分子束外延

1.前言 “分子束外延”是最近才出现的一种新技术。是由贝尔实验室发明的一种在高真空中外延生长半导体晶体的新方法(主要是Ⅲ一Ⅴ族的GaAs,GaP)。最初见于J.R.Arthur等人1969年发表的“用分子束淀积法外延生长GaAs,GaP,GaAs_xP_(1-x)薄膜的论文。它是在高真空中,使组成化合物的两至三种元素的“分子束”喷射到衬底晶体上,生长出该化合物半导体单晶薄膜。 分子束外延法与气相、液相外延方法不同,它是在高真空中即最纯条件下生长晶体。因而是研究晶体生长机理,确定晶体生     

分子束外延

对于新器件的需要推动了半导体材料的研究。这种器件能够改进系统的性能。新的材料工艺能产生新器件和新技术。分子速外延(M.B.E)是一种比较新的薄膜生长技术,它是从阿瑟早先对热原子和分子束与固体表面相瓦作用的质镜研究发展起来的。高质量半导体薄膜是在超高真空系统中要求的原子和分子束投射到热的晶体衬底上生长的。这     

分子束外延

分子束外延是七十年代初在真空蒸发外延的基础上发展起来的一种新的外延技术．它是把要蒸发的外延物质,放在喷射炉中,在１０－１０托以上超高真空的喷射室内加热,使物质蒸发．蒸气分子从喷射炉的小孔射出,成为分子束,直接在保持有一定温度的衬底上淀积（见图１）．从分子一个一个地粘附在衬底表面形成外延淀积这一点来看,分子束外延与真空蒸发外延本质上相同．但普通真空蒸发系统的真空度为１０－６托左右,系统内残留的?...     

分子束外延的新进展

一、引言用分子束生长单晶薄膜是１９５８年Ｇüｎｔｈｅｒ提出来的想法．１９６８年Ｄａｖｅｙ和Ｐａｎｋｅｙ利用Ｇüｎｔｈｅｒ提出的方法第一次在ＧａＡｓ和Ｃｅ单晶上外延生长了薄膜,同年Ａｒｔｈｕｒ也长出了ＣａＡｓ薄膜,并初步研究了生长机理,以后又经过卓以和、江崎和张立纲等人的努力,特别是卓以和与他的贝尔实验室同事们在微波器件和光电器件方面卓有成效的工作,才使得分子束外延技术显示出它的生命力,达到今?...     

贝尔实验室分子束外延研究情况

贝尔实验室的Cho在第二次国际固体器件会议上介绍了该实验室关于分子束外延的研究情况。 据称,用分子束外延技术研制出的低噪声场效应晶体管,在6GHz下的噪声指数为1.9dB,相应的噪声增益较低,为11dB,     

有机分子束外延技术与研究进展

本文介绍了超高真空分子束外延生长有机薄膜的技术及其研究进展 ,讨论了外延材料的纯化过程和杂质对外延薄膜结构的影响 ;从理论和实验观点评论了薄膜的生长性质和膜的有序结构。超高真空有机分子束外延技术是一种多用途的高技术 ,可以生长有机、无机、有机 /无机混和的薄膜结构。这种薄膜结构是未来光学和电子器件有希望应用的新一类工程材料。     

有机分子束外延技术与研究进展

本介绍了超高真空分子束外延生长有机薄膜的技术及基研究进展,讨论了外延材料的纯化过程和杂质对外延薄膜的影响;从理论和实验观点评论了薄膜的生长性质和膜的有序结构。超高真空有机分子束外延技术是一种多用途的高技术,可以生长有机、无机、有机／无机混和的薄膜结构。这种薄膜结构是示来光学和电子器件有希望应用的新一类工程材料。     

分子束外延动力学参数的测定

讨论了分子束外延的动力学生长模型。并以高能电子衍射的表面鉴定方法,为这一模型提供了证据.以GaAs为例研究了分子束外延的生长速率。并以四极质谱的测定,验证了该速率与Ga通量的关系。从理论与实验两个方面,研究了生长具有特定X值的Ga_(1-x)Al_xAs材料时,适宜的Ga和Al的分压比。并给出了掺杂元素Si,Sn,Be的掺杂浓度与相应元素泻流盒温度的关系.     

硅分子束外延的最新进展：第五届国际硅分子束外延会议介绍

硅分子束外延的最新进展──第五届国际硅分子束外延会议介绍王迅（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）一、概况第五届国际硅分子束外延会议（ＳｉＭＢＥ－Ｖ）作为１９９３年国际固态器件和材料会议（ＳＳＤＭ’９３）的一部分于１９９３年８月３０...     

中国分子束外延技术发展历程

1前言 分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术.其基本原理是在超高真空条件下,将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长(图1).由于每一台分子束炉的炉口装有一个能快速开闭的快门,因而生长时能快速改变所生长材料的成分及掺杂种类.MBE技术是在20世纪...     

用分子束外延法生长晶体

微波和电光工业的发展需要越来越薄的平面外延结构,这促进了人们对晶体生长的分子束外延技术进行深入的研究。现在,用分子束外延的方法能使基质晶体和掺杂材料的分布在生长方向上被控制到原子的精度。这样精密的控制不仅被用于研究各种新材料,而且还被用于制备各种半导体器件。本文介绍了分子束外延的过程和设备,并对一些用分子束外延生长的材料和器件作简单的评论。     

分子束外延设备的微机控制系统

分子束外延设备是发展分子束外延技术的大型仪器．它用于生长新型的薄膜材料,以研究新材料、新器件、新效应．国产分子束外延设备经过几年的努力,已达到较高水平,但是要提高其性能,特别是为生长超晶格材料,计算机的控制是不可缺少的．我们为国产的分子束外延设备研制了第一台微机控制系统．微机控制系统解决了分子束外延设备最重要的两个部分的控制劫能：八个加热炉的炉温控制和五个加热炉快门的开、关控制．此处采用ＡＰ?...     

全国第二届分子束外延会议简讯

全国第二届分子束外延会议简讯全国第二届分子束外延会议于１９９３年９月４日至７日在成都市举行。参加会议的１２０名代表分别来自中国科学院、高等院校、电子工业部、航空航天工业部署单位。他们从事分子束外延材料、器件和物性研究以及设备的研制工作，会议收到论文１...     

分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近; 其半峰宽和带尾能量较小, 显示了较高的薄膜质量。样品经过退火后带尾能量降低, 双晶衍射的半峰宽也有明显的变窄     

分子束外延生长GaN薄膜的新方法

GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解决了p型掺杂的困难,从而制成了高功率的发光二极管. 目前生长GaN比较成功的方法是使用有机气体氮源的金属有机物化学汽相淀积.但它所生成的是纤锌矿(六角)结构,而且是生长在蓝宝石衬底上.生长温度也高达1000℃.要使得GaN材料有可能实用,需要采用低温生长的分子束外延(MBE)技术,并在GaAs,Si等半导体衬底上生长出闪锌矿(立方)结构的GaN薄膜.这样才有可能最终解决p型…     

我国第一台分子束外延设备研制成功

1979年12月18日至21日中国科学院二局主持在沈阳召开“分子束外延设备科研成果鉴定会”.到会的有关代表共一百余人.代表们听取了设计、研制、安装调试及样品生长等工作报告.会议通过了以金属所副所长郭可信同志为组长的鉴定工作组起草的鉴定书. 由中国科学院物理研究所、第七机械工业部五O所、中国科学院沈阳科学仪器厂和北京科学仪器厂协作研制的分子束外延设备是在超高真空技术的基础上结合了电子光学、能谱、微弱信号检测及精密机械加工等现代技术发展起来的大型精密设备.经鉴定,这台设备的主要性能接近或达到国外同类设备的水平. 我国…     

硅分子束外延及其应用的新进展

以Si为基底的分子束外延是Si能带工程的基础．本文简要地介绍了Si分子束外延的技术以及它在新型器件结构应用方面的一些基本问题和发展现状．     

新的单晶生长法——分子束外延法

单晶薄膜在电子学领域里的必要性是越来越明显了。例如对于现在使用的半导体器件,如能采用优质单晶薄膜,其性能将会得到很大的改进;再有在薄膜光电路,薄膜光调制元件,半导体莱塞,用超晶格的负阻元件和量子振荡现象等方面也要用单晶多层薄膜。从前制备这些单晶薄膜采用的是气相和液相外延等方法,这些方法各有优点。今后     

GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象． 关键词：