一阶模的滤除及在Y分支和多模干涉结构中的应用

Y分支和多模干涉结构广泛应用于平面光波导器件中，在这些器件中，Y分支和多模干涉结构输出对称性具有重要意义。引入Y分支和多模干涉结构输出的不对称主要原因是这两种结构中产生了一阶导模，设计一种新的耦合器结构，在这个结构中．两根单模波导分别放置在一根多模波导两边，并且单模波导的传播常量与多模波导的一阶模的传播常量相同，这种结构可以将一阶导模滤除。在Y分支和多模干涉结构中使用了这种结构，模拟结果表明，采用这种耦合器的Y分支和多模干涉结构具有非常好的输出对称性。     

锥形多模干涉耦合器一般成像特性分析

锥形多模干涉耦合器克服了传统多模干涉(MMI)耦合器结构尺寸大的缺点,满足当前集成光器件高集成度的要求.其成像特性对设计基于它的集成光器件至关重要.根据多模干涉耦合器的自映像原理,对锥形多模干涉耦合器成像特性进行分析,发现成像特性与输入场位置、位置数、多模波导初始宽度及渐变率等参量密切相关,得到成像位置的解析表达式并总...     

基于二维多模干涉效应的N×N光开关模型

报道了由两个N×N三维多模干涉耦合器和一段阵列相移波导组成的三维光开关.首先利用导模传输法分析了三维多模干涉耦合器的一般成像原理,并推导出了其成像位置以及相位矩阵.在此基础上,通过场传输矩阵法建立了光开关的传输方程.利用该传输方程计算得到了光开关工作时,阵列相移波导的相位条件,并通过三维有限差分光束传输法进行仿真验证,...     

二维限制MMI耦合器自镜像特性

采用扩展的导模传输分析法,对二维限制多模干涉(MMI)耦合器的自镜像效应进行分析,详细讨论了二维限制多模干涉耦合器的自镜像特性和在两个方向上各自都成完整像的要求,并用三维全矢量非旁轴近似光束传输法进一步验证了分析结果.结果表明,一维限制多模干涉耦合器的自镜像效应在一定条件下,可以拓展到二维限制多模干涉耦合器上.并且在强限制的波导结构中,二维自镜像效应可以看成二个相互垂直、独立的一维自镜像效应的叠加.     

InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作

在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1 550nm波长附近的40nm带宽范围内获得了约2.6dB的通带平坦度,在1 550nm通信波长处,器件的插入损耗低于10dB.     

InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作

在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1 550 nm波长附近的40 nm带宽范围内获得了约2.6 dB的通带平坦度,在1 550 nm通信波长处,器件的插入损耗低于10 dB.     

采用三维波束传输法的多模干涉耦合器成像位置的数值计算

多模干涉(MMI)耦合器需要精确定位成像位置,以便器件的设计制作。针对强限制和弱限制的三维多模波导干涉耦合器,采用三维交替方向隐式有限差分光束传输法(BPM),数值计算得出多模波导长度、输入波导和输出波导位置。首先通过对对称干涉多模干涉耦合器的数值分析求得多模干涉耦合器的等效宽度Weq及最低二阶模之间的拍长Lc,然后将这些参量结合光束传输法直接用于器件设计。计算显示该方法得到的成像位置和导模传输分析法(MPA)的理论预测比较接近,但Weq和Lc却是由光束传输法计算得到的,导模传输分析法理论只能在得到Weq和Lc的前提下才能得到成像位置。该方法直接针对三维波导进行,没有采用基于等效折射率方法的从三维波导到二维波导的简化处理,并且也没有采用导模传输分析法所采用的近似,保证了计算精度,对于实际多模干涉器件的设计制作可起参考作用。     

一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关

本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗－4.3 dB,开关时间为6.8 μs.     

基于二维多模干涉效应的N×N光开关模型

报道了由两个N×N三维多模干涉耦合器和一段阵列相移波导组成的三维光开关.首先利用导模传输法分析了三维多模干涉耦合器的一般成像原理,并推导出了其成像位置以及相位矩阵.在此基础上,通过场传输矩阵法建立了光开关的传输方程.利用该传输方程计算得到了光开关工作时,阵列相移波导的相位条件,并通过三维有限差分光束传输法进行仿真验证,给出了光开关工作时的插损、串扰指标,以及光开关输出功率随相移波导相位变化的关系.     

多模干涉耦合器一般成像位置分析

自映像效应是多模波导的一个重要特性,利用多模波导自映像效应制成的多模干涉耦合器被广泛地应用于集成光学回路中。然而根据以往的文献要得出多模干涉耦合器的成像位置要经过一系列复杂的计算。根据多模干涉耦合器的自映像原理,对多模干涉耦合器的成像位置进行分析。成像位置与输入场位置和位置数密切相关,给出了成像位置的解析表达式,得出奇数、偶数的位置数的成像位置分别对应相同,并且奇、偶数的位置数所对应的成像位置之和为多模波导宽度的成像规律。用导模传输分析法验证了表达式和成像规律的正确性。根据成像位置的表达式和成像规律可以直接得出任意输入场位置和位置数所对应的成像位置。为一维和二维限制的多模干涉耦合器的设计提供了理论基础。     

A Flattened AWG Demultiplexer with Low Chromatic Dispersion

A design method is introduced to obtain a flat-top arrayed-waveguide grating (AWG) demultiplexer with low chromatic dispersion. A multimode interference (MMI) section is connected at the end of the input waveguide, and a tapered waveguide is connected at the entrance of each output waveguide of the AWG demultiplexer. The design procedure is presented. A design example is given and shown to have a much better performance than the conventional flat-top design using only an MMI section. The insertion loss of the designed AWG demultiplexer is also reduced.     

Optimal design for a flat-top AWG demultiplexer by using a fast calculation method based on a Gaussian beam approximation

Passband broadening of an AWG (array waveguide grating) demultiplexer with an MMI (multimode interference) coupler connected at the end of a tapered input waveguide is considered. An explicit formula based on the field propagation of an approximate Hermit-Gaussian beam is used to calculate quickly and reliably the spectral response of the AWG demultiplexer. The widths of the input waveguide, the output waveguides and the MMI coupler are optimized. The optimal design is verified with the experimental measurement.     

一种通带平坦的粗波分复用/解复用器件的研制

随着粗波分复用(CWDM)系统在城域网和接入网中日益广泛的应用,人们对粗波分复用／解复用器的研究也逐渐展开。报道了一种8通道波长间隔为20nm的粗复用／解复用器。该器件基于阵列波导光栅(AWG)原理设计,利用平面光波导技术(PLC)制作,采用多模干涉输入结构和“S”形阵列波导结构,实现了较宽的通带宽度和较低的串扰。实验测得1dB带宽大于10nm,相邻串扰大于24dB,非相邻串扰大于32dB。介绍了其设计原理和制作过程,给出了光束传播法(BPM)数值模拟结果,并和实验结果进行了对比。     

小尺寸低折射率差硅基二氧化硅阵列波导光栅

随着阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating,AWG)型器件在光通信系统中的大规模应用,对低成本AWG芯片的需求越来越多.在各种降成本方案中,减小AWG芯片的尺寸是最有效的方法之一.本文介绍了一种新型小尺寸低折射率差硅基二氧化硅AWG的设计.在该AWG中,输入波导/输出波导与平板波导连接的部分制...     

Optimization of Optical Add-Drop Multiplexers Based on Arrayed Waveguide Gratings with Fabrication Errors for Transparent Optical Networks

A transparent optical network (TON) composed by optical add-drop multiplexers based on arrayed waveguide grating (AWG) with fabrication errors is optimized for 10 Gbit/s per channel and channel spacing of 25 GHz. The optimization takes into account the effect of inter-symbol interference, amplified spontaneous emission noise accumulation, and coherent and incoherent homodyne crosstalk. Numerical results reveal that AWG fabrication errors can have a high influence on the TON performance; however, in all investigated situations, they do not affect the AWG parameters values corresponding to the optimum AWG frequency response. This surprising behavior is due to the fabrication errors affect mainly the AWG response outside the passband for the required AWG crosstalk level. It is shown that the optimum AWG frequency response is a flat-top response with a mean amplitude response outside the passband lower than -30 dB and the switch isolation should exceed 30 dB.     

小尺寸低折射率差硅基二氧化硅阵列波导光栅

随着AWG型器件在光通信系统中的大规模应用,对低成本AWG芯片的需求越来越多。在各种降成本方案中,减小AWG芯片的尺寸是最有效的方法之一。本文介绍了一种新型小尺寸低折射率差硅基二氧化硅阵列波导光栅（AWG）的设计。在该AWG中,输入波导/输出波导与平板波导连接的部分制作成两侧为空气槽的高折射率差波导,所以在与输出平板波导连接处的相邻输出波导间距较小,这样可以在设计上缩短平板波导的长度、减少阵列波导的数量,实现较小的AWG芯片尺寸。该AWG的其它部分,如输入/输出波导与光纤耦合的部分、阵列波导光栅等均采用常规的低折射率波导工艺,所以就同时具有与常规的低折射率波导AWG相同的优点：如低耦合损耗、较好的串扰以及光学特性等。根据这个原理,设计了一种40通道100 GHz频率间隔的低折射率差硅基二氧化硅AWG,其芯片尺寸只有23.88 mm?10.5 mm,是传统相同材料制作的AWG尺寸的1/6。     

A novel asymmetric arrayed waveguide grating with different lengths of input/output slabs

A novel arrayed waveguide grating (AWG) with asymmetric configuration is proposed. In this configuration, the length of the output slab region, the width and the spacing of the output waveguides are unequal to the corresponding parts of the input ones. Compared to a conventional symmetric AWG, the asymmetric AWG proposed in this paper has a smaller size without degrading its performance The analytic method used in a conventional symmetric AWG is extended to the asymmetric AWG. A design example of an asymmetric AWG with low insertion loss, low channel crosstalk and wide bandwidth is presented.     

聚合物/二氧化硅混合型无热化阵列波导光栅参量的优化

研究一种新型无热化聚合物/二氧化硅混合波导组成的硅基二氧化硅阵列波导光栅.阵列波导光栅对温度的依赖性受波导物质的折射率和波导芯的尺寸影响.通过调节这些参量就可以减小温度对阵列波导光栅的影响.优化得到混合型阵列波导光栅在温度20~70℃范围内波谱漂移小于常规型 AWG结构的5%.     

Optimization of Optical Add-Drop Multiplexers Based on Arrayed Waveguide Gratings with Fabrication Errors for Transparent Optical Networks

A transparent optical network (TON) composed by optical add-drop multiplexers based on arrayed waveguide grating (AWG) with fabrication errors is optimized for 10 Gbit/s per channel and channel spacing of 25 GHz. The optimization takes into account the effect of inter-symbol interference, amplified spontaneous emission noise accumulation, and coherent and incoherent homodyne crosstalk. Numerical results reveal that AWG fabrication errors can have a high influence on the TON performance; however, in all investigated situations, they do not affect the AWG parameters values corresponding to the optimum AWG frequency response. This surprising behavior is due to the fabrication errors affect mainly the AWG response outside the passband for the required AWG crosstalk level. It is shown that the optimum AWG frequency response is a flat-top response with a mean amplitude response outside the passband lower than ?30 dB and the switch isolation should exceed 30 dB.     

Polymeric 32-channel arrayed waveguide grating multiplexer using fluorinated poly (ether ether ketone)

In wavelength division multiplexing (WDM) systems, an arrayed waveguide grating (AWG) multiplexer is a key component. A polymeric AWG multiplexer has recently attracted much attention due to its low cost processing and a potential of integration with other devices. Fluorinated poly (ether ether ketone)(FPEEK) is excellent material for fabrication of optical waveguides due to its low absorption loss at 1.55-μm wavelength and high thermal stability. A 32-channel AWG multiplexer has been designed based on the grating diffraction theory and fabricated using newly synthesized FPEEK. During the fabrication process of the Polymer/Si AWG device, spin coating, vaporizing, photolithographic patterning and reactive ion etching (RIE) are used. The AWG multiplexer measurement system is based on a tunable semiconductor laser, infrared camera and a Peltier-type heater. The device exhibits a wavelength channel spacing of 0.8nm and a center wavelength of 1548 nm in the room temperature.