类锌金离子的双电子复合过程研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,理论计算出类锌Au49+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度 0.02 keV～5.0 keV范围内的变化规律,分析不同离化度离子的能级特征,及影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数.     

类镍Dy38+离子的双电子复合速率研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类铜组态3d9nln′l′(n′=4,5,6;l′=s,p,d),理论计算出类镍Dy38+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度002—50keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参量 关键词： 自旋轨道劈裂阵 双电子复合 自电离系数 辐射衰减系数     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

Ni27+离子Ka和Kβ型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni27+等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道,分析了Ni27+等离子体Ka型和Kβ型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1与电子温度的变化行为,计算了Ni27+等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明,在低密度条件下,Ka型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1有重要关系,前者的分支速率系数远大于后者.     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

类锌金离子的双电子复合过程研究

在自旋轨道劈裂阵模型（SOSA）下，理论计算出类锌Au^49＋的双电子复合速率系数，得出其在电子温度0．02keV-5．0kev范圈内的变化规律，分析不同离化度离子的能级特征，及影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能，这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数．     

类镍钆(Gd36+)离子的双电子复合系数研究

 在自旋轨道劈裂阵模型下,通过类铜组态理论计算出类镍Gd³⁶⁺的双电子复合速率系数,得出其在电子温度 0.02~5keV 范围内的变化规律,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的自电离系数和离化势,这为等离子体的诊断提供了一种新的方法。     

Au激光等离子体的双电子复合速率系数

基于准相对论多组态HartreeFock理论和扭曲波近似,采用组态平均的方法,从头计算了类铁金离子类镓金离子的双电子复合速率系数,计算中包含了大量稠密的自电离能级,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应,造成高Z材料Au的双电子复合速率系数不同于低Z元素的特征,与现有文献的类镍金离子比较,结果表明,在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度约为2keV,电子密度约为6×1021cm-3,Au激光等离子体不同理论之间的双电子复合速率系数误差不到10%.这对于使用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带细致 关键词： 双电子复合 类铁金离子类镓金离子 复合速率系数     

高离化金和铅离子双电子复合速率研究

 基于多组态准相对论自洽场方法和扭曲波方法,理论研究了类铍金和 铅离子三类双电子复合过程,计算了这些离子在电子温度0.6～10.0keV范围内的双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。     

类镍金离子的双电子复合速率系数

 在自旋轨道劈裂阵模型下, 理论计算在0.02keV≤T≤10keV范围内,类镍金Au⁵¹⁺的3d⁹nln''l''(n''=4,5,6; l''=s,p,d,f)双电子复合速率系数,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素。     

Enhancement of electron–ion recombination rates at low energy range in the heavy ion storage ring CSRm

Recombination of Ar¹⁴⁺, Ar¹⁵⁺, Ca¹⁶⁺, and Ni¹⁹⁺ ions with electrons has been investigated at low energy range based on the merged-beam method at the main cooler storage ring CSRm in the Institute of Modern Physics, Lanzhou,China. For each ion, the absolute recombination rate coefficients have been measured with electron–ion collision energies from 0 meV to 1000 meV which include the radiative recombination(RR) and also dielectronic recombination(DR)processes. In order to interpret the measured results, RR cross sections were obtained from a modified version of the semiclassical Bethe and Salpeter formula for hydrogenic ions. DR cross sections were calculated by a relativistic configuration interaction method using the flexible atomic code(FAC) and AUTOSTRUCTURE code in this energy range. The calculated RR + DR rate coefficients show a good agreement with the measured value at the collision energy above 100 meV.However, large discrepancies have been found at low energy range especially below 10 meV, and the experimental results show a strong enhancement relative to the theoretical RR rate coefficients. For the electron–ion collision energy below 1 meV, it was found that the experimentally observed recombination rates are higher than the theoretically predicted and fitted rates by a factor of 1.5 to 3.9. The strong dependence of RR rate coefficient enhancement on the charge state of the ions has been found with the scaling rule of q^3.0, reproducing the low-energy recombination enhancement effects found in other previous experiments.     

The dielectronic recombination process in laser-produced Au plasmas

The calculations of the rate coefficients for dielectronic recombination (DR) along the NiI isoelectronic sequence in the ground state Au^{51+} through Cu-like 3d^9nln′f (n,n′=4,5,6) inner-shell excited configurations are performed using the spin-orbit-split array (SOSA) model. Resonant and nonresonant radiative stabilizing transitions and decays to autoionizing levels followed by radiative cascades are included. Collisional transitions following electron capture are neglected. The trend of the DR rate coefficients and the ratio of dielectronic satellite lines intensities with the change of the electron temperature are discussed.     

类氦氪离子双电子复合的相对论计算

本文采用相对论性的Flexible Atomic Code (FAC)程序计算类氦氪离子的双电子复合截面及速率系数。其中自电离速率的计算采用相对论扭曲波近似，并考虑了组态相互作用的影响。文中还将所得的自电离和总辐射速率与采用MCDF和HULLAC计算得到的结果作了比较。我们检验了n-3标度律的有效性并用它对速率系数做了外推。文中还讨论了辐射分支比随不同共振峰和原子序数的变化以及级联辐射的影响。     

基于双激发态对稠密等离子体中双电子复合速率系数的研究

讨论了稠密等离子体中双电子复合速率系数的计算方法,推导出了在双激发态间跃迁过程和关于双激发态的碰撞电离和自电离过程的影响下双电子复合速率系数作为关于电子密度函数的计算公式,并以类氖镍离子为例进行了计算.计算结果展示了双电子复合速率系数随电子密度增大的具体变化趋势.此外,还给出了在不同原子过程影响下双电子复合速率系数的数据,并进行了分析.     

Au~(34+)离子双电子复合过程的理论研究

复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au~(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.     

W44+ 离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用方法,详细研究了W44+ 离子从基组态3s23p63d104s2俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s2)nln′l′(n = 4 ~ 6,n′= 4 ~7) 的双电子复合(DR) 过程。通过比较不同壳层电子激发的DR 速率系数,得知4s 电子激发和3d 电子激发的DR 速率系数分别在低温和中高温度时给出了主要贡献,得到了主要的电子激发DR通道。在1 eV~50 keV 温度范围内,计算了n = 4~18 的DR速率系数,并外推到了n= 100,得到总DR 速率系数。比较总DR 速率系数、三体复合(TBR) 以及辐射复合(RR) 速率系数,结果表明DR 速率系数在研究的温度范围内远大于TBR 和RR 速率系数,其将明显地影响ITER 等离子体的电离平衡和离化态布居。Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out to research the dielectronic recombination (DR) processes, in which W44+ ions in the ground state 3s23p63d104s2 trap an electron to form doubly excited states (3s23p63d104s2)nln’l’(n =4~6,n′= 4~7). The comparison of the DR rate coefficients of different shells shows that DR approach is as follow: the 4s subshell excitation dominates to DR at low temperature, but 3d subshell excitation attributes to DR at high temperature. Total DR rate coefficients from n=4~18 are evaluated directly, and the results are extrapolated up to n = 100 in the temperature range from 1 to 5×104 eV, and thus get the total DR rate coefficients. Compared total DR rate coefficients to three-body recombination (TBR) rate coefficients and radiative recombination (RR) rate coefficients, it showed that the total DR rate coefficients obviously significantly greater than other two recombination rate coefficients, and thus it obviously influence ionization equilibrium and ionization state population of ITER plasma.     

Re30+离子双电子复合速率系数的理论研究

复杂结构离子的双电子复合速率系数在极紫外光刻光源、核聚变等应用研究的等离子体光谱模拟和诊断中具有重要的应用价值。利用全相对论组态相互作用方法,详细计算了基组态为4p64d9的Re30+离子经双激发态（4p64d9）-1nln'l'（n=4~6,n'=4~23）的双电子复合（DR）过程。研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响。其中内壳层4p电子激发的DR速率系数是总DR速率系数的28.2%~44.9%,所以内壳层4p电子激发的贡献不可以忽略。级联退激对DR速率系数的最大贡献为12.9%,也必须要予以考虑。通过对双电子复合、辐射复合、以及三体复合速率系数的比较,辐射复合速率系数的最大值为DR速率系数的22.6%,三体复合速率系数的最大值仅为DR速率系数的0.3%。因此,DR速率系数远远大于辐射复合和三体复合速率系数。该结果表明DR过程对于等离子体离化态分布、能级布居以及光谱模拟都极为重要。为了方便应用,对基态和第一激发态的总DR速率系数进行了参数拟合。该研究结果将为Re激光等离子体的光谱模拟及复杂结构离子DR过程的进一步研究提供参考。Dielectronic recombination (DR) rate coefficients of complex ions are very important in some application research, such as extreme ultraviolet lithography and nuclear fusion. Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out to research the DR processes, in which Re30+ ions in the ground state 4p64d9 to (4p64d9)-1nln'l'(n=4~6, n'=4~23). Influence of excitation and radiation channels, configuration interaction, the effect of decays to autoionizing levels possibly followed by radiative cascades (DAC) are analyzed. The contributions through 4p subshell excitations to the total rate coefficient are 28.2%~44.9% in the whole temperature region. Hence the contributions from inner-shell electron excitation are very important. The contributions from the DAC transitions increase smoothly with the increasing temperature and are about 12.9% at 50 000 eV. The contributions of DAC can not be neglected. By means of compared total DR rate coefficients to radiative recombination rate coefficients and three-body recombination rate coefficients, it shows that the maximum value of the radiation recombination rate coefficient is 22.6% of the DR rate coefficient and the maximum value of the three-body recombination rate coefficient is only 0.3% of the DR rate coefficient. The total DR rate coefficient is greater than either the radiative recombination or three-body recombination coefficients in the whole temperature range. The corresponding DR process is very important for plasma ionization distribution, population level and spectrum simulation. In addition to facilitate the application, the total DR rate coefficients for the ground state and the first excited state are fitted to an empirical formula. These results will provide the reference for the further analyses of rhenium laser plasma spectrum simulation and the complex structures ions DR process.     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.