应用点胶压盖技术提高白光数码管发光效率

由于采取蓝光芯片与黄色荧光粉YAG:Ce3+复合产生的空封白光数码管存在光通量低的缺点,提出采用点胶技术,利用环氧树脂折射率高可以增加数码管光子逸出数、光衰效应低等优点,提高数码管的发光强度和发光效率.实验测试了各20个空封贴片白光数码管、不封装蓝光数码管和点胶压盖白光数码管,数码管基板固晶蓝光芯片主波长为460-462.5nm,使用透明环氧树脂胶、YAG:Ce3+黄色荧光粉,在20mA正向电流作用下,测试光通量、发光强度、发光效率3个指标,获得3种数码管的曲线比较图.结果显示,应用点胶压盖技术数码管的发光强度和发光效率比空封数码管分别提高60.94％和46.54％,测试结果较好地显示了应用点胶压盖技术数码管的优点.     

白光数码管色坐标位置对光通量的影响

应用荧光粉转换法制备的白光数码管作为实验对象,利用同一批次蓝光芯片,调整荧光粉和环氧树脂不同混合比例,研究白光数码管色坐标位置和光通量关系.在20mA额定工作电流,环境温度25℃,湿度54％条件下,对被测白光数码管进行光通量和色坐标的测试,实验结果表明荧光粉比例增加致使白光光谱中黄绿光部分的发光能量增强,色坐标由(0.331,0.369)到(0.313,0.345)变化,光通量的值逐渐增加,这一实验结果和理论计算结果的发展趋势基本一致.在测试样品中最大光通量和最小光通量的值相差24.49mlm.研究结果表明利用色度学原理,调整荧光粉和环氧树脂混合比例,可以在一定程度上提高输出光通量.     

基于点胶技术的白光数码管研究

提出了一种新的白光数码管封装技术,围绕新封装技术中荧光粉厚度是否能保持相对均匀、稳定。对新封装技术制备样品的性能进行测试,并与传统以环氧树脂为配粉胶的白光数码管进行了比较。分析实验数据表明,采用点胶技术研制的白光数码管,各笔段荧光粉层厚度保持着相对的均匀和稳定,笔段间的发光强度误差较小;在相同的测试环境下,光通量的衰减程度比传统白光数码管要慢,由于硅胶良好的导热性,点胶技术白光数码管对环境的适应性更强。研究表明点胶技术白光数码管作为一种新的封装技术比旧方案更优越。     

白光LED衰减的光谱分析

为了研究白光LED衰减的机理,通过试验跟踪并分析了采用YAG荧光粉、荧光粉晶片、RGB三合一方式封装的PLCC-4型白光LED,以及采用YAG荧光粉封装的大功率白光LED的发射光谱老化衰减曲线。试验在相同的环境下,对上述四种类型的白光LED进行了通电老化,同一类型白光LED老化电流及时间相同,老化完成后测试其光谱分布。通过分析光谱分布曲线的变化来研究白光中各色光的衰减情况,通过对比各色光的衰减情况来推断白光LED的衰减原因。分析表明白光LED的衰减主要是由蓝光LED的衰减及荧光粉的猝灭引起:采用YAG荧光粉、采用荧光粉晶片及RGBLED封装的白光LED衰减特性基本相同,白光的衰减主要是由蓝光的衰减引起;大功率白光LED与PLCC-4型白光LED衰减特性稍有不同,白光的衰减除了因蓝光的衰减外,还有荧光粉的衰减所引起的白光衰减,而蓝光的衰减所占比例至少不低于80%。通过上述分析可以进一步推断:在散热条件足够理想的情况下,白光LED的衰减主要由蓝光的衰减引起,而随着系统温度的提升,荧光粉的衰减将加剧白光LED的衰减。所得结果将为白光LED的应用及进一步对白光LED衰减原因的研究提供了参考。     

大功率LED的电流老化特性分析

基于一体化封装技术,先将铝基板进行硬质阳极氧化处理使其绝缘,后将蓝光LED芯片直接封装到铝基板上,分别制成大功率白光和蓝光LED,其中白光LED由蓝光芯片涂覆YAG∶Ce荧光粉制成。将白光和蓝光LED分别用500 mA和700 mA电流加速老化1 000 h,平均每间隔24 h测试其各种光学参数,对比蓝光LED与白光LED的衰减情况。白光LED的光通量衰减比蓝光严重,但白光光功率的衰减比蓝光慢。LED的衰减分为两个阶段:第一阶段芯片与荧光粉同时衰减;第二阶段主要是芯片的衰减,荧光粉衰减较慢。     

基于空封技术的白光数码管寿命的研究

在实验数据的基础上,分析了空封白光数码管光通量性能低于传统白光数码管的原因,提出了有针对性地提高光通量的一些初步设想.对空封白光数码管进行了温度老化实验,老化温度分别为80℃和100℃.在80℃老化实验中,700h时的光通量随时间缓慢降低,但到700多小时后在某个时刻突然急剧降低.通过对实验数据的分析,解释了空封白光数...     

封装技术对自光数码管光衰的影响

引起白光数码管衰减的因素有多种,主要分析了封装技术对白光数码管光衰的影响。通过对传统技术制备的蓝、白光数码管光衰的测试,认为光在荧光粉层间的各向同性散射作用和环氧树脂对短波长光辐射的吸收是白光数码管衰减加剧的原因之一。针对传统技术的缺陷,提出一种新的封装技术,通过对新制备数码管的测试和分析,得出新技术制备的白光数码管比传统白光数码管更优越,更有市场价值。     

低色温无荧光粉LED光源的可靠性研究

为了对比研究新型低色温无荧光粉LED光源和低色温荧光粉LED光源的可靠性,本文进行了85℃加速老化和温度步进应力实验,测试了各光电参数在老化过程中的变化规律,并分析了有无荧光粉低色温光源的老化衰减机理。实验结果表明,在20 A/cm2工作电流密度、85℃的加速老化条件下,两种类型的光源都表现出很好的稳定性,但随着功率的增加,无荧光粉光源展现出更好的光通量稳定性;随着温度的升高,无荧光粉光源在高达200℃左右仍表现出良好的可靠性,而荧光粉光源则在175℃后出现了明显的光通量衰减和色温升高。电流应力或温度应力提升以后,无荧光粉光源展现出更优异的可靠性。     

基于粉浆法提高功率型白光LEDs的提取效率

讨论了基于水溶性感光胶的荧光粉的涂层技术,利用粉浆法,在蓝光LED芯片的表面获得了荧光粉平面涂层。证实了得到的白光LED的光提取效率与粉浆中各成份的浓度和相应的比例有关,并在实验的基础上,采用了一些切实切可行的措施来增加器件的光提取效率。得到的白光LED在700 mA加速老化168 h后,其光能量为初始时的95.95%。     

一体化的白光数码管封装技术

针对低色温白光数码管发光效率低的情况,提出了一体化的封装工艺。主体结构包括一体化技术的发光室和斜腔结构的反射盖。为验证用新工艺制备的白光数码管的光电性能,利用实验设备测试和分析了自制的两种不同工艺封装的白光数码管显色指数、发光效率以及色坐标等性能指标。实验结果表明,新工艺制备的白光数码管平均显色指数比传统点胶工艺高1.53%、平均发光效率高191%,从色坐标集中度看,新工艺制备的白光数码管出光均匀性比点胶工艺好。     

功率型白光LED光学特性退化分析

将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200 h的老化,样品光通量退化为初始值的15%~18% 。样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义。     

白光LED用稀土荧光粉的制备和性质

在还原气氛保护下利用高温固相法合成了化学组分为(M₁,M₂)₁₀(PO₄)₆X₂(M₁=Ca,Sr,Ba;M₂=Eu,Mn;X=F,Cl,Br)的可被紫光激发的蓝光、绿光和红光荧光粉,制备了紫光LED芯片+蓝光荧光粉+YAG荧光粉的二基色白光LED;紫光LED芯片+蓝光荧光粉+红光荧光粉的二基色白光LED,以及紫光LED芯片+蓝光荧光粉+绿光荧光粉+红光荧光粉的三基色白光LED。测试了所有制备的白光LED在不同的直流电驱动下的色度坐标、相关色温和显色指数。     

Effect of nanometer sized Ni dot/Ag/Pt reflection metal of InGaN light emitting diodes on conversion efficiency of yellow phosphor

Nanometer sized Ni-dot/Ag/Pt metal coating films with different Ni-dot sizes were incorporated in InGaN based blue light emitting diodes as p-type reflection metal to enhance the extraction efficiency of blue light. For the reflectivity change from 84% to 93.7%, the optical output power of blue light before phosphor coating and the luminous flux of white light after phosphor deposition have improved by 49.3% and 58.2% at 350 mA, respectively. For the presented white light devices, the blue and yellow luminescence respectively has been improved relatively up to 1.52 and 1.67 times. The improved extraction efficiency of yellow light from the phosphor integrated blue light emitting diode is thought to be attributed to the reduction of round trip loss of blue and yellow light inside the device due to the enhanced reflectivity of nanometer sized Ni/Ag/Pt p-type reflection metal.     

双层荧光粉涂覆对COB封装LED出光的影响

为了提高LED出光量,基于传统的荧光粉涂覆设计了一种双层荧光粉涂覆结构。通过对上下涂覆层浓度及上层涂覆量的研究,探究双层涂覆结构对COB封装LED出光的影响。结果表明在通电电流为440 mA时,可在实验中实现15 W的COB封装结构的白光LED:涂覆单一黄色荧光粉,上下层胶粉比为14.2～28且上层涂覆体积为下层的0.8倍时,COB封装LED的光通量为2 179 lm,光效可达145.3 lm/W,显指为63,出光量最大提升为7.82%;荧光粉调整为黄绿粉和红粉的配合使用后,最终实现色温、光效及显指分别为4 854 K、129.7 lm/W和81.2。因此,双层荧光粉涂覆结构可以提高COB封装LED的光学性能,对实际生产有一定的应用价值。     

White light emission from fiber pigtailed laser module

We fabricated a phosphor-conversion white light using an InGaN laser diode that emits 445 nm and phosphor that emit in the yellow. The InGaN laser diode was coupled to an optical fiber firstly and the phosphor was excited by the laser light output from the fiber. At 350 mA injection current the luminous flux and the luminous efficacy was 73 lm and 42.7 lm/W, respectively. The luminance was estimated to be 50 cd/mm². The relationship of the luminous flux and the luminous efficacy of the white light with injection current were measured and discussed.     

Analysis on the high luminous flux white light from GaN-based laser diode

We fabricated a phosphor-conversion white light using an InGaN laser diode that emits 445 nm and phosphor that emits in the yellow region when excited by the blue laser light. At 500 mA injection current the luminous flux and the luminous efficacy were 113 lm and 44 lm/W, respectively. The relationship of the luminous flux and the luminous efficacy of the white light with an injection current were discussed. Based on the evaluation method for luminous efficacy of light sources established by the Commission International de I’Eclairage (CIE) and the phosphor used in this experiment, a theoretical analysis of the experiment results and the maximum luminous efficacy of this white light fabrication method were also presented.     

传统白光LED与远程荧光粉白光LED的发光性能比较

研究了传统白光LED与蓝光激发的球冠形远程荧光粉白光LED在不同电流、不同热沉温度下的发光性能,并对其机理差异展开了探讨。实验结果表明：随热沉温度和驱动电流的上升,传统白光LED的量子效率和电光转换效率急剧下降,并导致其Y/B比（Yellow/Blue Ratio）下降,相关色温上升。而在远程荧光粉白光LED中,其量子效率、光转换效率和相关色温在相同实验条件下变化幅度都较小。由光强空间分布和Y/B比空间分布可知,远程荧光粉白光LED的光强分布呈类似蝠翼分布,且Y/B比空间均匀性远大于传统白光LED。     

White light emission from blue and near ultraviolet light-emitting diodes precoated with a Sr3SiO5:Ce3+,Li+ phosphor

White-light-emitting diodes (WLEDs) were fabricated by combining a yellow Sr3SiO5:Ce3+, Li+ phosphor with a blue light-emitting diode (LED) (460 nm chip) or a near ultraviolet (n-UV) LED (405 nm chip), respectively. Color temperature (Tc) of Sr3SiO5:Ce3+, Li+-based WLEDs could be tuned from 6500 to 100,000 K (blue LED pumping) and from 4900 to 50,000 K (n-UV LED pumping) without mixing with other phosphors. The blue LED-pumped WLED showed excellent white light (luminous efficiency=31.7 lm/W, Tc=6857 K) at 20 mA. This WLED showed a stable color coordinates property against an increase of the forward current. An n-UV LED-pumped WLED also showed bright white light (25.0 lm/W, 5784 K) at 20 mA.     

高效率荧光粉转换型白光有机发光二极管的制备和性能研究

制备了一种荧光粉转换型白光有机发光二级管(pc-WOLEDs),器件由发蓝光的荧光装置和发红光的无机荧光粉Sr₂Si₅N₈∶Eu²⁺颜色转化层(CCL)复合组成,前者通过真空镀膜得到,后者采用旋涂法制备。CCL发射的红光和未被吸收的蓝光复合产生白光,最大发光效率为22.1 cd/A,最大能量效率为11.26 lm/W,外量子效率为10.2%。该pc-WOLEDs的色坐标为(0.32, 0.34),非常接近标准白光(0.33, 0.33)。稳定性实验结果显示,该器件在不同电流密度下表现出了良好的稳定性。