轴对称晶场中d3离子激发态对4A2基态自旋哈密顿参量的影响

采用完全对角化方法,讨论了三角对称和四角对称下d3离子自旋二重态和自旋四重态对基态4A2(4F)自旋哈密顿(SH)参量(包括零场分裂(ZFS)和g因子)的影响机理.并对影响基态SH参量的四种机理(SO机理,SS机理,SOO机理和SO-SS-SOO联合机理)进行了分析.结果表明,自旋二重态与四重态对d3离子基态零场分裂都具有重要贡献;而基态g因子主要由四重态决定,二重态对g因子贡献很小.此外,发现SS机理和SOO机理对基态EPR参量的贡献主要由四重态决定,二重态的影响很小.     

立方对称晶场中6S(3d5)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量的微观起源

基于完全对角化方法(complete diagonalization method, CDM), 研究了⁶S(3d⁵)态离子在立方对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(a, g,Δg)的微观起源.研究中除了考虑研究者通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用外,同时考虑了SS(spin-spin),SOO(spin-other-orbit),OO(orbit-orbit)磁相互作用.研究表明：⁶S(3d⁵)态离子在立方对称晶场中的自旋哈密顿参量起源于五种机理,即SO机理,SS机理,SOO机理,OO机理以及SO-SS-SOO-OO联合作用机理.文中研究了五种机理的相对重要性,结果表明：SO机理与SO-SS-SOO-OO联合作用机理在五种机理中最为重要.尽管SS,SOO,OO磁相互作用单独作用时对自旋哈密顿参量的贡献很小,但它们的联合作用SO-SS-SOO-OO机理对自旋哈密顿参量的贡献非常可观.此外研究表明：零场分裂参量a主要来自纯自旋四重态及自旋二重态与自旋四重态联合作用的贡献,而Zeemang(或者Δg)因子主要来自纯自旋四重态的贡献.纯自旋二重态对自旋哈密顿参量a与g(或者Δg)的贡献为零.在我们所选择的晶场区域,发现下列关系始终成立：a>0,a(-|Dq|)<a(|Dq|),g(-Dq)=g(Dq),a(-Dq,-ξ_d,B,C)=a(Dq,ξ_d, B,C),Δg(-Dq,-ξ_d, B, C)=Δg(Dq,ξ_d, B, C).作为本文理论的应用,研究了四种典型的Mn²⁺掺杂晶体材料,即Mn²⁺:KZnF₃,Mn²⁺: RbCdF₃,Mn²⁺: MgO,Mn²⁺: CaO,理论与实验测量符合很好. 关键词： 自旋哈密顿参量 6S(3d⁵)态离子')" href="#">⁶S(3d⁵)态离子 磁相互作用 完全对角化方法(CDM)     

四角对称晶场中4B1(3d3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

基于完全对角化方法，研究了⁴B₁(3d³)态 离子在四角对称晶场中的磁相互作用，分析了自旋哈密顿参量(b⁰₂, g_∥, g_⊥ , Δg)的微观起源.结果表明 ：在被考虑的大部分晶场区域，人们通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用的贡献最为重要 ；然而，对于零场分裂参量b⁰₂而言，来自其他机理(包 括SS(spin-orbit)，SOO(sp in-other-orbit)，SO-SS-SOO)的贡献在大部分晶场区域超过了20％；在部分晶场区域，其 他机理的贡献甚至超过SO机理的贡献.详细地分析了Macfarlane 零场分裂参量b^{0₂ 近似三阶微扰理论的收敛性，结果表明：该理论在大部分晶场区域收敛性较差.讨论了3d3}态离子第一激发态²E_g分裂的微观起源.并利用 群论方法解 释了在C_4v和C_3v对称晶场中²E_{g< /sub>态分裂的不同机理. 关键词： 4B1(3d³)态离子')" href="#">⁴B1(3d³)态离子 磁相互作用 自旋哈密 顿参量 完全对角化方法(CDM) 微扰理论方法(PTM)}     

三角对称晶场中6 S(3d5)态离子零场分裂参量的微观起源

基于完全对角化方法(complete diagonalization method, CDM), 研究了⁶ S(3d⁵)态离子在三角晶场(包括C_3v,D₃,D_3d点群对称晶场)中零场分裂(zero-field splitting, ZFS)参量D和(a-F)的微观起源.研究中除了考虑研究者通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用外,同 关键词： 6 S(3d⁵)态离子')" href="#">⁶ S(3d⁵)态离子 零场分裂参量 磁相互作用 完全对角化方法     

四角对称晶场中4B1(3d3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

基于完全对角化方法,研究了4B1(3d3)态离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(b02, g∥, g⊥, Δg)的微观起源.结果表明:在被考虑的大部分晶场区域,人们通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用的贡献最为重要;然而,对于零场分裂参量b02而言,来自其他机理(包括SS(spin-orbit),SOO(spin-other-orbit),SO-SS-SOO)的贡献在大部分晶场区域超过了20%;在部分晶场区域,其他机理的贡献甚至超过SO机理的贡献.详细地分析了Macfarlane 零场分裂参量b02近似三阶微扰理论的收敛性,结果表明:该理论在大部分晶场区域收敛性较差.讨论了3d3态离子第一激发态2Eg分裂的微观起源.并利用群论方法解释了在C4v和C3v对称晶场中2Eg态分裂的不同机理.     

立方对称晶场中6S(3d5)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量的微观起源

基于完全对角化方法(complete diagonalization method,CDM),研究了6S(3d5)态离子在立方对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(a,g,Δg)的微观起源.研究中除了考虑研究者通常考虑的SO(spin-orhit)磁相互作用外,同时考虑了SS(spin-spin),SOO(spin-other-orbit),OO(orbit-orbit)磁相互作用.研究表明:6S(3d5)态离子在立方对称品场中的自旋哈密顿参量起源于五种机理,即SO机理,SS机理,SOO机理,OO机理以及SO-SS-SOO-OO联合作用机理.文中研究了五种机理的相对重要性,结果表明:SO机理与SO-SS-SOO-OO联合作用机理在五种机理中最为重要.尽管SS,SOO,OO磁相互作用单独作用时对自旋哈密顿参量的贡献很小,但它们的联合作用SO-SS-SOO-OO机理对自旋哈密顿参量的贡献非常可观.此外研究表明:零场分裂参量a主要来自纯自旋四重态及自旋二重态与自旋四重态联合作用的贡献,而Zeeman g(或者Δg)因子主要来自纯自旋四重态的贡献.纯自旋二重态对白旋哈密顿参量a与g(或者△g)的贡献为零.在我们所选择的晶场区域,发现卜列关系始终成立:a＞0,a(-|Dq|)＜a(|Dq|),g(-Dq)=g(Dq),a(-Dq,-ξd,B,C)=a(Dq,ξd,B,C),△g(-Dq,-ξd,B,C)=△g(Dq,ξd,B,C).作为本文理论的应用,研究了四种典型的Mn2 掺杂晶体材料,即Mn2 :KZnR,Mn2 :RbcdF3,Mn2 :MgO,Mn2 :CaO,理论与实验测量符合很好.     

晶体材料中3d2态离子自旋哈密顿参量的微观起源

采用了中间场耦合图像，考虑了以前研究中被忽略的SS (spin-spin)磁相互作用以及SOO (spin-other-orbit)磁相互作用，利用完全对角化方法，研究了3d₂态离子在三角对称 (C_3v, D₃, D_3d)晶体中自旋哈密顿(SH)参量的微观起源.发现自旋哈密顿参量 (包括零场分裂参量D和g因子g∥,g⊥)来自四种耦合机理：（1）SO (spin-orbit)耦合机理; (2) SS耦合机理；（3）SOO 关键词： 自旋哈密顿参量 2态离子')" href="#">3d₂态离子 三角对称晶场 SS与SOO作用 SO-SS-SOO联合作用机理     

FeSiF66H2O晶体的基态能级和零场分裂参量

由单晶的中子衍射方法得到FeS_iF₆6H₂O的晶体结构,这种晶体结构可以用S_iF^6-和Fe(H₂O)⁺⁺两个离子来描述,而局域三角对称的Fe(H₂O)⁺⁺离子反映了这种晶体的主要光谱性质利用不可约张量的理论,构成了晶体场和自旋轨道相互作用哈密顿完全对角化矩阵因此,由完全对角化的晶体场和自旋轨道相互作用哈密顿矩阵和电子顺磁共振的理论公式来求出晶体FeS_iF₆6H₂O中Fe²⁺离子的电子顺磁共振零场分裂参量D和Fa并研究了低自旋³L态对电子顺磁共振(EPR)零场分裂参量的贡献结果显示低自旋³L态对电子顺磁共振的零场分裂参量的贡献是较强的理论计算的结果与实验值是相符的.     

GeFe2O4晶体的基态能级和零场分裂参量

GeFe₂O₄是一种单晶化合物，考虑到由3个〈111〉方向之一的一个 轴，从一个中心位置 到另一个中心位置之间，以Fe²⁺离子为中心离子和O^2-为配体构 成了三角（C 3v）对称体系.利用不可约张量理论，建立了3d⁴/3d⁶离子三角（C3 v）对称的晶体场和 自旋相互作用哈密顿矩阵，因此，由完全对角化的晶体场和自旋-轨道相互作用哈密顿矩阵 和电子顺磁共振理论公式求出单晶GeFe₂O₄中Fe²⁺离子 的电子顺磁共振零场分 裂参量D和F-a.并研究了自旋三重态对电子顺磁共振（EPR）零场分裂的贡献.结果显示自旋 三重态对基态零场分裂的贡献是较强的，理论计算结果与实验值相符. 关键词： 自旋三重态 晶体场 低自旋态 高自旋态 零场分裂     

掺Gd3+钼酸盐AMoO4 (A=Ca,Sr, Ba,Pb)自旋哈密顿参量的理论计算

采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法, 计算了Gd³⁺在钼酸盐AMoO₄ (A=Ca, Sr, Ba, Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g_//, g_⊥和零场分裂b₂⁰, b₄⁰, b₄⁴, b₆⁰, b₆⁴). 矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算. 计算结果显示, 应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量A₂ (R₀), A₄ (R₀)和A₆ (R₀)], 计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好, 表明该方法可用于计算或解释Gd³⁺在晶体中的自旋哈密顿参量. 关键词： AMoO₄ (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd³⁺晶体')" href="#">AMoO₄ (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd³⁺晶体 自旋哈密顿参量 晶体场理论 对角化能量矩阵     

The splitting of the 4A2 ground state of Re4+ ions in (NH4)2PtCl6 by trigonal distortions

Recent EPR measurements on Re⁴⁺ ions in (NH₄)₂PtCl₆ by Bufaical and Harris have indicated the presence of non-octahedral centres. An estimation of the degree of distortion of the ReCl₆ complex required to account for these results is made.     

Screening constant by unit nuclear charge calculations for (n s2)1Se, (np2)1De and (N s n p)1P○ excited states of He-like systems

Screening Constant by Unit Nuclear Charge (SCUNC) is a new analytical method suitable for the treatment of the properties of He-like systems. In this paper, the possibilities of the method are demonstrated for calculating in the framework of semi-empirical procedure, total energies, total electron-electron interaction energies and excitation energies for (ns²)¹S^e, (np²)¹D^e and (Nsnp)¹P° doubly excited states of He-like ions. The proposed semi-empirical scheme, leads to accurate results in good agreement as well as with available other theoretical results than experimental data.     

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型，建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上，采用全组态完全对角化方法，对Al₂O₃晶体中V³⁺的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明，V³⁺掺入Al₂O₃晶体后，上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al₂O₃:V³⁺晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上，研究了三角晶场下3d²离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现，自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的，微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.     

Li2分子自旋一致激发态a3Σ+u和b3Πu的分析势能函数的从头算

使用对称性匹配簇-组态相互作用方法首次计算了Li₂分子自旋一致激发态a³Σ⁺_u和b³Π_u的离解能、平衡几何及其谐振频率。使用最小二乘法、利用Murrell-Sorbie函数形式拟合出了Li₂分子三重态的第一激发态a³Σ⁺_u 和第二激发态b³Π_u的完整势能函数，并计算了这两个态的光谱常数 (B_e, α_e, ω_e 和 ω_eχ_e) 和力常数 (f₂, f₃和f₄)。得到了Murrell-Sorbie函数形式既适用于基态、又适用于激发态的结论。将计算得到的激发态（a³Σ⁺_u和b³Π_u）的离解能、平衡几何及其谐振频率与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。从比较的结果中可以清楚地看出，本文的计算结果在计算精度方面有很大的改进。     

Cluster decay of the high-lying excited states in 14C

A cluster-transfer experiment of ⁹Be(⁹Be,¹⁴C→α+¹⁰Be)α at an incident energy of 45 MeV was carried out in order to investigate the molecular structure in high-lying resonant states in ¹⁴C. This reaction is of extremely large Q-value, making it an excellent case to select the reaction mechanism and the final states in outgoing nuclei. The high-lying resonances in ¹⁴C are reconstructed for three sets of well discriminated final states in ¹⁰Be. The results confirm the previous decay measurements with clearly improved decay-channel selections and also show a new state at 23.5(1) MeV. The resonant states at 22.4(3) and 24.0(3) MeV decay primarily into the typical molecular states at about 6 MeV in ¹⁰Be, indicating a well developed cluster structure in these high-lying states in ¹⁴C. Further measurements of more states of this kind are suggested.     

Electron spin resonance investigation of the substitution of Fe3^＋ for Ti4^＋ ions in rutile TiO2 single crystal

A Fe doped rutile TiO 2 single crystal is grown in an O 2 atmosphere by the floating zone technique.Electron spin resonance (ESR) spectra clearly demonstrate that Fe 3+ ions are substituted for the Ti 4+ ions in the rutile TiO 2 matrix.Magnetization measurements reveal that the Fe:TiO 2 crystal shows paramagnetic behaviour in a temperature range from 5 K to 350 K.The Fe 3+ ions possess weak magnetic anisotropy with an easy axis along the c axis.The annealed Fe:TiO 2 crystal shows spin-glass-like behaviours due to the aggregation of the ferromagnetic clusters.