Al(111)表面单个Al原子的操纵── W针尖与Al原子的相互作用

为了较清楚地阐明扫描隧道显微镜针尖在样品表面原子操纵中的具体作用，根据第一性原理的离散变分理论计算，采用“团簇模型”研究了在无外加电场下，W针尖与样品Al(111)表面Al原子的相互作用．结果表明：随着W针尖与样品表面接近到一定程度（针尖与样品表面的距离S≤10a.u.(0.53nm))时，由于针尖原子与样品表面原子的相互作用，使位于针尖正下方的表面Al原子在脱离表面时感受到一稳定的势阱，即在无外场的情况下，当W针尖与样品Al(111)表面接近到一定程度时，由于针尖的吸引作用，将使针尖正下方的Al原子自动离开样品表面而移向W针尖，实现Al(111)表面单个Al原子的操纵． 关键词：     

STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用

利用第一性原理的离散变分局域密度泛函方法,采用团簇模型（Si₃₄H₃₆-W₁₁)来模拟STM操纵Si(111)-7×7表面顶角吸附原子的过程．通过分析在进行原子操纵过程中体系的能量与电子云密度分布来研究针尖和外电场的作用．结果表明,当针尖与样品间距离较近时,利用两者间有较强的相互作用,能有效地降低脱出能的能垒高度．外电场对体系脱出能的影响与其大小及极性有关,当样品上所加正偏压增强时,脱出能曲线高度单调下降,而外电场极性为负时,反而稍有增高．仅考虑针尖和样品之间的静态电子相互作用及静电场的作用,尚不能使被操纵原子脱离样品表面．最后讨论了在Si(111)-7×7表面上进行原子操纵的其他机理.     

在Si（111）—（7×7）表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.     

C60分子在Si（111）-7×7表面分子束外延生长的STM研究

在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C₆₀分子在硅（111）-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞（unfaulted half unit cell）,C₆₀更易于吸附在有层错半胞（faulted half unit cell）.表面台阶处的电子悬挂键密度最高,通过控制温度和时间进行退火处理后,C₆₀分子会向着台阶的方向扩散并聚集.测量分子在不同吸附位 关键词： 60分子')" href="#">C₆₀分子 分子束外延 Si(111)-7×7 超高真空扫描隧道显微镜     

Hn^＋（n≤7）团簇）在Au—Si面垒探测器死层中的能损

利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质,研究了Ｈｎ＾＋（ｎ≤７,２５０ｋｅＶ／ｐ－４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇的其中的能损,得到能损比Ｒｎ〉１,且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。