Cu2团簇分子的垂直电离势和电子亲合能的理论计算

利用含有电子相关效应校正的密度泛函理论DFT中的 B3LYP 方法,选择LANL2DZ双ζ基组,对Cu2分子及其分子离子的势能函数进行理论研究.计算得到Cu2,Cu+2,Cu2+2,Cu-2和Cu2-2基电子状态分别是1Σg+,2Σg, 1Σu, 2Σu和1Σg,导出了相应的分子及分子离子的解析势能函数,并计算出Cu2分子的垂直电离势和电子亲合能.计算结果与实验值吻合得较好.     

氟取代对苯衍生物分子电离能的影响

电离能是分子的重要特性参数,在离子光谱学、化学反应动力学等领域具有重要参考价值。氟在苯衍生物的取代中通常扮演着吸电子角色,从而导致氟取代后分子电离能升高。采用高精度理论CBS-QB3计算了多个氟原子取代苯分子上氢原子形成的分子的电离能,研究随着取代的氟原子数量的增加,分子电离能的变化趋势。计算结果表明,与实验值相比采用CBS-QB3计算的电离能的相对误差在0.64%～0.94%范围,理论较好预言了分子的电离能。除对位取代外,随着氟取代基数量的增加,电离能逐渐增加,F表现出吸电子特性。     

磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响

发展了基于稳定金属电极的阴极界面材料,对促进聚合物电致发光器件的产业化进程具有重要意义。侧链含磷酸酯功能基团的聚芴衍生物（PF-EP）是一种极性聚合物中性材料,能溶于乙醇等醇类溶剂,非常适合制备多层溶液加工型发光器件。除此之外,它结合稳定的金属Al电极能实现有效电子注入。本文以PF-EP在绿光聚芴发光器件中的应用为例,详细对比分析了两种基于PF-EP的阴极电极结构（PF-EP/LiF/Al和PF-EP/Al）的器件EL性能。结果显示,PF-EP/LiF/Al阴极结构具有更优异的电子注入能力。基于单电子器件和X射线光电子能谱,本文对这一高效电子注入结构的注入能力和注入机理进行了探讨。     

PH^0—1＋1—3离解能和电离能的精确ab initio计算

对ＰＨｎ，ＰＨ＾＋ｎ（ｎ＝１～３）及其一些构型反转过渡态的几何构型用ＭＰ２（ｆｕｌｌ）／６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）解析梯度方法优化，同时在该级别上计算了分子振动频率和零点振动能，在此基础上，分别采用Ｇａｕｓｓｉａｎ－９４程序中最大的预置基组６－３１１＋＋Ｇ（３ｄｆ，３ｐｄ）和Ｄｕｎｎｉｎｇ基组ａｕｇ－ｃｃ－ｐＶＴＺ，在冻结苡电子相关能（ＦＣ）与非冻芯模型（ｆｕｌｌ）情况下，用高级别量比化学ａｂｉｎｉｔｏ     

含噻二唑聚芴类白光聚合物的合成与发光性能研究

通过Suzuki偶联反应将2,7-二溴-9,9-二辛基芴（Br-DOF）、2,7-二硼酸-9,9-二辛基芴（B-DOF）和4-（8-（2,7-二溴-9-辛基芴）辛氧基）-N-4-（7-（4-（二苯胺基）苯基）苯并噻二唑）苯基-二苯胺（Br-TAF）共聚,合成了白光聚合物PDOF-TAF。以PDOF-TAF为发光层,溶液旋涂制备了非掺杂型单层白光有机电致发光二极管,色坐标为（0.23,0.18）。通过插入电子传输层TPBI和空穴传输层PVK得到的白光器件发射光谱覆盖了410~700 nm区域,色坐标从（0.23,0.18）调整到（0.24,0.32）,亮度达到2 020 cd/m²,电流效率达到1.4 cd/A。实验结果表明,PDOF-TAF是一种很好的白光聚合物发光材料,在WOLED中将有很好的应用前景。     

聚芴类有机电致发光的材料和器件

综述了聚芴类有机电致发光领域中材料和器件的研究现况和展望.主要围绕有机电致发光的基本原理、近年来聚芴类有机电致发光的材料制备、器件改进情况和有机电致发光的应用前景三方面内容进行了评述.     

聚烷基芴电致发光特性的研究

合成并研究了聚(9-丁基芴)的电致发光和光致发光特性.通过控制其浓度,可获得从黄到蓝不同颜色的发光,并分析了发光的性质.     

新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能

采用Suzuki偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNBr-BTDZ)。通过对它们的电致发光性能的研究,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡/铝作阴极的器件相近的发光性能,说明这类聚合物具有良好的电子注入性能。不同比例的2,1,3-苯并噻二唑(BTDZ)的引入使聚合物中发生有效的能量转移,调节了聚合物的发光颜色;同时也提高了聚合物的器件性能。其中聚合物PCzN-BTDZ1在器件结构为ITO/PEDOT/PVK/Polymer/BaAl时的效率达0.99%,高于PCzN在相同器件结构时的效率(0.14%)。     

NCO自由基分子和离子的电子结构计算

运用从头算方法计算了NCO自由基分子和离子的电子结构。为理解涉及NCO自由基在电离层和大气等媒介中的作用提供理论依据。     

L-苯丙氨酸构象和电离能的理论研究

我们对L-苯丙氨酸进行了全势能面搜索,采用B3LYP方法优化了L-苯丙氨酸的648种可能构象,最终得到了37种稳定存在的构象.分别采用B3LYP、B3PW91、M06-2X、MP2和CCSD(T)计算了L-苯丙氨酸最稳定的10种构象的相对能量,其中M06-2X和MP2方法能够给出较好的结果.对比不同的基组,说明采用aug-cc-pVDZ已经接近达到基组收敛极限.用电子传播子理论P3近似方法计算稳定构象外价壳层轨道的垂直电离能与光电子能谱实验符合的很好;根据构象的相对能量以及理论模拟与实验的光电能谱的比对,说明对气相光电子能谱至少四种构象有贡献.     

咔唑衍生物能带结构的电化学方法研究

有机电致发光材料能带结构的表征对于材料的优化选择和有机电致发光器件的研究非常重要。循环伏安法具有简单、操作方便的特点,被广泛地用于表征有机材料的能带结构。用循环伏安法研究了一系列咔唑衍生物的最高占有分子轨道(HOMO)能级。实验结果表明：给电子基团有利于提高咔唑衍生物的空穴传输能力;吸电子基团则会降低该类材料的空穴传输能力;而具有共轭作用的取代基的衍生物则可以作为空穴阻挡材料。这对咔唑衍生物的设计合成具有指导意义。     

近阈值下He原子的双电离实验反冲离子动量分析

利用最新发展起来的适用于低能电子入射的反应显微成像谱仪,对电子轰击He原子近阈值的双电离过程进行了研究,实验测量了反应后4个粒子的全部动量,获得了五重微分截面及出射粒子间的关联信息.着重分析了在入射电子束与出射电子构成的平面内,3个均分系统剩余能量的电子出射角关联关系,并与理论计算进行了比较.研究表明,当两个电子反向出射时,第3个电子垂直于这两个电子动量方向出射的几率最大.在1个电子垂直于平面出射时,通过理论计算结果与平面内出射角分布的比较,发现DS6C理论能够较好地描述实验结果.     

1.0 MeV电子碰撞引起Ta 和Au 内壳电离截面的测量

无论对深入理解电子-原子的作用机制,还是在材料等领域的实际应用,电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义。当前电子碰撞引起原子内壳电离的实验数据多集中在几十keV 入射能量和中小Z 靶原子,其它数据相对比较缺乏。本工作以能量为1.0 MeV电子轰击Ta 和Au 靶,通过测量靶原子特征X射线的产额,获得其K壳电离截面分别为13.3 和10.1 b,L 壳电离截面分别为554 和338 b。并将实验结果和相应的理论进行了对比,结果显示,本实验测得的K壳电离截面与Casnati、Hombourger 理论值、L 壳电离截面与Scoeld和Born-Bethe 的理论值相符。Accurate experimental data for atomic inner-shell ionization cross-sections by electrons are of basic importance both in understanding inelastic electron-atom interaction and its application. Up to now, most of available data on this process were mainly concentrated on the low and medium Z atoms by the bombardment of low energy electrons. In present experiments K-shell and L-shell ionization cross-sections of Ta and Au in collisions with 1.0 MeV eleltron were determined by measuring the characteristic X-rays emitted from the target atoms. For the present collision systems the K-shell ionization cross-sections were found to be 13.3 and 10.1 b,and the L-shell ionization cross sections were 554 and 338 b, respectively. The measured K-shell ionization cross sections are in reasonable agreement with the theoretic predictions of Casnati and Hombourger, while L-shell ionization cross sections are consistent with the theoretical results of Soc eld and Born-Bethey.     

激光偏振参量对光场感生电离电子碰撞机制等离子体电离参量的影响

以基于光场感生电离电子碰撞机制的类钯氙系统为例，计算并讨论了不同抽运激光偏振对等离子体的电离速率、阈值激光强度、电子在激光场中的剩余能量、各电荷态相对集居数、初始电子能量分布等电离参量的影响，计算结果表明，在相同的激光功率密度下，激光偏振对类钯氙41.8nm4d^95d^1S0-4d^95p^1P1跃迁的X射线激光放大影响很大，圆偏振激光抽运更有利于类钯氙41.8nm4d^95d^1S0-4d^95p^1P1跃迁的X射线激光放大的实现。     

Ionization Potential Depression in Hot Dense Plasmas Through a Pure Classical Model

The ionization potential of an ion embedded in a plasma, lowered due to the whole of the charged particles (ions and electrons) interacting with this ion, is the so‐called plasma effect. A numerical plasma model based on classical molecular dynamics has been developed recently. It is capable to describe a neutral plasma at equilibrium involving ions of various charge states of the same atom together with electrons. This code is used here to investigate the ionization potential depression (IPD). The study of the IPD is illustrated and discussed for aluminum plasmas at mid and solid density and electron temperatures varying from 50eV to 190eV. The method relies on a sampling of the total potential energy of the electron located at an ion being ionized. The potential energy of such electron results from all of the interacting charged particles interacting with it. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

电子引起的钛和锰的K壳层电离截面测量

报道了电子引起的钛,锰原子的Ｋ壳层电离截面实验值。实验中,采用了薄靶厚衬底技术,并将衬底中反射的电子对测量值的影响进行了修正。实验结果与其他文献报道的测量结果相吻合。最后,还将实验结果与Ｃａｓｎａｔｉ等人的经验公式进行了比较。     

负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.     

电子碰撞引起的铜元素K壳层电离截面的测量与修正

 在电子碰撞的情形下,通过对铜靶的特征X射线测量,从而推算出它的K壳层电离截面。在实验中采用了薄靶厚衬底新方法。通过电子输运计算,由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正。用蒙特卡罗技术对质量厚度为23 mg∕cm²的铜靶的多次散射影响作了修正。     

关于最弱受约束电子势模型理论中势函数物理意义的讨论

从屏蔽、贯穿和极化作用考虑,对最弱受约束电子势模型理论（简称WBEPM理论）的势函数进行了讨论。通过一系推导、论证,得出WBEPM理论的有效势的物理意义为：势函数中的第一项表示最弱受约束电子在有效核电荷＋Z′e中心场中的势能;第二项代表最弱受约束电子对非最弱受约束电子和核组成的“实”的极化作用所引起的偶极子场中的势能。