磷钼杂多酸-L-半胱氨酸自组装超分子膜电极对亚硝酸根电催化还原的研究

制备了磷钼杂多酸－Ｌ－半胱氨酸自组装超分子膜电极（Ｐ２Ｍｏ１８－Ｌ－Ｃｙｓ／Ａｕ）。采用水平衰减全反射（ＡＴＲ－ＦＴＩＲ）光谱表征了膜的组成。研究了该膜电极的电化学性质，发现它在１．０ ｍｏｌ／Ｌ　Ｈ２ＳＯ４溶液中，于０．０～０．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）间ＣＶ扫描出现两对稳定、可逆的氧化还原峰，其中峰电位分别为Ｅｍ１＝０．３３４ Ｖ，Ｅｍ２＝０．１８８Ｖ，对应着Ｐ２Ｍｏ１８Ｏ_(６２)~(６－)的两步２电子－２质子反应；计时库仑法计算了薄膜内的电子传递系数Ｄ为５．０１ × １０~（－８）ｃｍ２·ｓ～（－１）。该膜电极对酸性溶液中的ＮＯ_２~－有明显的电催化还原作用，初步探讨了电催化机理。用差分脉冲伏安法（ＤＰＶ）测定其还原峰电流与ＮＯ_２~－的浓度在２．０ ×１０~（－６）～２．０ × １０~（－４）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，相关系数为０．９９５３，检测限５．０×１０~（－７）ｍｏｌ／Ｌ。该电极用于模拟水样中ＮＯ_２~－的测定，结果满意。     

盐酸氨溴索在碳糊电极上阳极伏安法的研究

在０．５ ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４底液中，用碳糊电极阳极伏安法测定盐酸氨溴索，被测的阳极峰电位为１．１０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），另外，在０．４６Ｖ处还产生一对可逆的氧化还原峰。１．１０ Ｖ处的峰电流与盐酸氨溴索的浓度在３．９８×１０~（－７）～６．３４ × １０~（－５）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，该方法的检出下限为３．０ × １０~（－８）ｍｏｌ／Ｌ。用标准加入法测得回收率范围为９２．８％～１０２％，ＲＳＤ为２．９％（ｎ＝１０）。对电极响应机理进行了初步探讨，氨溴索在１．１０ Ｖ处的氧化为不可逆过程，其氧化产物在０．４６０Ｖ处产生一对２电子２质子受扩散控制的可逆波，用该波也可进行定量测定并且干扰较少，但灵敏度略低。     

锡（Ⅳ）的某些噻嗪染料络合吸附波研究和分析应用

研究表明噻嗪染料中新亚甲蓝或甲苯胺蓝在硫酸－草酸介质中与Ｓｎ（Ⅳ）在－０．６０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）处出现一高灵敏的络合吸附电流，比无上述染料时电流增高约１６倍。检出限０．８ｎｇ／ｍＬ（相当６．７×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ）Ｓｎ（Ⅳ）．ＮＭＢ和ＴＢ在酸性介质中被质子化，可用Ｒ＾＋表示，与Ｓｎ（ＧＮ     

阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

阿霉素在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．６２）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰;Ｅｐ＝－０．５２２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与阿霉素浓度在１．４×１０＾－６－１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,。     

Mo（Ⅵ）－PAN与Mo（Ⅵ）－PAR体系的极谱性质对比研究

本文比较了Ｍｏ（Ⅵ）－１－（２－吡啶基偶氮）－２－萘酚（ＰＡＮ）与Ｍｏ（Ⅵ）－４（２－吡啶基偶氮）间苯二酚（ＰＡＲ）的极谱性质，讨论它们在作为吸附波试剂时的优缺点，以求得在选择络合剂时的感性和理性认识．本文还报道了Ｍｏ（Ⅵ）－ＰＡＮ－ＫＢｒＯ３吸附催化波体系，最佳实验条件，０．１ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－－ＮａＡｃ，ｐＨ＝４．６，０．０１ｍｏｌ／ＬＫＢｒＯ３，２．５×１０－５ｍｏｌ／ＬＰＡＮ．峰电位为－０．７１Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），检出限１×１０－９ｍｏｌ／Ｌ，线性范围０～６×１０－７ｍｏｌ／Ｌ     

淋必治的极谱研究

在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．５０）支持电解质中，淋必治（ＳＰＥ）有一灵敏的示波极谱导数还原峰，峰电位Ｅｐ＝－０．９８Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与ＳＰＥ的浓度在２．０×１０＾－７￣８．０×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，最低检出限为５．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ。该法用于注射针剂中ＳＰＥ含量的测定。，结果良好。文中对ＳＰＥ的极谱行为、电极过程及反应机理进行了探讨。     

Effect of Addition Groups on the Redox Properties of Fullerenes

采用循环伏安法和微分脉冲伏安法对比地研究了包括五种Ｃ６０的衍生物及四种Ｃ７０的衍生物的电化学性质．结果表明，推电子基团的引入使得富勒烯的氧化还原电位负移，这种负移的程度与加成基团的性质、个数和富勒烯的性质有关．对于Ｃ６０和Ｃ７０的单加成产物，负移的范围是０．０８～０．２０Ｖ．而对于Ｃ６０的双加成和三加成产物负移的范围分别为０．３０～０．３２Ｖ和０．５３～０．５８Ｖ．同时由于电位的负移大部分衍生物在低于＋１．５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）观察到了氧化峰，而Ｃ６０和Ｃ７０本身的氧化高达＋１．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）．特别是对于Ｃ７０的双加成产物在＋０．４５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）出现了一个不可逆氧化峰，但是，对于同样加成基团的Ｃ６０双加成产物的氧化却在＋０．９０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），说明由于推电子基团的双加成引入，明显改变了Ｃ７０的电负性．     

铁(Ⅲ)-PAN亚硝酸钠吸附催化波

本文在铁－ＰＡＮ络合吸附波体系中引入亚硝酸钠,使测铁的灵敏度提高约２０倍,是目前测铁灵敏度很高的极谱方法。峰电位为－０．５９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）,检出限约为１×１０－９ｍｏｌ／Ｌ。最佳测定条件为：ｐＨ３．０,ＰＡＮ１．５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ,ＮＯ－２８×１０－２ｍｏｌ／Ｌ     

铬（Ⅵ）－十六烷基三甲基溴化铵极谱吸附波研究

在ｐＨ９．３的Ｎａ２Ｂ４Ｏ７Ｎａ２ＣＯ３缓冲溶液中，铬（Ⅵ）与十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＭＡＢ）在滴汞电极上吸附还原，峰电位－０．３１Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）．铬（Ⅵ）在１．９×１０－８２．１×１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围内与峰高呈线性关系检出限为７７×１０－９ｍｏｌ／Ｌ用于工业废水中铬的测定，结果与光度法一致     

吸附溶出伏安法测定水中痕量镉

报道了测定痕量镉的一种新方法．在０．０１ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－０．０１ｍｏｌ／ＬＮａＡｃ－１．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ乙醛酸缩氨基硫脲（ＧＡＴＳＣ）体系中，Ｃｄ－ＧＡＴＳＣ产生一灵敏的吸附还原波，波的峰电位是－０．４３Ｖ（ｖｓ·ＳＣＥ），峰电流与镉的浓度在１．０×１０－８～８．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内成直线关系．此法用于测定水中痕量镉，结果令人满意。     

可溶性聚酰亚胺电化学反应机理的研究

本文研究了三种可溶性聚酰亚胺（ＰＩ）在机溶剂和水溶液中的电化学行为，发现ＰＩ在有机溶剂中的电化学行为明显不同于水溶液，利用红外光谱技术才半经验发子轨道计算方法，结合电化学测试的结果，确证了ＰＩ的电化学反应的机理。     

Influence of the Position of the Connecting Spacer of the Chromophore on the Nonlinear Optical Response

A new chromophore, C1 , based on a similar DπA‐structure as in the FTC ‐chromophore but with a hydroxyalkyl spacer perpendicular to the direction of the dipole moment was synthesized. Both chromophores and the CLD ‐chromophore were used to prepare high T_g nonlinear optical vinyl polymers. The influence of the position of the spacer on the DπA‐system on the NLO response of the resulting polymers was investigated.

     

An improvement of the resolution of the identity approximation for the formation of the Coulomb matrix

A straightforward modification of the resolution of the identity (RI) approximation to the Coulomb interaction is described. In the limit of basis sets that are dominated by high angular momentum functions the observed speedups in realistic test systems reach a factor of 2 compared to the standard RI algorithm, and a factor of up to 300 compared to the standard algorithm to form the Coulomb matrix. More moderate savings on the order of 0-20% are obtained for the more commonly used smaller basis sets. A series of test calculations is reported to illustrate the efficiency of the algorithm.     

光亮剂对银电沉积行为的影响

用电势阶跃法和旋转圆盘电极法 (RDE)以及SEM和XRD测试手段 ,初步研究了光亮剂对氰化体系中银电沉积行为的影响 .研究表明 ,光亮剂的加入并未导致银电沉积成核机理的改变 ,但显著增强了镀液的微观平整效应 ,并且所得镀层的表观光滑程度明显改善 .XRD测试亦同时表明光亮剂的加入并未改变镀层的择优取向