LINE-TYING效应对热电子交换模的影响

本文分析了冷等离子体和导电端板的line-tying 效应对有限长度热电子等离子体交换模的影响, 导出了包含line-tying 效应的色散关系, 得到了新的稳定性判据. 强line-tying 效应的存在, 使稳定性所要求的冷电子同热电子的密度比大大减少.line-tying 效应对低模数的长波扰动具有更好的稳定作用. 关键词：     

热电子等离子体的低频交换不稳定性

本文用磁流体理论,导出了包含导电端板“线结”效应的热电子等离子体低频交换模的色散关系,分析了热电子环的稳定作用,求出了稳定性判据。“线结”效应能大大降低交换模的增长率。取热电子密度为零,就得到简单流体等离子体的结果。     

粘滞效应对非线性电阻撕裂模的影响

本文研究粘滞效应对非线性电阻撕裂模的影响。利用准环坐标将具有标量电阻率和粘滞系数的MHD方程简化为一组无量纲的非线性方程。并对这组方程采用二步交替隐式差分格式进行数值计算。结果给出了2/1模的演变过程对无量纲粘滞系数的依赖关系和电流密度的分布。发现粘滞效应对饱和磁岛宽度的修正大约为5％(此时R=10~(-5)),同时发现由于粘滞效应的引入导致电流分布在奇异面附近的涨落明显减小。     

交换效应对低温~4He能量的影响

低温下的~4He系统由于全同粒子交换作用呈现超流等宏观量子效应,交换效应对系统能量的影响尚不明确.本文基于路径积分蒙特卡罗方法计算了不同温度下~4He系统的平均动能以及平均势能.考虑交换效应时,~4He的平均动能增大,但是动能增大幅度不随温度的降低而升高,对关联函数等结构表征几乎不变,势能变化不明显.     

逆磁效应对交换模湍流产生的带状流的影响

运用并扩展了Guzdar等人提出的一种简单的低维模型, 讨论了交换模湍流中的非线性逆磁效应对带状流产生的影响,通过对非线性演化方程的数值计算,得到如下结论：逆磁效应能抑制通常的（雷诺胁强驱动的）极化非线性效应,由此导致带状流的阻尼. 关键词： 托卡马克等离子体 交换模湍流 带状流 逆磁效应     

Stark效应对量子纠缠信息交换传递的影响

用多个“二能级原子与单模光场”组成的联合物理模型,考虑Stark效应后,推导了该系统的态矢演化式,得到光场纠缠度的数值计算结果.讨论了Stark效应和初始场强对量子纠缠信息交换传递的影响.结果发现,在一定条件下,原子纠缠态与光场纠缠态之间可以转化,实现了量子纠缠信息的交换传递,且Stark效应和初始场强对此过程有着显著的影响:光场的纠缠程度随着初始场强的增强而增大;在强场条件下,光场纠缠度出现崩塌-回复现象.Stark移位参量越大,光场纠缠度振荡越剧烈,说明Stark效应破坏了光场纠缠程度的稳定性.     

离子有限回转半径效应对环流器气球模的影响

本文在密度梯度和温度梯度同时存在的情况下,研究了离子有限回转半径效应对环流器气球模的影响。利用数值打靶方法求解本征方程,证明存在温度梯度将加强离子有限回转半径的稳定作用。计算结果还表明,比压加大时,本征频率的实部与离子反磁漂移频率有很大的偏离。     

金锥对靶背向超热电子分布的影响

 采用20 TW啁啾脉冲放大的ps激光辐照金锥靶和平面靶,对靶背向产生的超热电子角分布和能谱进行了实验研究。结果表明:金锥对超热电子的产生具有重要的影响。与平面靶情况相比,锥形靶靶背向产生的超热电子数量增加,电子能量为2.0~2.5 MeV的超热电子数目有大幅度增长;锥形靶背向超热电子的空间发散角大于平面靶,这是由于啁啾脉冲放大激光所固有的较高脉冲前沿产生的预等离子体造成的影响。     

表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究

研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影响,初步确定了其变化关系.研究结果显示表面电荷的增加能够耗尽二维电子气,减弱电流坍塌效应,降低饱和电流,使膝点电压非正常后移.同时,体陷阱的减小可以有效减弱电流坍塌效应,增大饱和电流,且膝点电压基本保持不变.晶格温度较低时,热电子效应和量子隧穿效应对电流坍塌效应影响显著.采用流体动力学模型,分析了引起电流坍塌效应的内在物理机制,并获得了器件设计和制备的优化方案. 关键词： GaN-HEMT器件 电流坍塌效应 热电子效应 表面电荷     

表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究

研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影响,初步确定了其变化关系.研究结果显示表面电荷的增加能够耗尽二维电子气,减弱电流坍塌效应,降低饱和电流,使膝点电压非正常后移.同时,体陷阱的减小可以有效减弱电流坍塌效应,增大饱和电流,且膝点电压基本保持不变.晶格温度较低时,热电子效应和量子隧穿效应对电流坍塌效应影响显著.采用流体动力学模型,分析了引起电流坍塌效应的内在物理机制,并获得了器件设计和制备的优化方案.     

等离子体交换不稳定性的模耦合理论

本文研究部分电离等离子体中交换不稳定性的爆炸型模耦合。从磁流体动力学方程出发,导出交换模相干三波相互作用的模耦合方程,分析产生爆炸不稳定的可能的耦合类型,具体讨论产生爆炸不稳定的条件。结果表明,非线性效应能使交换模达到饱和状态表现为小幅度的正弦型扰动,也能通过模耦合而导致大幅度扰动的爆发。本文的分析,适用于磁镜位形的等离子体和电离层等离子体。 关键词：     

热电子与热离子共存时的电荷裸露效应

本文采用简晰的平板模型，在局域近似下讨论了热电子，热离子共存时它们对低频交换模的影响，分析了两种热成分电荷裸露效应的相互作用。     

场反向箍缩位形的电阻性互换不稳定性及其对能量约束性能的影响

本文解析研究了电阻性互换不稳定性的湍性行为和它所引起的电子热传导及其所带来的场反向箍缩能量约束性能下降的情形。对于两种不同的模宇称计算了磁场饱和涨落水平,并由此求得了磁颤动扩散系数及碰撞区、非碰撞区的热传导系数。得到了能量约束时间的定标律。 关键词：     

热电子、双离子成分对离子漂移迴旋不稳定性的影响

分析了热电子、温(热)离子成分对离子漂移迴旋不稳定性的影响。给出了临界稳定热电子成分值α与温(热)离子成分值、离子温度比和离子抗磁漂移速度的关系;讨论了热电子、温(热),冷离子成分对不稳定性各谐频分支的影响;分析了热电子成分稳定作用的物理机制。     

EFFECTS OF MODE LOCALIZATION ON INPUT-OUTPUT DIRECTIONAL PROPERTIES OF STRUCTURES

The singular-value decomposition (SVD) is employed to study the effects of localization phenomena on input-output relationships, and power and energy transmission ratios of structures. For weakly and strongly coupled systems, existence of strong localization of singular vectors and abrupt veering of singular value loci are shown. Occurrence of strong localization causes abrupt changes in input-output directional properties. In contrast to eigenvalues, singular values do not veer away by introducing a disorder in weakly coupled systems. In particular, the use of singular values and vectors is computationally advantageous in considering multiple load cases. While eigenvalue-based analyses give information about the resonance frequencies and vibration modes of a structure, singular values of the structure are related to the forced response characteristics and give the dynamic behavior in the frequency domain. Representative examples in structural dynamics are presented.     

非Maxwell电子速度分布对受激散射的影响

从考虑动理学效应的受激散射不稳定性的线性理论出发,对于n=2的Maxwell分布函数直到n=5的饱和情况的超高斯分布函数,计算了电子等离子体波和离子声波的频率和阻尼率。对受激喇曼散射和受激布里渊散射进行分析,结果表明,在激光高Z等离子体中,或者在具有激光热斑的中等Z等离子体中,电子等离子体波的阻尼率降低很多,离子声波的频率比Maxwell分布情况升高约15%。这些结果可和实验进行比较。     

电子辐照对掺铒单模光纤损耗特性的影响

本文介绍了掺铒(Er³⁺)单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循L_UV=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循L_IR=2.2·10⁴exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理 关键词：     

热物质中离子组态分布对光电过程的影响

基于含温有界全相对论自洽场平均原子模型,用最大熵原理确定离子类型的出现概率,用微扰方法计算离子结构并用统计的方法对数以百万计的离子贡献作了求和计算。最后,给出了热物质中光电消光系数的统计求和公式。