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相似文献
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1.
为了实现X波段的低噪声放大器,介绍了按最小噪声系数设计,采用两级级联,利用Eudyna公司的HEMT晶体管设计制作的低噪声放大器。通过专用微波电路设计软件(AWR),对该电路的稳定系数、功率增益、噪声系数、驻波比、匹配网络等进行了仿真分析。根据分析结果制作的X波段LNA取得了如下指标:在9.5~10.5 GHz频带内,功率增益大于22 dB,噪声系数小于1.5 dB,输入输出驻波小于1.7。  相似文献   

2.
文章基于高电子迁移率晶体管,采用全微带匹配技术,设计并制作了一种用于某预警雷达接收前端的小型化超低噪声波导低噪声放大器。使用Ansoft公司的Serenader8.7软件对低噪声放大器进行理论仿真设计,并采用随机和梯度优化相结合的方法进行优化。实物的实测数据满足预期指标的要求,具有可行性和实用性。  相似文献   

3.
基于ADS的X波段低噪声放大器的设计与仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要介绍了低噪声放大器的设计理论及用Agilent公司的ADS仿真软件进行X波段低噪声放大器的设计和仿真。在设计的过程中选择了NEC公司的HEMT管NE3210S01,HEMT管与FET相比较,其噪声系数更低,增益和工作频率更高。进行阻抗匹配采用的拓扑结构是并联导纳式结构,即利用串联微带传输线进行导纳变换,然后并联一个微带分支线,微带线的终端开路(或短路),用其输入导纳作为补偿电纳,以达到电路匹配。最后给出了仿真结果、版图设计及实测结果。  相似文献   

4.
基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终...  相似文献   

5.
设计并实现了一种适用于X波段(11~12 GHz)的高性能低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器选用Ga As FET(MGF4941AL)低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11~12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比(VSWR)小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。  相似文献   

6.
申明磊  徐晨 《电子工程师》2006,32(10):24-26,32
研究了微波PHEMT(假晶型高电子迁移率晶体管)的非线性模型提取技术和CAD设计优化技术,采用3级放大的拓扑结构,设计了输入、级间和输出匹配网络以及偏置电路和拓扑结构,在尽可能小的尺寸上实现了工作频率范围为9 GHz~11 GHz、增益大于33.9 dB、噪声小于0.75 dB、输入输出驻波比小于1.3、输入输出端口均匹配到50Ω标准阻抗的单片集成电路,具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点。  相似文献   

7.
介绍低噪声放大器设计的理论基础,并重点介绍了低噪声放大器的主要性能指标:噪声系数、功率增益、驻波比、稳定性等。以ATF38143晶体管为例介绍了ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法和主要步骤。采用三级级联结构设计出满足指标的S波段低噪声放大器链路。该放大器链路的指标为噪声系数小于1.2,功率增益大于50dB,增益平坦度小于0.5dB,VSWR小于1.8的低噪声放大器,带宽为6MHz,并具有一定的带外抑制能力。  相似文献   

8.
郭芳  张巧威 《半导体技术》2006,31(7):546-548
介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5~6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1.  相似文献   

9.
C波段低噪声放大器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘伟霞  陈继伟  徐杰 《无线电工程》2005,35(5):45-46,49
介绍了用微波工作室软件对C波段低噪声放大器的设计及调试。设计制作的C波段低噪声场效应管放大器,采用全微带匹配网络,利用NEC公司生产的场效应管N32584C,两级级联,用微波工作室软件进行设计、仿真和优化,实现在4.4-5.1GHz范围内增益30dB左右,噪声系数小于0.8dB。用Protel99SE画印制板,该放大器制作在聚四氟乙烯基板上。  相似文献   

10.
本文首先介绍了低噪声放大器的设计方法以及采用源极串联负反馈提高晶体管稳定性的原理,然后使用该方法设计了一个L波段低噪声放大器。仿真结果表明该放大器的噪声系数小于1dB,增益大于30dB。  相似文献   

11.
赵云 《无线电工程》2011,41(6):43-46
针对通信系统中信噪比的改善问题,分析了低噪声放大器的电路形式,确定了器件的选取方法,阐述了低噪声放大器的设计思路,介绍了使用ADS软件进行X波段低噪声放大器的设计。利用Fujits公司的FHX13X和Transcom公司的TC1201,两级级联,并对电路进行仿真和优化,判定放大器的稳定性。通过软件修正得到最终电路设计,经过最终数据分析,总结设计过程中的关键技术。  相似文献   

12.
文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz~470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz~470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。  相似文献   

13.
蓝牙收发器中的CMOS低噪声放大器的设计与测试   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了一种基于 0 35 μmCMOS数字工艺、集成于单片蓝牙收发器中的射频低噪声放大器 .在考虑ESD保护和封装的情况下 ,从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度讨论了电路的设计方法 .经测试 ,在 2 0 5GHz的中心频率处 ,S11为 - 6 4dB ,S2 1为 11dB ,3dB带宽约为 30 0MHz,噪声系数为 5 3dB .该结果表明 ,射频电路设计需要全面考虑寄生效应 ,需要合适的封装模型以及合理的工艺  相似文献   

14.
采用GaAs标准高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一种低噪声放大器.放大器由4级4指双栅槽结构HEMT器件级联构成.0.25μm栅线条的选用保证器件有低的噪声系数和较高的增益.通过在HEMT的源极串联电感和选择MIM电容微带线实现了放大器输入级、中间级、输出级之间的最佳匹配网络.芯片测试结果表明,所设计低噪声反放大器在34 GHz频率下的小信号增益大于22 dB,噪声系数小于1.8 dB,具有10 dBm的饱和输出功率且线性度较好.该设计方法实现了低噪声、高增益、低功耗放大器的性能要求.  相似文献   

15.
CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。  相似文献   

16.
介绍了一种基于0.35μm CMOS数字工艺、集成于单片蓝牙收发器中的射频低噪声放大器.在考虑ESD保护和封装的情况下,从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度讨论了电路的设计方法.经测试,在2.05GHz的中心频率处,S11为-6.4dB,S21为11dB,3dB带宽约为300MHz,噪声系数为5.3dB.该结果表明,射频电路设计需要全面考虑寄生效应,需要合适的封装模型以及合理的工艺.  相似文献   

17.
GPS接收机低噪声放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。实测结果显示,在1 520~1 600 MHz工作频带内,噪声系数<05 dB,小信号增益>16 dB,输入驻波比<2,输出驻波比<15。  相似文献   

18.
设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0~11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。  相似文献   

19.
S波段低噪声放大器的分析与设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理和流程。对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素进行了软件仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终的微带电路。放大器设计为两极结构,采用GaAsFET器件和双电源电路设计形式,达到了预定的技术指标,工作带宽2.0~4.0GHz,增益G〉22dB,噪声系数NF〈0.7dB。  相似文献   

20.
匹配网络影响了低噪放的增益、噪声系数、带宽等重要指标。若采用单向设计,则输入与输出端匹配网络相互影响,使得匹配网络的性能下降,而常规双向设计需要对不同用途的匹配网络分别考虑,且设计繁琐。由此,本文提出了一种最佳阻抗匹配仿真法,它能较好地克服匹配网络间相互影响,对不同用途匹配网络不需分开设计,即可达到双向设计相同的目的,且设计过程简单直观,程序化,适合多级匹配网络的仿真设计。最后利用这种方法对2.49GHz高增益三级低噪放的各级匹配网络进行了设计。  相似文献   

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