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采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO 2(x=002,004,006).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明 了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性 ,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.
关键词:
稀释磁性半导体
掺杂
烧结
铁磁性
1-xMnx O2')" href="#">Sn1-xMnx O2 相似文献
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The transverse laser induced thermoelectric voltages in step flow growth (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 thin films 下载免费PDF全文
This paper reports that the transverse laser induced thermoelectric voltages (LITV) are observed for the first time in the step flow growth (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-PT,x = 0.20, 0.33, 0.50) thin films deposited on vicinal-cut strontium titanate single crystal substrates. Because lead magnesium niobate-lead titanate is a solid solution of lead magnesium niobate (PMN) and lead titanate (PT), there are two types of signals. One is wide with a time response of a microsecond, and the other superimposed with the wide signal is narrow with a time response of a nanosecond. The transverse LITV signals depend on the ratio of PMN to PT drastically. Under the irradiation of 28-ns pulsed KrF excimer laser with the 248-nm wavelength,the largest induced voltage is observed in the 0.50Pb(Mg1/Nb2/3)O3-0.50PbTiO3 films. Moreover, the effects of film thickness, substrates, and tilt angles of substrates are also investigated. 相似文献
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采用喷雾热解法制备红色荧光粉LiEu(SiO2)1/6W2O8。研究了反应温度、前驱体溶液浓度、载气流速对实验结果的影响。通过扫描电镜、X射线衍射、激发和发射光谱对所制样品进行了研究,发现样品颗粒呈实心类球形、结晶度好、表面光滑、发光强度较高、粒径平均1.5μm左右且分布较窄。该类荧光粉激发主峰位于396nm,发射主峰位于615nm。LiEu(SiO2)1/6W2O8发光的色坐标为:x=0.667 9,y=0.3310,与NTSC的红色标准基本一致,该荧光粉色纯度非常高,适用于制造紫光芯片激发的白光LED。用喷雾热解法制备红色荧光粉LiEu(SiO2)1/6W2O8的研究尚未见报道。 相似文献
4.
采用改进的溶胶-凝胶方法在单晶Si(100)衬底上制备了介电性能优异的(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3异质薄膜.实验发现,在750 ℃下 、O2气氛中晶化的LaNiO3薄膜的电阻率最小.C-V与I-V特性测量表明(Ba0.7Sr0.3)TiO3薄膜具有优异的介电性能,在频率为50kHz、零偏压下的相对介电常数εr>300,偏压为6V时漏电流密度JL<1.2×10-6A/cm2.
关键词:
xSr1-x)TiO3铁电薄膜')" href="#">(BaxSr1-x)TiO3铁电薄膜
3底电极')" href="#">LaNiO3底电极
溶胶-凝胶法 相似文献
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对铁电磁体Pb(Fe1/2Nb1/2)O3单晶样品中的 介电和磁性能进行了研究. 认为在其反铁磁相变点观察到的介电常数和损耗的异常来自于自发极化序和自旋序的相互作用 引起的磁电耦合. 磁矩与温度的关系曲线在Nel点以下的低温段呈上升趋势,测得的磁滞 回线证明有弱铁磁性出现. 对铁电磁体磁电相互作用的Monte Carlo模拟得到与实验类似的 结果.
关键词:
铁电磁体
1/2Nb1/2)O3')" href="#">Pb(Fe1/2Nb1/2)O3
磁电耦合
Monte Carlo模拟 相似文献
6.
采用水热法制备了NaEu(MoO4)2-x(WO4)x固溶体微晶; 通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FA)对所制备的微晶进行了表征。XRD结果表明NaEu(MoO4)2-x(WO4)x微晶呈现典型的四方晶相白钨矿结构。SEM分析表明微晶呈米粒状。荧光分析显示, NaEu(MoO4)2-x(WO4)x微晶在370~386 nm之间呈现MO2-4 配离子(M=Mo,W)的特征发射峰, 发射波长随x的增大而减小; 同时, Eu3+在592 nm(5D0→7F1)和614 nm(5D0→7F2)的特征发射峰均明显显现, 强度随x的增大而逐渐增大。 相似文献
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采用机械合金化制备了n型(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金粉体,对其进行XRD分析表明Bi,Te,Ag,Se单质粉末,经2h球磨后实现了合金化;SEM分析表明随着机械合金化时间延长粉体颗粒变得均匀、细小,颗粒尺寸在微米至亚微米数量级.采用放电等离子烧结制备了块体样品,研究了合金成分和球磨时间对热电性能的影响.结果表明材料的热电性能与掺杂元素有密切关系,Ag有利于提高功率因子和降低晶格热导率,球磨10h的(Bi0.99Ag0.01)2(Te0.96Se0.04)3合金粉末的烧结块体具有最大的功率因子和最低的晶格热导率,并在323K取得最高ZT值0.52.
关键词:
1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金')" href="#">(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金
机械合金化
放电等离子烧结
热电性能 相似文献
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研究了xPMnS-(1-x)PZN 四元系压电陶瓷的相变特征,分析了组成变化对材料相变特性的影响.结果表明,xPMnS-(1-x)PZN陶瓷具有弥散性相变特点,在相变过程中存在明显的介电热滞.电子结构计算结果表明,弥散相变的原因是由于不同B位原子与周围氧原子成键强度不同所致.当x值较大(或较小)时具有弛豫铁电体特征,相变弥散性较强;当组成位于x=0.4附近时具有正常-弛豫铁电体特征,相变的弥散性较弱.
关键词:
xPMnS-(1-x)PZN
弥散相变
介电热滞 相似文献
13.
采用固相反应技术制备了x分别为 0 0 5、0 0 8和 0 1 1的 (Ta2 O5) 1-x(TiO2 ) x 陶瓷 ;在室温至 6 0 0℃范围内 ,测量了这些陶瓷样品的拉曼光谱随温度的变化。随着温度的升高 ,拉曼光谱中位于 35~38cm- 1的最低频移的声子模发生软化 ,并随之发生结构相变。拉曼光谱和实验结果都表明 :组分x分别为0 0 5、0 0 8和 0 1 1的 (Ta2 O5) 1-x(TiO2 ) x 陶瓷分别在 36 0、4 5 0和 5 4 0℃发生了由三斜至单斜相的结构相变。上述结论得到了 (Ta2 O5) 0 92 (TiO2 ) 0 0 8单晶热膨胀系数测量数据的支持。 相似文献
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简介了激光快速烧结陶瓷技术;测量了采用激光快速烧结技术和传统电炉烧结技术制备的(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷的相对介电常数和介电损耗;分析了这两类试样的激光拉曼光谱和粉末XRD谱;发现:(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷经激光快速烧结后产生了新相,从而导致相对介电常数大幅度提高。 相似文献
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采用溶胶凝胶法制备了纳米Ti1-xCexO2系列样品。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨电子显微镜(HRTEM)对纳米Ti1-xCexO2系列样品颗粒尺寸、形貌以及固溶区范围和物相组成进行了研究;同时,采用Rietveld结构精修的方法研究了Ce的不同掺杂量对TiO2晶体结构的影响。实验结果表明,Ce掺杂TiO2能够形成Ti1-xCexO2固溶体,Ti1-xCexO2的固溶区范围在x=0~0.06之间,Ti1-xCexO2的晶粒度为5~10 nm,平均颗粒粒度约35 nm,且粒度均匀。 相似文献
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将CuInSe2薄膜在H2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(SxSe1-x)2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相对简单的制备工艺和较低廉的成本。对硫化过程进行研究后发现,硫化温度和时间直接影响CuIn(SxSe1-x)2薄膜的质量,诸如薄膜成分、结晶度、均匀性和带隙宽度都可以通过改变这些实验条件来进行控制。 相似文献
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采用水热法制备了Sr(MoO4)x(WO4)1-x固溶体微晶。通过X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FA)表征了微晶的结构、表面形貌和发光性能。XRD和FT-IR结果表明制备的Sr(MoO4)x(WO4)1-x微晶皆呈现典型的四方晶相白钨矿结构。SEM结果表明制备的微晶为表面光滑且粒径均匀的球形颗粒。荧光发射光谱显示,在275 nm紫外光激发下,随着x值的增加,Sr(MoO4)x-(WO4)1-x固溶体微晶在350 nm处的发射逐渐减弱,470 nm处的发射逐渐增强。 相似文献
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采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3 掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2 的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2 的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2 掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410nm进行调制,样品的发光以520nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3 的特征发射,表明基质与Eu3 之间的能量传递并不有效。在加入Li 作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3 的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609nm。样品380~410nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。 相似文献
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采用溶胶-凝胶技术,在Si(110)衬底上制备了Mg、Mn掺杂外延生长的Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜,通过XRD、AFM、PL等考察不同杂质浓度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明:Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜均具有较高的Tc(002)结构系数和较为光滑、平整的表面形貌。掺杂使得薄膜的紫外发光峰向短波方向移动至365 nm左右,同时Zn1-xMnxO薄膜的室温可见光发射得以有效地钝化,使其近带边紫外光发射与深能级可见光发射比例高达56,极大地提高了薄膜紫外发光性能。并对掺杂薄膜紫外发光蓝移和Zn1-xMnxO薄膜室温可见光发射的猝灭机理进行了深入探讨,得出掺杂组分为Zn0.85Mg0.15O、Zn0.97Mn0.03O时,薄膜具有最强的紫外光发射性能。 相似文献