料中痕量杂质的工作条件,如气压、电流、电极尺寸、灼烧、曝光等参数选择。分析灵敏度达到1×10~(-7)—3×10~(-8)%,相对均方误差约为20.9%。随着半导体和激光通讯技术的飞速发展,对半导体和超纯材料的纯度要求越来越高。因此,测定其中痕量杂质的方法,也提出了日益增高的要求。另外,纯度高的物质,价格较高,     

氧、氮掺杂硅基薄膜的荧光光谱

采用磁控溅射法制备了氧、氮掺杂的非晶硅膜 ,测量了薄膜的荧光光谱 ,获得了包括红光、绿光、蓝光及紫光和紫外的强荧光发射 ,其荧光特性受氮、氧含量及沉积时基片温度的影响。结果表明 :红光包括起源于量子限制效应的宽带及氧缺陷能级引起的分立峰 ;绿光依赖于氮的掺杂 ,起源于氮的缺陷能级跃迁 ,其峰型和峰位受基片沉积温度的影响 ;蓝光部分表现为多个分立峰的叠加 ,起源于复杂的氧缺陷能级 ;紫光部分包括一对双峰和多个宽发射带 ,发射带的强度受掺杂种类、掺杂浓度及沉积时基片温度的影响。当基片温度为750℃、中等氧氮掺杂时 ,可获得强的绿光和紫光发射。     

无火焰原子吸收光谱测定痕量硅

痕量硅一般采用硅钼杂多酸分光光度法来测定,此法操作冗长、试剂空白高,不能适应高纯物质中痕量硅的测定。为此我们探索了无火焰原子吸收光谱测定痕量硅的条件,建立了测定痕量硅的方法。采用高温石墨炉原子吸收光谱测定硅已有报导,但由于硅能形成碳化物,使测定的灵敏度和精密度变坏。为了防止待测元素在石墨炉中形成碳化物,可在管内溅射涂层或放入内衬片;也可用能与石墨作用生成稳定碳化物的盐类预处理石墨炉管。处理方法可分二类:一是盐类溶液直接注入炉管内壁;二是用盐类溶液浸渍炉管,依据痕量分析的     

碳、碳氮和硼碳氮纳米管场发射性能的比较研究

采用高温热解法在860℃分别制备出了碳、碳氮和硼碳氮纳米管，提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜，并测试了它们的场发射性能.结果表明：碳纳米管、碳氮纳米管和硼碳氮纳米管薄膜的开启电场分别为2.22，1.1和4.4V/μm，当电场增加到5.7V/μm时，它们的电流密度分别达到1400，3000μA/cm²和小于50μA/cm².碳和碳氮纳米管薄膜的场增强因子分别为10062和11521.可见，碳氮纳米管的场发射性能优于碳纳米管，而硼碳氮纳米管的场发射性能比前两者要差.解释了这三种纳米管场发射性能差别的原因. 关键词： 碳纳米管 碳氮纳米管 硼碳氮纳米管 场发射     

ICP-AES测定高碳铬铁中磷、锰和硅

利用碱熔高碳铬铁样品,以ICP-AES对高碳铬铁中磷、锰、硅含量进行联合测定.通过实验确定了碱熔试样及分析的各种参数,实验结果通过与国家标准物质比对,取得了满意的效果,同时获得较好的精密度和准确度.     

邻二氮菲荧光法测定氯碱厂阳极泥中痕量钌

研究了在乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,在盐酸羟胺还原剂存在下,于水浴中加热近沸,保温5 min,钌与邻二氮菲形成1∶3络合物。它的荧光激发波长峰为448 nm,发射波长峰为586 nm。钌与荧光强度线性范围为0～10μg·(25 mL)-1。样品中的钌通过蒸馏分离,方法应用于氯碱厂阳极泥中钌的含量分析,具有满意的分析结果。     

碳、氮、氧、氟和氖原子多重态的六参数波函数与能量计算

本文采用文献中的六参数波函数,使用文献的《原子能量积分数值表》和部分补充数据,对碳、氮、氧、氟、氖各原子多重态进行了系统的计算,得到了较准确的能量值以及波函数的最佳参数值。亦验证了这套波函数对合多P电子的原子系统的特殊适用性。     

鋼鐵中碳、氮的擴散、脱溶和沉澱

一般认为钢的变脆例如蓝脆和回火脆都与钢中的扩散和沉淀有关系。本文尝试用内耗测量的方法研究碳与氮在α-铁及碳素钢中的扩散、脱溶和沉淀,从而进一步地了解钢的变脆的机构。实验的结果指出,碳在α-铁中的扩散不受自身浓度、合金元素和沉淀历史的影响。氮的情形与碳显著不同,合金元素使氮的扩散变慢,在沉淀初期使氮的扩散加速。较有系统地研究了碳、氮在加工后的α-铁中脱溶时所引起的内耗峰(当振动频率约为每秒1周时出现在250℃左右),发现了高温淬火在含碳或氮较多的试样中所产生的内应力也可以引起这个内耗峰。实验指出:①这个脱溶内耗峰的出现条件与钢的蓝脆的出现条件相同,都是一种应变时效或淬火时效的现象;②与这个内耗峰有关的碳、氮是处于原子的状态。这些联系使我们认为钢的蓝脆是一种应变脱溶或淬火脱溶的过程,是由于原子状态的碳或氮聚集于钢中的内应力区域或晶体缺陷(例如原子脱节)中所引起来的。关于这方面的深入研究正在继续进行中。根据本实验及以前关于钢铁中碳氮的扩散、脱溶和沉淀所得的结果,对于钢的回火脆的机构也提出了一种初步的看法。回火脆是一种回火沉淀的过程,引起回火脆的沉淀似乎是氮化物而不是碳化物。     

硅、锗中氧的低温红外吸收

在6—300K下,利用红外傅里叶光谱仪研究了400—4000cm^-1间的硅、锗中氧的红外吸收。采用高分辨条件时,分辨率可达0.5cm^-1。研究了在低温下利用硅的1106cm^-1吸收峰和锗的855cm^-1吸收峰探测硅和锗氧含量的探测限和误差。若样品厚度为2cm,估计在20K下,硅中氧含量探测限～9.6×10¹⁴氧原子·cm^-3,锗中氧含量探测限～3.0×10¹⁴氧原子·cm^-3。同时,对不同生长条件下直拉锗单晶的氧含量进行了研究,并与用锂沉淀法所求得的锗中氧含量加以比较。对不同氧含量的硅样品的1106cm^-1吸收峰在6—300K的变化进行了观察和讨论。 关键词：     

半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP—AES测定

本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂），拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。     

质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。     

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

研究了掺氮直拉硅单晶（NCZ）中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退 火后，测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷（BMD）密度与高温形核时间的变化关系 ，同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后 氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用，在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应 的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体（N-V-O）促进了氧沉淀的形核 ，而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状，周围存在应力场. 关键词： 直拉硅 掺氮 氧沉淀     

质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。     

半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP－AES测定

本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂）、拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。     

ICP-MS测定岩盐中痕量铷和铯

样品经水溶解后,选铑做内标,用ICP-MS测定岩盐中痕量铷和铯,回收率在96.0%—104.0%之间。     

质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算

在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)程序,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等,并对计算结果进行了分析和比较.     

食品中痕量镉的测定

研究了硼氢化钾-盐酸-铁氰化钾-盐酸羟胺发生挥发性镉的新反应体系,对食品样品中痕量的镉进行检测。该法快速、简单,准确度高,加标回收率为96.6%—101.6%。相对标准偏差小于5.6%。     

ICP-AES测定硅锶合金中锶、钙、铝

采用ICP—AES法测定硅锶合金中锶、铝、钙含量，并对样品的溶解方法、分析谱线的选择、基体及共存元素的影响进行了研究。方法简便、快速，精密度和准确度较好。     

应用低能质子束测定健康组织和病理组织中元素的组成

引言在所有细胞水平的生物学过程中,痕量元素的重要性至今尚未被较好的确定。为了弄清楚生物学过程中的广泛领域内痕量元素的作用,我们作了认真的研究。本文的目的是想指出在我们的研究中一些疾病能改变生物的组织和体液中元素的含量.     

蜡笔中痕量铅的测定

用铋膜电极替代汞膜电极电位溶出法测定痕量重金属铅。研究了同位镀铋膜及测定条件。铅在以HAc- Na Ac为支持电解质的铋膜电极上可得到灵敏的电位溶出峰 ,线性方程为 :I=0 .0 6 0 9m 0 .0 0 0 3,相关系数 :r=0 .9986 ,检出限为 9.0× 1 0 -8g/ L,线性范围为 0 .1— 9× 1 0 -3 g/ L,RSD为 3.89%。采用加热和加速浸提法处理蜡笔 ,铋膜电极溶出法测定了蜡笔中铅的含量 ,该法简单快速 ,准确度和精密度均符合要求 ,回收率为 98.1 %— 1 0 1 %。