共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性 总被引:1,自引:1,他引:0
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射. 相似文献
2.
本文用光致发光(PL)研究了MOCVD(金属氧化物化学气相沉积)生长的有序Ga0.5In0.5P外延层的光学性质.发现有序程度较强的Ga0.5In0.5样品的PL谱中一峰的能量随温度升高,先增大而后又减小.根据已有的报道和本文的实验结果,提出了一个有序Ga0.5In0.5P的模型,模型中将有序Ga0.5In0.5P看作阶宽随机分布的Ⅱ型多量子阱结构,能带边之下存在带尾态,并用该模型对实验结果进行了较好的解释. 相似文献
3.
用常压MOCVD在半绝缘GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.476~0.52)外延层,对外延层进行了X光双晶衍射、Hall和光致发光(PL)测试.77K下电子迁移率达3300cm2/V.s(浓度为1.4×1016cm-3).载流子浓度随生长温度升高,随Ⅴ/Ⅲ比的增大而降低,并提出P空位(Vp)是自由载流子的一个重要来源,17KPL谱中,Ga0.5In0.5P(Tg=650℃,Ⅴ/Ⅲ=70)的峰能为1.828eV,半峰宽为19meV.另外,在1.849eV处还有一较弱的峰,GaInP峰能和其计算的带隙最大相差113meV,这可能与GaInP中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关. 相似文献
4.
LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev. 相似文献
5.
6.
1.3μm场助TE光阴极In1-xGaxAsyP1-y/InP的能带计算及外延层的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In1-xGaxAsyP1-y(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In1-xGaxAsyP1-y(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。 相似文献
7.
8.
本文中,发现在InxGa1-xAs缓冲层上非故意掺杂的InyGa1-yAs/(Al)GaAs超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区,一个位于样品表面,另一个位于InxGa1-xAs缓冲层和超晶格界面。据此,合理地解释了样品的光伏测试结果,并对此类样品的MOCVD生长工艺给予指导。 相似文献
9.
本文基于第一性原理中的Heyd-Scuseria-Ernzerh方法研究了单层In1-xGaxN的电子结构和光学性质.计算得到单层In1-xGaxN的能带结构和态密度(DOS),发现随着掺杂比例的变化,体系带隙的变化范围是1.8~3.8 eV,表明通过Ga的掺杂可以实现体系带隙值的调节.并且还研究了单层In1-xGaxN的介电函数,折射率和吸收系数等光学性质,结果表明随着Ga掺杂浓度的增加,介电函数谱的主峰和吸收谱发生了显著的蓝移.此外,基于能带结构和态密度图谱,对单层In1-xGaxN的光学性质进行分析,预测这种材料独特的光学性质在纳米电子学和光学器件中会有广泛的应用. 相似文献
10.
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的AlGaInAs/InP应变补偿量子阱结构材料,用此材料制作的器件指标为激射波长:1280nm≤λ≤1320nm,阈值电流:Ith(25℃)≤15mA,Ith(85℃)≤30mA,量子效率变化:Δηex(25℃~85℃)≤1.0dB,线性功率:P0≥10mW 相似文献
11.
12.
13.
离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+ 辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He+的辐照来得到改善,其结果是Ga0.94Mn0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He+辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga0.94Mn0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He+辐照改变了Ga0.94Mn0.06As薄膜的结构. 相似文献
14.
15.
研究了Si 重δ 掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应. 研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称. 高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运. 因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果. 由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数. 该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas—SdH振荡分析获得的结果一致. 高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要. 相似文献
16.
本文指出在LP-MOCVD生长过程中,采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位,给出了采用DEZn和H2S做掺杂源在InP材料中p型和n型杂质溶度和p-n结控制的条件,并研制出有源区阱层InGaAs与InP存在0.5%压缩应变量子阱激光器,这一结构LD实现室温脉冲激射,得到峰值功率为106mW以上,阈值电流密度为2.6kA/cm2. 相似文献
17.
本文利用单晶与粉末衍射方法测定了V2Ga5的晶体结构。V2Ga5属四方晶系,其单相区约为VGa2—V2Ga5。在18℃的点阵常数是a=8.9540?,c=2.6892?,每个晶胞含有二个化合式量,空间羣为D4h5—P4/mbm。V原子与Ga原子分别占据在4(h)与8(i),2(d)的等效位置上。参数为:x相似文献
18.
A study has been made of the resistance ρ, the thermopower S, and magnetoresistance MR of Ga2Te3 and α-In2Te3 single crystals at pressures P up to 25 GPa. It is found that the resistance ρ and |S| sharply decrease at ∼0–5 and 1.5–3 GPa, respectively. The semiconductor-metal phase transitions in the temperature range
from 77 to 300 K are established from the sign reversal of the temperature coefficient of ρ to occur at P>4.4 and >1.9 GPa. The values S ≈+(10–20)μ V/K for the metallic phases with a Bi2Te3-type structure agree with those for liquid In2Te3 and Ga2Te3. Negative MR is revealed in In2Te3 at P≈1.9 GPa. No MR is observed in Ga2Te3 up to 25 GPa. The variation of the electronic structure of In2Te3 and Ga2Te3 under pressure is discussed.
__________
Translated from Fizika Tverdogo Tela, Vol. 42, No. 6, 2000, pp. 1004–1008.
Original Russian Text Copyright ? 2000 by Shchennikov, Savchenko, Popova. 相似文献
19.
20.
采用包含Davidson修正多参考组态相互作用(MRCI)方法结合价态范围内的最大相关一致基As/aug-cc-pV5Z和O/aug-cc-pV6Z, 计算了AsO+ (X2∑+)和AsO+(A2∏)的势能曲线. 利用AsO+离子的势能曲线在同位素质量修正的基础上, 拟合出了同位素离子75As16O+和75As18O+的两个电子态光谱常数. 对于X2∑+态的主要同位素离子75As16O+, 其光谱常数Re, ωe, ωexe, Be和αe分别为 0.15770 nm, 1091.07 cm-1, 5.02017 cm-1, 0.514826 cm-1和0.003123 cm-1; 对于A2∏态的主要同位素离子75As16O+, 其Te, Re, ωe, ωexe, Be和αe分别为5.248 eV, 0.16982 nm, 776.848 cm-1, 6.71941 cm-1, 0.443385 cm-1和0.003948 cm-1. 这些数据与已有的实验结果均符合很好. 通过求解核运动的径向薛定谔方程, 找到了J=0时AsO+(X2∑+)和AsO+(A2∏)的前20个振动态. 对于每一振动态, 还分别计算了它的振动能级、转动惯量及离心畸变常数, 并进行了同位素质量修正, 得到各同位素离子的分子常数. 这些结果与已有的实验值非常一致. 本文对于同位素离子75As16O+(X1∑+), 75As18O+(X1∑+), 75As16O+(A1∏)和75As16O+(A1∏)的光谱常数和分子常数属首次报导. 相似文献