应用ZKG-型空心阴极光源测定半导体和超纯材料中痕量杂质

试验了 ZKG-Ⅰ型空心阴极光源测定半导体和超纯材料中痕量杂质的工作条件,如气压、电流、电极尺寸、灼烧、曝光等参数选择。分析灵敏度达到1×10~(-7)—3×10~(-8)%,相对均方误差约为20.9%。随着半导体和激光通讯技术的飞速发展,对半导体和超纯材料的纯度要求越来越高。因此,测定其中痕量杂质的方法,也提出了日益增高的要求。另外,纯度高的物质,价格较高,     

关于相对论量子力学中某些相角不定性的消除

在量子力学的某些问题中,常常存在相角的不定性.最近在研究不动的电中性磁荷与荷电Dirac粒子的散射问题中,风间洋一、杨振宁和Goldhaber为了消除相角不定性,引入了附加磁矩.本文不引入附加磁矩,而利用文章中所建议的调整了的量子力学框架、正交判据和能量的变分原则(不定相角作为变分参数)唯一地确定了相角、散射截面和束缚态.由于结果与[2]的一致,使这些定解原则受到一次检验.利用这些定解原则,解决了荷电磁荷与荷电Dirac粒子及正负磁荷对偶的散射态和束缚态等问题.     

Zhp-2型火花源固体双聚焦质谱仪

一、引 言 Zhp-2型火花源固体双聚焦质谱仪,是一种利用离子光学方法分析固体样品中微量杂质元素的大型仪器.它在物理学研究和应用工作中起着越来越重要的作用. 随着近代科学技术的发展,新材料的应用越来越广泛.对超纯物质的纯度提出越来越高的要求.如半导体材料中某些微量杂质的存在,足以影响材料及器件的重要性能.因此,在生产工艺上必须加以控制,要求相对灵敏度达到 10-8-10-10,甚至更高. 迄今为止,具有较高灵敏度的分析手段有发射光谱法、原子吸收分光光度法、原子荧光法、质谱分析法以及活化分析法,等等.其中以活化分析、无火焰原子吸收…     

重离子活化分析的标定方法

活化分析的基础是核反应,由核反应生成放射性核素放出的射线强度或核反应中放出的瞬发辐射强度与待测元素含量有定量的关系,这便是活化分析所依据的基本原理。对于入射粒子为带电粒子时,计算公式为:A=(1-e~(λ(?)))Nf∫_0~Rσ(x)dx (1)式中,A 为带电粒子轰击靶核时产生的放射性强度(次/秒),与N·f·σ(x)成正比,与照射时间t 成指数关系;N 为待测核素的原子浓度(原子数/克);f 为粒子流强(粒子数/秒);R 为粒子的射程(克/厘米~2),R 等于零相当于靶子表面;x 为距表面的深度;σ(x)为核反应的截面。     

14MeV中子活化分析的进展

在六十年代初,科学工作者已经注意到14MeV 中子在活化分析中应用的可能性和优越性。但由于中子源强的限制(一般为10~(10)中子/秒),同热中子活化分析相比,它的作用是微不足道的。从六十年代中期到八十年代初,中子产额相继提高了近三个最级,最高产额为2.2×10~(13)中子/秒。在中子源强不断挺高的过程中,14MeV 中子活化分析的前景如何?它能否成为痕量多元素的分析技术?近二十年的进程表明:14MeV 中子活化分析已进入痕量多元素分析技术的行列。     

荷电天体引力场中试验粒子进动的后牛顿解法

采用后牛顿近似方法分析讨论了荷电天体引力场(即Reissner-Nordstr(o)m度规场)中试验粒子的轨道进动情况,给出了荷电量Q对试验粒子轨道进动的影响.     

从经典物理角度看半导体中的电子和空穴

半导体物质中有两种载流子,一种是类似于通常产生金属电导的电子Z另一种叫做空穴,空穴是一种准粒子,它在讨论半导体许多问题中有重要意义.上述电子和空穴在某些场合都可以看做经典的自由粒子.在分析半导体的电学、磁学、热学等性质时,利用自由粒子具有的性质可使分析简化,并使分析结果更直接、更生动.但其理论基础是固体能带论.本文针对各向同性能带(球形等能面)展开讨论,所有分析均在一维情况下进行. 一、固体能带理论简述 固体似下均指结晶体)能带理论认为,固体中的电子在整个固体内做共有化运动,每个电子都只受到一个具有晶格周期性的势…     

大云室组动量选择器

采用“预选—寄存—运算再选”的方案,设计并完成了云南站大云室组的宇宙线事例选择系统.其中动量选择器应用了数字在线计算技术.设计了小型专用计算单元,根据荷电粒子在磁场中的偏转角与动量的对应关系,对寄存下来的描迹信号进行快速运算和逻辑判断,从而实现单个荷电粒子的动量选择.     

负径向电场对荷电粒子运动的影响及其数值模拟

从负径向电场产生的电漂移改变荷电粒子运动的极向运动速度着手,推导出在负径向电场存在时安全因子的表达式,分析了安全因子对荷电粒子漂移位移和运动轨迹的影响。建立了在负径向电场条件下,荷电粒子在梯度磁场和曲率磁场中运动数学模型。通过数值模拟,获得了通行粒子、香蕉粒子的漂移位移和运动轨迹所呈现出的新特点和规律:负径向电场改变了荷电粒子的最大漂移位移。当荷电粒子的极向运动速度增加时,最大漂移位移减小,反之增大;改变了荷电粒子的运动轨迹,通行粒子的轨亦可能变为香蕉粒子的轨迹,香蕉粒子的轨迹可能变为通行粒子的轨迹,当电场达到足够的强度时,均成为在极向上顺时针运动的通行粒子轨迹。     

瞬发γ活化分析系统的建立

瞬发γ中子活化分析是重要的核分析方法之一,是H和B等轻元素的重要分析手段,近年来应用范围不断增加.概要介绍了瞬发γ中子活化分析的基本原理,重点介绍了中国原子能科学研究院重水研究堆热中子束瞬发γ中子活化分析实验装置以及50 keV－11 MeV的宽能区γ效率刻度方法.还应用瞬发γ中子活化分析分析了海底锰结核标准物质GSPN 3中11种元素,结果与标准值基本一致.Neutron induced prompt γ activation analysis(PGNAA),is one of the nuclear analytical method,which is a powerful tool for H,B,etc.undestructive determination.The applications of PGNAA are increased in recent years.In this paper,the basic principle of PGNAA was introduced briefly.The facilities of PGNAA in HWRR of China Institute of Atomic Energy as well as the efficiency calibration for a wide range gamma from 50 keV to 10 MeV were emphasized.A deep sea polymetallic nodule CRM,GSPN 3 was analyzed by using PGNAA in this work,the results have agreement with the certified values.     

X,γ射线谱仪用的半导体探测器

半导体探测器是六十年代发展起来的一种新型探测器.随着硅、锗单晶性能的提高,硅(锂)[Si(Li )]、锗(锂)[Ge(Li)]及高纯锗[HPGe]探测器的制备工艺日趋完善.与此同时,随着电于学线路的改进,Si(Li),Ge(Li),HPGe探测器及低噪声电子学线路和低温装置所组成的X,γ射线谱仪性能得到迅速提高。逐渐发展成高热率、高能量分辨率的X,γ谱仪,这就使应用γ射线核能谱学增添了新的实验数据,同时使微量及痕量元素分析技术达到了新的水平. 半导体探测器一般又称固体探测器[1],它实质上是由一块半导体材料所组成的电离室.对核谱仪用的探测器的基本要求…     

带电粒子活化分析中的重离子束

带电粒子活化分析的发展与重离子束的应用是分不开的。采用最轻的入射粒子(氢、氦)的活化分析法已为大家所熟悉,并在许多科学领域和工业技术等方面发挥着引人注目的作用。应用重离子束进行分析的报导近年来越来越多了。     

感耦等离子体发射光谱/质谱分析新型陶瓷材料研究进展

新型陶瓷材料在信息、航空航天、生命科学等现代科学技术各个领域中发挥了极其重要的作用.微量、痕量杂质对材料的光、电等性能影响巨大.因此微量、痕量杂质含量的精确测定对材料制备和性能调控至关重要.文章综述了近10年来等离子体发射光谱/质谱(ICP-AES/MS)在新型陶瓷材料的微、痕量杂质分析方面的应用.结合作者的研究工作,着重介绍和评论了等离子体发射光谱/质谱各种进样方法的优缺点,并展望其发展趋势.     

硅中磷、硼浓度的测量方法

在电子工业中,硅是重要的半导体材料,而磷、硼分别是它的施主杂质和受主杂质,因此,研究磷、硼等元素在硅片中的浓度分布,是电子工业生产中感兴趣的问题.本文介绍一种用带电粒子核反应分析这些元素的方法.这种分析方法对轻元素有较高的灵敏度,可测量杂质元素的浓度分布,并且有较高的深度分辨本领.此外,用核反应方法分析微量元素时,还不受被分析元素的物理或化学状态的影响,同时具有非破坏性、快速、直观等特点,所以在固体物理、冶金学、电化学和材料科学等方面得到了广泛的应用. 一、分析原理 我们知道,具有一定能量的带电粒子,如p,d,t,a等与…     

高功率激光放大器片腔洁净度实验研究

在氙灯放电泵浦过程中,放大器片腔内材料在高强度氙灯光辐照下,存在显著的热解过程,产生大量的微米级悬浮粒子。在两种实验条件下对粒子数进行了测量:一是放大器氙灯泵浦结束之后悬浮粒子的自然消散过程;二是氙灯泵浦结束之后利用大气流量的超纯氮气冲洗片腔之后的粒子数测量。研究结果表明,正常情况下,氙灯泵浦结束后片腔洁净度达到了10~50万级气溶胶的水平(在粒子直径Φ 0.5 μm的水平上)。利用大气流量的超纯N2气冲洗片腔能够在短时间内显著地提高片腔的洁净度。     

对动态缓变Reissner-Nordstr(o)m黑洞量子辐射特征的研究

考虑到Reissner-Nordstrom黑洞的质量M和荷电量Q随时间t缓慢变化的情况,研究了此黑洞的量子辐射特征.结果表明,在动态缓变Reissner-Nordstrom时空中荷电Dirac粒子的量子热辐射谱与其黑洞蒸发率及随时间t缓变的M(t)和Q(t)等因素有关;动态缓变Reissner-Nordstrom黑洞量子非热辐射的最大能量与量子热辐射谱中的化学势相等.     

低温等离子体中材料表面性能的改变

在低温等离子体的特殊状态下,等离子体中的电子、离子、中性粒子和光子与材料表面相互作用,在材料表面发生复杂的物理过程和化学反应,使材料表面的结构、成分和性能发生变化,这就是等离子体中材料表面性能的改变或称改性.这种改性方法可适用于金属、半导体、天然高分子和人工合成高分子以及复合材料. 低温等离子体一般指的是电子温度在十个电子伏(或十万度)以下的等离子体.它由带电粒子、中性粒子和光子组成.带正电粒子与带负电粒子的总电荷量相等,因而总体上是电中性的.在等离子体中存在着电子碰撞激发和退激发,光激发和自发辐射衰变,电子…     

对动态缓变Reissner-Nordström黑洞量子辐射特征的研究

考虑到Reissner-Nordstrom黑洞的质量M和荷电量Q随时间t缓慢变化的情况,研究了此黑洞的量子辐射特征.结果表明,在动态缓变Reissner-Nordstrom时空中荷电Dirac粒子的量子热辐射谱与其黑洞蒸发率及随时间t缓变的M(t)和Q(t)等因素有关;动态缓变Reissner-Nordstrom黑洞量子非热辐射的最大能量与量子热辐射谱中的化学势相等.     

放射性绝对测量和半衰期(Ⅳ)——N_0的应用和准确度

本文讨论了在一给定时刻t_0(通常是入射粒子轰击靶的结束时刻)的一个靶内的某一放射性同位素的原子数N_0,在反应截面或束流强度的测定中或在活化分析中的应用,并分析了N_0(并截面)的准确度。     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: n一F族半导体的某些光学特征(部分I和且) AD一753562 电磁场激发的光谱宽度对无幅射过程速度的影响 Chem.Ph,5.Lett.,1973,23(4)541 非补偿和部分补偿的杂质能级激活能的确定 Phys.Status Solidia,197凌,21 (1)377 铁、钻、镍在硫化锌、镐发光时起碎灭作用的某些规律性 狱。11。C 1974,20(1)59 21届发光会议材料(晶体磷光体) H3B.AHCCCP eep.中。3.,1974,38 (6),1 129 硫氧化物中电子空穴过程对杂质中心发光动力学的影响 同前1213 发光材料与超纯物质〔9〕 C6.uay二.Tp.BHHH二lomoHo中opoBH oeo6o。从HeT。…