H^＋注入锗酸铋晶体表面层的性质

Ｈ＾＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解。经Ｈ＾＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起。此外，实验中也示观察到Ｈ＾＋注入ＢＧＯ晶体中有离子束诱发的光学活性变化。可见在注入过程中，未发生从Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２转变到Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的结构相变，由此预见，注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解。Ｈ＾     

Fe：KTN晶体的二波耦合特性研究

首次报道四方相FeiKTN晶体的二波耦合性质.测得晶体的二波耦合增益系数和衍射效率分别为7.3cm~(-1)和42％,响应时间为2.8sec.文中还分析了主要载流子的符号并计算了其它参数.     

Ce：Mn：LiNbO3晶体二波耦合的异常现象

Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体的二波耦合指数增益系数随晶片厚度减小而急剧增大。增大泵浦光束直径。可使指数增益的２θ角度响应拓宽。温度升高时，拽数增益随之增大，且在５５℃，７１℃和１１０℃附近出现异常峰，本文对上述现象进行了分析研究。     

利用锗酸铋晶体的电光补偿型光学应力传感器

利用锗酸铋(BGO)晶体的弹光双折射与电光双折射可以相互补偿的特性,设计并研究了一种新型光学应力传感器。折射率椭球分析结果表明,在垂直于BGO晶体的(111)晶面方向上同时施加应力和电场,晶体的弹光双折射能够被电光双折射所补偿,因而可以实现应力的闭环光学测量。光学传感单元主要包括两个棱镜偏振器和一块平行四边形的BGO晶体,该晶体自身能够通过对光波的两次全反射产生0.5π的光学相位偏置,因而不需要附加四分之一波片。实验测量了30kPa以内的压缩应力,被测压缩应力与补偿电压之间具有较好的线性关系,且每1kPa压缩应力所需要的补偿电压约为4.26V。     

KNbO3:Fe晶体的最佳二波耦合

本文在分析光折变晶体KNbO3:Fe的最佳二波耦合条件的基础上,通过计算和实验研究了晶体KNbO3:Fe的二波耦合增益系数Γ与两光束的夹角2θ、光栅矢量的取向β及不同电光系数r51或r42的关系,获得了在特定掺杂浓度N～1016cm-3条件下KNbO3:Fe晶体的最佳二波耦合条件为:θm～4°-8°并且βm～45°.     

不同切型BaTiO3晶体二波耦合特性研究

分析了光折变晶体的电光系数对二波耦合特性的影响,二波耦合能量转移方向不仅依赖于晶体中光生载流子的电荷符号以及入射光与晶体ｃ轴的相对取向,而且依赖于晶体光系数各分量的相对大小;这种特性别明显地表现在相向二波耦合作用中。     

二维光子晶体耦合腔阵列的慢波效应研究

设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列，平面波展开法计算能带表明，处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有k矢量方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比，耦合腔阵列结构的缺陷腔模透射率提高三个量级以上，而群速度降低一个量级，得到0.007c的结果.该慢波效应在构造微型可调谐光延迟器和低阈值光子晶体激光器等方面具有潜在的应用前景.     

二维光子晶体耦合腔阵列的慢波效应研究

设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,平面波展开法计算能带表明,处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有k矢量方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔模透射率提高三个量级以上,而群速度降低一个量级,得到0.007c的结果.该慢波效应在构造微型可调谐光延迟器和低阈值光子晶体激光器等方面具有潜在的应用前景. 关键词： 光子晶体 耦合腔阵列 慢波 透射率     

锗酸铋阵列探测器用于中子激发发射计算机断层扫描成像

 中子激发发射计算机断层扫描成像对探测器有着较高的要求,为了探讨利用传统阵列探测器实现其应用的可行性,利用模拟的方法给出了锗酸铋（BGO）晶体阵列探测器的基本性能。对高能光子在单根BGO晶体中的能谱进行了分析,提出叠加相邻晶体信号以提高能量分辨率的修正方法。结果表明:此方法能够很大程度上优化输出能谱,并能够得到较好的空间分辨率。     

光折变晶体BaTiO3中二波混频的温度效应

研究了光折变晶体钛酸钡中相向传输的二波混频的温度效应,得到在 BaTiO₃中增益耦合系数随温升而增加、并在85℃左右反向.说明其主要载流子的类型在此温度时发生改变.给出了有效陷阱浓度N(T)的温升模型,其理论预期值与实验数据符合较好.     

入射光强比对Ce:KNSBN晶体两波耦合特性影响的研究

实验测量了Ce:KNSBN双光束耦合信号光有效增益G随入射光强比m的变化关系.用中间段光折变理论对此变化关系进行了参量理论分析.结果表明,理论和实验结果定性符合.     

光折变效应中二波耦合温度特性的研究

本文研究了光折变效应中,温度对晶体内空间电荷分布影响的微观机制,提出了空间电荷场的修正项,给出了钛酸钡晶体的空间电荷场与温度的理论曲线以及二波耦合中光强耦合系数与温度的理论曲线.     

退火处理对W:Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W:Bi4 Ge3 O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等.W:Bi4 Ge3 O12的可见光发光强度比纯Bi4 Ge3 O12有所增强,而且N2中退火处理对W:Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用.Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光...     

Optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal produced by multi-energy C ion implantation

We report the fabrication of a planar waveguide in the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal by multi-energy C ions at room temperature. The waveguide is annealed at 200℃, 260℃, and 300℃ in succession each for 30 min in an open oven. The effective refractive index profiles at transverse electric(TE) polarization are stable after the annealing treatments. Damage distribution for multi-energy C ion implanted in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal is calculated by SRIM 2010. The Raman and fluorescence spectra of the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal are collected by an excitation beam at 633 nm and 473 nm, respectively. The results indicate the stabilization of the optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal.     

Bi12SiO20晶体的电—光和光—电导效应实验研究

从实验上和理论上对光折变晶体Bi_(12)SiO_(20)的电光效应和光电导效应进行了系统的研究,并进一步探讨了这两种效应中出现的非稳振荡现象.     

Bi12TiO20纳米粉体的制备及其光吸收特性研究

以钛酸四丁酯和硝酸铋为原料 ,利用化学溶液分解法制备了Bi12 TiO2 0 纳米多晶粉体 .采用XRD和TEM对其结构和形貌进行了表征 .结合热重 差热 (TG DTA)分析 ,探讨了Bi12 TiO2 0 晶相的形成机理 .通过UV Vis漫反射谱的测定 ,研究了Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体的光吸收特性 .结果显示 ,从组成为化学计量比的前驱液中可以很容易制得纯Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体 ,该Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体呈现了在很宽的波长范围内 (5 6 0～ 385nm )对光的吸收的特性 .     

沉淀介质对共沉淀法制备(Bi,Pb)2223先驱粉的影响

本文利用物理化学原理对改进的共沉淀法和传统的共沉淀法所使用的介质进行了对比研究.通过比较PH值在以水为介质的传统共沉淀法和改进的以乙醇为介质的共沉淀法的化学计量比的不同影响,我们发现传统共沉淀法不能找到合适的PH值范围来使各种金属离子完全共沉淀,也就难以维持原始的化学计量比,而改进的共沉淀法有很宽的PH值范围(PH=3～7.4), 能使所要沉淀的各种金属离子完全共沉淀并维持原始的化学计量比.对改进的共沉淀法制备的前驱粉经过X光衍射分析显示,其相组成合适,扫描电镜分析显示前驱粉完全满足制备超导(Bi,Pb)2223带材的需要.     

INVESTIGATION OF PHOTOREFRACTIVE TWO-WAVE COUPLING IN Cr-DOPED STRONTIUM BARIUM NIOBATE CRYSTAL

We present here the experimental results of photorefractive two-wave coupling in the congruent strontium barium niobate (SBN:61) crystal doped with 1000ppm Cr. Employing a He－Ne laser (632.8nm), we observed the coupling characteristics under different conditions. The crystal shows excellent photorefractive properties, with a high coupling coefficient nearly 6cm^-1 as the beam intensity ratio m is less than 100. The saturated coupling coefficient of SBN:61:Cr shows a maximum at a certain external beam crossing angle 2θ_peak, which varies with different m, showing a nearly linear dependence on m. The saturated coupling response time τ is measured to be less than 0.8 s. The response time decreased with increasing beam crossing angles no matter how large m is. We also observed the behaviour of the probe beam in reversed experimental procedures. We found that the probe beam shows a bistable state in both procedures.     

Electromechanical properties of bismuth germanium oxide (Bi12GeO20)

The elastic and piezoelectric constants and their temperature coefficients of bismuth germanium oxide have been determined. All of the elastic and piezoelectric constants were obtained from dynamic measurements of piezoelectrically driven narrow bars and thin plates at the temperature 22 °C. The temperature coefficients were measured on the same resonators in the temperature range from 16 °C to 70 °C. The thermal expansion measured in the temperature range from 50 °C to 200 °C is also given.The author wishes to acknowledge the help rendered by Professor Ing. Dr.Jaroslav Stank in connection with the measurement of the thermal expansion coefficient and by R.Trepera in the course of the preparation of the measured resonators.