12英寸硅草晶抛光片的研制

信息产业已成为现代经济的先导产业，以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础，硅片是集成电路最主要的基础功能材料，在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前世界半导体工业正开始由8英寸硅片的0．25微米技术向12英寸硅片的0．13-0．10微米技术转移，对12英寸硅片的市场需求将逐步扩大。     

重掺〈100〉硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究

重掺〈100〉硅单晶片抛光后经微分干涉显微镜观测。抛光片边缘区域存在条纹状起伏缺陷。通过分析条纹状起伏缺陷与重掺硅单品中杂质的分布状况和〈100〉品面本身腐蚀特性的关系，阐述了条纹状起伏缺陷形成的机理。通过工艺试验，对比了不同工艺条件下抛光片表面微观形貌状况，分析了抛光过程中各工艺条件对表面条纹起伏缺陷的影响，采用3步抛光工艺，得到了表面平整和一致性好的抛光片表面，抛光片边缘尤条纹起伏缺陷。     

大直径重掺硅单晶工艺研究

重掺单晶一些独有的特性,能有效解决目前集成电路面临的一些难题。对大直径重掺硅单晶生长过程中的一些工艺进行了研究,主要包括掺杂方式和拉速设定两个方面,通过实验分析,选取了适宜的掺杂方式与拉速,最终生长出外形良好,符合电阻率目标要求的单晶。     

直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究

直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高．在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。