Ⅱ-Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究;（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触;（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;（４）量子线、量子点及稀磁半导体。     

Ⅱ—Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况。结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子，激子增益；（４）量子线，量子点及稀磁半导体。     

论强激发的Ⅱ-Ⅵ族半导体中的弛豫过程

为了得到强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物的自由载流子浓度的知识,我们测量了CdS晶片的电导σ及发光光谱。晶体既可用单光子激发,也可用双光子激发(Q开关的红宝石激光的一次和二次谐波。激发强度J在10~(24)-5×10~(28)cm~(-3)秒~(-1)之间变化。在低温1.8K时,我们发现在很宽的J范围内,相应的σ∝J~2或J~4(图1,2)。随着温度的增加,J的幂次相应降低到1或2。。这些结果能够解释,因最初产生的热电子-空穴对由于Lo声子的发射而弛豫得很快,直到它们达到能     

Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径－－自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构、ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材料。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物的光致发光

本文综述了宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物的低温光致发光过程,分析了ＣｄＴｅ,ＺｎＳｅ和ＺｎＴｅ的光致发光谱并总结了这类化合物中束缚激子发光的研究结果．     

实现Ⅱ—Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径

介绍了一种以ＢｅＭｇＺｎＳｅ与ＺｎＳｅ组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点、它有可能是实现长寿命Ⅱ－Ⅵ族半导体蓝色激光器的一条新途径。     

宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究

介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E_(?))仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E_(?)则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进     

Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜电致发光

电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF₃到CaS:TmF₃,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m²;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO₂超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF₃三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m²。     

宽禁带Ⅱ—Ⅵ族半导体及其应用前景

与晶态半导体和绝缘体的应用相关的电子学的蓬勃发展,大大地加深与扩大了我们关于固体结构的知识,使我们得到在其中发生的物理过程的宝贵资料。 半导体电子器件方面的成就,在很大程度上有赖于获得纯的或特殊掺杂材料的工艺     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料学术会议即将召开

根据1984年11月发光学学会常务理事会的决定,今年9～10月份将在河北省保定市召开Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料学术会议。该会议将由河北大学物理系负责筹备,筹备组组长是学会理事朱自熙。 会议的内容包括: Ⅱ—Ⅵ族材料的制备、掺杂及缺陷的研究; Ⅱ—Ⅵ族材料的发光、电学和光电性能;     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿

采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运。在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性。磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的:对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象。     

Ⅱ-Ⅵ族粉末发光材料之进展

一、前言 迄今为止,Ⅱ—Ⅵ族粉末发光材料还是被广泛应用,并被认为是大有前途的发光材料。特别是ZnS、CdS这类最早的材料,如现在还大量生产的被用到彩色电视中的蓝粉ZnS:Ag,还未找到其它更好的基质材料来取代它。至于对电致发光而言,不论是     

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍. 关键词： 干涉仪 非线性光学 Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料     

MO-CVD法和Ⅱ-Ⅵ族材料的制备

本文评述了金属有机化合物化学汽相淀积(MO-CVD)法的原理、特点及应用。着重讨论了Ⅱ-Ⅵ族材料的MO-CVD法的制备。     

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体微纳结构中的激子磁极化子及其发光

自旋是基本粒子(电子、光子)角动量的内在形式.固体中体现自旋特征的集体电子行为如拓扑绝缘体等是当前凝聚态物理领域关注的焦点,是基态行为.激子作为电子空穴对的激发态且寿命很短,可复合发光,它是否能体现自旋极化主导的行为?对此人们的认识远不如针对基态的电子.激子磁极化子(exciton magnetic polaron, EMP)是由磁性半导体微结构中铁磁自旋耦合态与自由激子相互作用形成的复合元激发,但其研究很有限.本文概述了我们在稀磁半导体微纳米结构中的EMP及其发光动态学光谱、自旋极化激子凝聚态的形成方面取得的一些进展,展望了未来可能在自旋光电子器件、磁控激光、光致磁性等量子技术方面的潜在应用.     

热壁外延与Ⅳ-Ⅵ族半导体红外器件

文章介绍了热壁外延（ＨＷＥ）技术及其应用。主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ－Ⅵ族半导体红外探测器和激光器,介绍了这方面国际上近年来的一些新进展,同时也介绍了我们自己的工作。     

用于超低损耗光纤通信化合物半导体材料──Ⅳ-Ⅵ族半导体材料

本文综述了可用于超低损耗光纤通信的２－４μｍⅣ－Ⅵ族铅盐化合物半导体材料的最新进展及作者在此方面的一些工作．     

基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.