采用介质谐振器的高稳定度GaAs FET振荡器

在对介质谐振器特性及其反馈电路特性分析的基础上，采用微波集成电路技术研制出一种新型的用介质谐振器作为反馈电路且具有高频率稳定度的GaAs FET振荡器，并考虑了该振荡器的偏置电路，结果表明，该振荡器具有大于1000的外部品质因素；在振荡频率为11．85GHz，输出功率为70mW时，其效率为20％，大于1000MHz的调谐范围，用同样的微带电路形式，用5种不同的介质谐振器可以得到9－14GHz的振荡频率，在－20℃-60℃温度范围内可以得到低于150kHz/℃的高频率稳定度。     

KGN8-12型与KYN28-12型开关柜比较之我见

KGN8—12型开关柜与KYN28—12型开关柜进行对比,KGN8—12型开关柜有着诸多优点,在未来几年有取代KYN28的趋势,好的固定柜才是未来的发展方向。     

尖晶石型Li4Ti5O12的合成及其性能

采用高温固相法、溶胶-凝胶法和热聚合法制备锂离子电池负极材料Li₄Ti₅O_12.通过X-射线衍射、扫描电镜显微镜、电化学阻抗和恒流充放电表征产物的结构、形貌及电化学性能.3种方法制备的Li₄Ti₅O₁₂均为尖晶石结构,用高温固相法所得的粉体颗粒较大,而用溶胶-凝胶法所得粉体颗粒最小,其平均粒度在200~350 nm范围内,表现出较好的电化学性能;溶胶-凝胶法制备的样品粉末在0.2 C倍率下首次放电容量为174.5 mAh/g,经过25次循环后容量衰减仅5.7%.     

FET混频参数的计算

ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关,采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数,从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的混频增益．     

基于GaAs pHEMT 2.5~4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5~4.3 GHz驱动功率放大器（power amplifier,PA）,该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构,其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度,采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配,选取共源极放大器实现高线性度指标。经过流片加工后,实测结果显示,该PA在2.5~4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益,可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标要求,具有广泛的市场应用前景。