原子层外延

原子层外延是近几年发展起来的一种富有潜力的新型超薄层外延技术．本文试从表面吸附反应动力学角度出发，介绍这种工艺的基本原理和生长机理．最后简述了它在器件制作中的某些应用．     

原子光谱分析的进展及其应用

文章综述了原子光谱领域分析仪器及分析方法的最新研究进展;例如原子吸收光谱(AAS)、原子发射光谱(AES)、原子荧光光谱(AFS)、激光诱导击穿光谱(LIBS)以及原子质谱(AMS)等,重点关注在食品、医药及其相关领域中的应用。近年出现的芯片实验室和微等离子体,促进了原子分析仪器的微型化发展,而激光及其联用技术在形态分析中的应用仍颇为流行。     

半导体超薄层外延技术

分子束外延（ＭＢＥ）,金属有机化学气相淀积（ＭＯ－ＣＶＤ）,金属有机分子束外延（ＭＯ－ＭＢＥ）以及原子层和分子层外延（ＡＬＥ和ＭＬＥ）等超薄层外延技术,是随着集成电路向高密度集成,高工作速度和超小型化方向发展而形成的一种薄膜制备工艺,并在微电子学、低维物理和材料科学等领域中有着重要的应用．利用这种技术,可以制备各类超高速器件,光电器件及其集成电路．由这种工艺制备的优质超晶格结构为人们更加深入地从理论和实验上揭示二维电子体系的物理性质带来了极大便利,而且一维超晶格的实现也将有赖于超薄层外延生长技术．可以预期     

MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究

本文对MOCVD激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温MOCVD生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.     

磷化硼单晶和外延层

在氢气氛中使乙硼烷与磷化氢混合料热分解和在氢气中加热还原三溴化硼与三氯化磷混合料,已经在六角晶型的碳化硅基面上淀积起磷化硼。在热分解过程中,为把气相反应的影响减到最小,基底温度必须维持在900℃以下,此时,磷化硼层刚露出择优取向。热还原过程是在一个宽的温度区间内完成的;用光学显微镜和反射电子衍射观察发现,在1050℃—1150℃碳化硅表面上沉积的磷化硼层是单晶体,而且是按基底外延的。卤化物还原反应制备外延的磷化硼,无特意掺杂时是P型的,室温载流子浓度约为10~(19)cm~(-3)。在300—1000°K温度区间内电阻率的测量指出存在着两种杂质能级,它们的激活能分别约为0.22和0.66电子伏特。用卤化物还原反应也获得了针状磷化硼晶体,它们是长轴沿着<111>方向的P型单晶,在室温时电阻率约为20欧姆·厘米。     

GaN外延层中的缺陷研究

采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的GaN外延层中黄色发光带的强度分布.结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很大影响.测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光带强度分布、原子序数衬度和X射线波谱发现,黄色发光带的强度在含有O和C等杂质缺陷附近较强.高分辨透射电子显微镜观察表明,杂质缺陷区的晶格结构不同于GaN基质,以及位错和裂缝等由应力引起的缺陷.认为此类缺陷可能是生长过程中,杂质在结晶小丘合并处的V形凹角中的沉积所产生. 关键词：     

原子分子物理苦干前沿及其进展概述

原子分子物理研究正在以前所未有的深度、广度和精度展开。文章简要介绍了原子分子物理研究的若干重要前沿及其近期进展,和某些重要的原子分子应用技术。     

原子分子物理若干前沿及其进展概述

原子分子物理研究正在以前所未有的深度，广度和精度展开，文章简要介绍了原子分子物理研究的若干重要前沿及其近期进展，和某些重要的原子分子应用技术。     

有机分子束外延技术与研究进展

本介绍了超高真空分子束外延生长有机薄膜的技术及基研究进展,讨论了外延材料的纯化过程和杂质对外延薄膜的影响;从理论和实验观点评论了薄膜的生长性质和膜的有序结构。超高真空有机分子束外延技术是一种多用途的高技术,可以生长有机、无机、有机／无机混和的薄膜结构。这种薄膜结构是示来光学和电子器件有希望应用的新一类工程材料。     

LASER MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM AND ITS KEY TECHNOLOGIES

The laser molecular beam epitaxy system and its key technologies have been successfully developed in China. Atomically regulated unit-cell by unit-cell homoepitaxial SrTiO₃ (STO) and heteroepitaxial BaTiO₃ (BTO) films and STO/BTO superlattices were fabricated on STO (100) substrates by the laser molecular beam epitaxy. The fine streak patterns and more than 1000 cycles of undamping intensity oscillation were obtained by using in-situ reflection high-energy electron diffraction. The surfaces of films are atomically smooth.     

我国原子分子物理研究的一些新进展

文章着重报道了近２０年来在原子分子物理基础研究方面的新进展,首先围绕我国重大科研项目,介绍了我国原子物理基础研究的新进展,时一步介绍了与其有关的高新技术研究,然后,围绕着化学反应机理介绍了分子物理基础研究方面的新进展,并报道了利用“限制化学反应机制”制备各种一维纳米新材料（包括氮化镓一维纳米晶体）的新进展。     

利用原子层外延方法制备的ZnS:Er3+薄膜的交流电致发光特性

采用原子层外延方法(ALE)制备了ZnS:Er3+交流电致发光(ACEL)薄膜,得到了明亮的绿色EL。发现了随Er3+离子浓度增加,对应于4F9/2→4I15/2跃迁的谱线强度增加甚至超过2H11/2→4I15/2跃迁的谱线强度。通过对EL衰减的分析,发现了绿红比随外加电压的变化关系以及EL光谱与温度的关系。在Er3+离子浓度较高时,Er3+离子之间发生明显的能量传递。提出了Er3+离子间的交叉驰豫模型并计算了交叉弛豫速率,同拟合衰减曲线得到的值相比,两者符合得较好。     

非线性光学及其若干新进展

扼要介绍了非线性光学的基本概念及其最近10年来在飞秒激光，半导体材料，光纤通信和光信息存储等若干方面的研究进展。     

角分辨光电子能谱技术及其应用进展

角分辨光电子能谱（ARPES）是研究晶体表面电子结构,如能带,费米面,以及多体相互作用的重要工具。本文概述了光电子激发的一般过程和单粒子近似下的理论模型。详细讨论了角分辨光电子能谱的能带勾画（Energy Band Mapping）和费米面成像（Fermi Surface Mapping）技术,以及高分辨下的角分辨光电子能谱在强相关体系研究中的应用。文章最后简单介绍了当前角分辨光电子能谱研究的新进展,如研究宽禁带半导体材料的表面电子结构,有机功能材料与金属的界面,金属超薄膜中的量子阱态,以及高温超导机理研究等。     

原子钟噪声中的混沌现象及其统计特性

原子钟是一个极其精密的振荡源，其内部噪声极大地限制了时间尺度的精确性.通过一种变形Duffing方程模拟原子钟内部的各种周期及混沌现象，给出了过渡混沌、阵发混沌及混沌的统计描述.根据Lyapunov指数的变化，分析了原子钟噪声中的混沌现象及其激发机制.对1994年的6月1日0时至8月20日24时的测量数据进行了分析，给出了相应混沌分量的统计特征. 关键词：     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术，SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题。     

Si1—yCy合金的固相外延生长及其特性

采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔＴ的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金,并对合金的质量及特性进行了测试分析。