光致变色二芳基乙烯多波长光存储研究

多波长光致变色存储是基于光致变色原理的一种高容量光存储方法.介绍了多波长光存储的存储原理、系统构成和光盘结构.利用三波长光致变色存储实验装置，进行了三波长光致变色存储的实验.结果显示，实验中采用的三种光致变色材料可用于多波长存储，多波长存储读出信号对比度较高，各记录信号之间几乎无串扰.记录信息经50次低速读出后仍保持较高对比度. 关键词： 多波长 光致变色 光存储 串扰     

信息存储的现状和未来发展

本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储，硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器，它们的面存储密度的极限大致在１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２的量级，这主要是由存储材料性能和信息存取模式（磁头或光头）的限制。为要进一步提高存储密度，需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储，但要实现，需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时，非磁的光存储介质的应用得到了开发，主要是ＣＤ－ＲＯＭ（只读式），ＣＤＲ（写一次）和ＰＤ（相变型）。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用，使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。     

信息存储的现状和未来发展

本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储，硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器，它们的面存储密度的极限大致在１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２的量级，这主要是由存储材料性能和信息存取模式（磁头或光头）的限制。为要进一步提高存储密度，需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储，但要实现，需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时，非磁的光存储介质的应用得到了开发，主要是ＣＤ－ＲＯＭ（只读式），ＣＤＲ（写一次）和ＰＤ（相变型）。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用，使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。     

光致变色多阶游程光存储研究

多阶游程存储是一种不改变光学系统而显著提高光存储容量和数据传输率的新方法.介绍了光致变色多阶游程存储原理和实验系统.提出了基于光致变色原理的多阶游程存储数学模型，该模型反映了记录符反射率与曝光功率、曝光时间之间的非线性关系，并在此基础上确定了光致变色多阶游程存储的写策略.基于650nm光致变色材料进行了4阶游程存储的动态实验.结果表明，实验中采用的650nm光致变色材料可用于多阶游程存储，采用的写策略能够有效地使记录信道线性化，利于采用适合线性系统的信号处理方法. 关键词： 多阶游程 光致变色 光存储 写策略     

超高密度磁光存储及其介质研究进展

短波长（蓝光）磁光存储，磁光超分辨近场结构光存储（Super-RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术，文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理，并对其研究现状及发展前景作了全面综述。     

光存储的现状及未来

介绍近年来ＣＤ光盘的发展，综合介绍近年来发展较快的磁光存储和全光存储的膜系材料、存储原理。并对光存储今后的发展进行预测     

基于EuCl_3·6H_2O晶体的光存储

量子存储器是构建未来大规模量子网络的核心器件.由于具有超长的量子相干寿命,稀土掺杂晶体逐渐成为最有希望实现实用量子存储的材料之一.然而掺杂晶体中不可避免的晶格畸变限制了该类材料的吸收深度和存储效率.纯稀土化合物晶体则同时满足了低晶格畸变和高稀土离子密度的需求,有望实现高光存储效率. EuCl_3·6H_2O晶体是目前研究较多的一种纯稀土化合物晶体,已经实现了低于超精细能级间距的光学非均匀展宽,并且理论预测的自旋相干寿命可达1000 s,是一种颇具潜力的量子存储材料.目前光存储或量子存储功能仅仅在稀土掺杂晶体中实现过,尚无实验报道纯稀土化合物晶体中的光存储现象.本文报告了在EuCl_3·6H_2O晶体中实现了原子频率梳型光存储.通过降温法生长得到了EuCl_3·6H_2O单晶,实验测得其~7F_0→~5D_0跃迁相干时间为55.7μs,存储时间1μs时的存储效率为1.71%,展现了这种材料实现光量子存储的原理可行性.通过分析温度依赖的吸收线频率移动,指出在这一材料中实现高效率光存储的主要挑战在于高效率的光谱烧孔.     

高密度光存储

近年来，随着高分辨激光光谱学的进展，以光谱烧孔为基础的频域光存储和以受激光子回波为基础的时域光存储的研究引起了重视．用这两种方法有可能在一个存储单元上存储多个信息，从而使存储密度大大提高．本文介绍这些方法的原理及其前景．     

光存储与传统磁存储理论的比较研究

光存储技术中,除一般所熟知的利用激光的热效应而导致的相变做为存储方式的光盘或磁光盘存储之外,利用量子相干效应进行存储的设想被实验证明是有效的.相比传统的存储,量子相干记录方式与传统的磁记录方式更加相似,其理论与实现的过程中有许多共性的方面.本文在传统磁存储和新的基于电磁感生透明原理的暗态极化声子的光存储方案的基本原理基础上,通过比较研究比较,指出了这种新的光存储方案的主要不足,即原子间关联的缺失导致的存储时间短的问题,并提出了对于这个问题的解决前景的看法.     

磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

推拉型有机材料的多重存储特性研究

将新合成的推拉型偶氮化合物掺入ＰＭＭＡ中制成薄膜器件,研究了该器件的多重存储特性,实现了三重存储摄影记录及三重存储光电时间状态观测,研究了多重存储的竞争现象,给出多重存储有关现象的机理解释。     

3-溴-4-丁氧基-4′-硝基偶氮苯三阶非线性光学性能的研究

采用Z扫描技术对一种新的偶氮苯类化合物的三阶非线性光学系数进行了测量。实验结果的分析表明,该化合物具有较大的三阶非线性极化率;其三阶非线性主要来源于强的π电子离域性。     

3-溴-4-丁氧基-4'-硝基偶氮苯三阶非线性光学性能的研究

采用Z扫描技术对一种新的偶氮苯类化合物的三阶非线性光学系数进行了测量.实验结果的分析表明,该化合物具有较大的三阶非线性极化率;其三阶非线性主要来源于强的π电子离域性.     

Photonic applications with photoanisotropic nanomaterials

Linearly polarized light beam can rotate the trans-azobenzene molecules into cis-form resulting in inducing photoanisotropy. This property is used to control the transmission of nanosecond and picosecond laser pulses and also for holographic data storage applications. Studies were performed using four commercially available azobenzene dyes in different solvents and also in custom prepared nanoporous azobenzene Dendron films. Nanopores are created in a silica matrix and azobenzene molecules are attached to the inner walls of these pores to mimic solution like environment for the azobenzene molecules such that they can undergo photoinduced trans-cis-trans isomerization process at a faster rate.     

含咔唑与偶氮分散红共聚物的表面增强共振拉曼光谱研究

借助于表面增强共振拉曼光谱散射(SERRS)技术,研究了一种新型的偶氮聚合物材料侧链含咔唑与偶氮分散红共聚物(CAP)在化学沉积法制备的银膜表面的拉曼峰增强和吸附行为。实验结果显示,CAP在银表面的状态为: 聚合物通过咔唑单体中咔唑基团和偶氮单体中硝基与银膜衬底发生物理吸附,而聚合物的主链与衬底相距较远没有相互作用。可以推测,聚合物在衬底表面的这种状态将对偶氮光存储器件的稳定性和工作效率产生不良影响。     

偶氮侧链聚合物液晶的光学性质及其光存储应用

有机聚合物是一类非重要的非线性光学材料，它在光通信和高密度光存储等高技术领域中有良好的应用前景，文章介绍了偶氮侧链聚合物液晶的光学性质及其在光存储领域中的应用。     

新型偶氮苯衍生物的三阶非线性光学特性

本文以30 ps的脉冲激光为激发光源,用Z扫描技术研究了偶氮苯类材料4-羟基-4’-羧基偶氮苯(BN)和N-(3,4,5-辛氧基苯基)-N’-4-[(4-羟基苯)偶氮苯]1,3,4-恶二唑(AOB-t8)及金属复合物(Au/AOB-t8)的三阶非线性光学性质,并从理论上进行了分析和计算.结果表明,AOB-t8的三阶非线性极化率是BN的1.38倍,其非线性光学效应的增大是由共轭链增长、大π键增多引起的.结果同时给出,AOB-t8的三阶非线性极化率是其与金纳米颗粒复合物的4.7倍,这种与金属复合产生的非线性光学效应的减弱是金属引入的局域场效应与有机分子大π键作用之间相互抵消导致的.     

新型掺偶氮苯聚合物的取向增强及全息存储

研究一种新型的并列式的高密度存储材料ADPA-PVK-PBA-TNF聚合物薄膜.在非吸收区用光抽运测试法研究了薄膜光致双折射,获得光致双折射变化值Δn=1.3×10^-3,分析了该聚合物薄膜光致取向增强的物理和化学机理.探讨了抽运光对光致双折射的增强和抑制效应.在此基础上初步实现了多重角度复用信息存储、获得了较为清晰的全息存储图像.并讨论了图象存储的增强/抑制效应,利用这种效应可对存储图像处理或删除. 关键词： 掺杂偶氮苯聚合物薄膜 光致双折射 光全息存储 光致取向增强     

偶氮苯侧链液晶聚合物薄膜中图象存储的光学控制

基于偶氯苯聚合物液晶的光控双折射实现了图象存储的光学控制,所用聚合物液晶薄膜具有大的光致双折射和长久光学存储特性。利用光控分子取向进行图象存储,存储的图象从介于两正交偏振片间的样品薄膜读出。实验清楚地表明通过改变照射光的偏振方向或旋转样品可很容易地控制输出图象的亮度和取向。     

Two-Photon Induced Anisotropy of Azobenzene Polymer Liquid Crystals Excited by a 532nm Laser

Polymer liquid crystals (PLC) with azobenzene moieties are promising materials for optical switching and image storage because the orientation of mesogens in thin films of this material may be modified by light.