薄带非晶态磁性材料晶化温度的测量

利用普通电学测量方法，通过不同加热率和保温温度测量了非晶态磁性材料的电阻率随温度变化情况，找到了非晶体磁性材料的晶化温度及其变化规律．     

化学沉积非晶态合金的热学分析

用ＤＴＡ法分析表明沉积法获得的非晶态Ｎｉ－Ｐ合金各特征温度的晶化激活能明显低于激冷法获得的非晶合金。在同一升温速率下，脉冲化学沉积层的初始晶化激活能和晶化起始温度Ｔｏｎ都高于化学沉积层，说明脉冲化学沉积层的热稳定性优于化学沉积层。     

Mg-Ni-Nd非晶合金晶化温度与晶化驱动力的预测

通过对Buschow提出的预测二元非晶态合金晶化温度的“最小空位”模型进行扩展,并进一步结合Miedema理论得到了一种预测三元非晶态合金晶化温度和晶化驱动力的理论方法.利用该方法计算了(Mg_70.6Ni_29.4)_1-xNd_{x(x＝5,10,15)非晶态合金的晶化温度、晶化驱动力以及晶化焓.其中晶化温度和晶化焓的理论预测值与实验值的相对误差分别小于8%和7%.同时发现较高的晶化驱动力会降低 关键词： 非晶态合金 晶化温度 晶化驱动力}     

非晶态Fe90-xCuxZr10合金的磁性和晶化特性

研究了以部分非磁性元素Cu取代Fe对非晶态(?)合金的基本磁性和晶化特性的影响,对实验所得样品中FeZr原子的平均磁矩(?)FeZr,居里温度T_c和晶化温度T_cc,随Cu元素含量x的变化特性进行了分析讨论,结果表明这些变化特性必须综合考虑几个方面因素才能得到解释。 关键词：     

成分和过渡金属对FeZr基非晶态合金晶化温度的影响

本文系统研究了Fe_100-xZr_x,(Fe_1-xZr_x)₈₄B₁₆和Fe_90-xM_xZr₁₀(M=V,Cr,Mn,Co,Ni,Si,B)非晶态合金的晶化温度与成分的关系。主要结果有:用Zr替代Fe使晶化温度明显提高;在FeMZr非晶态合金系列中,晶化温度依M=Mn,Cr,V元素的顺序和M含量x的增大而提高,而依 关键词：     

非晶态合金的晶化与纳米晶软磁材料

从非晶态合金的晶化出发，介绍了最近发展起来的新型优质软磁材料──纳米晶软磁合金．其中包含：（１）非晶态合金的晶化概念以及微晶析出对非晶态合金磁性的影响；（２）纳米晶软磁材料的发现及其具有的优良的综合磁性能；（３）分析了该合金优良磁性能的来源，介绍了目前理论上的解释．最后展望了该合金的发展趋势．     

相变记录介质GeSb2Te4薄膜的光学性质,晶体结构和晶化特性

采用高频磁控溅射制备了GeSb_2Te_4薄膜.系统地研究了真空热退火对GeSb_2Te_4薄膜光学性质和晶体结构的影响.对非晶态GeSb_2Te_4薄膜进行了热分析,给出了其结晶过程的动力学参数.     

Fe20Al80非晶态粉末的晶化特征和穆斯堡尔效应

Fe₂₀Al₈₀非晶态粉末是通过180球磨而制备的。X射线衍射和透射电子显微镜实验不但证实它的非晶性,而且给出它的平均颗粒度大小和晶化产物。穆斯堡尔谱测量确定了该非晶态粉末的顺磁性和晶化度。 关键词：     

静高压下有表面化学反应的非晶合金晶化研究

在静高压3—5GPa,510—660℃温度下,研究了在晶化过程中其表面与Al发生反应的非晶(Fe_0.99,Mo_0.01)₇₈Si₉B₁₃合金的晶化过程。发现在4GPa左右,510—660℃的温度范围内,非晶FMSB晶化为纳米α-Fe(Al)相,在其他压力下,晶化为α-Fe(Mo,Si),(Fe,Mo)₃B或Fe₂B相。利用简单固体模型对其晶化的热力学机制 关键词：     

射频溅射微晶NiOxHy膜电致变色性能及其机理研究

研究了射频溅射制备的NiOx膜的电致变色性能,发现富氧非理想化学配比的NiOx(x>1)膜具有变色活性,这种膜出现Ni3+和Ni2+的混合价态,当H+注入并占据Ni空位时,导致Ni3+的t2g能级被填满,Ni3+被阴极还原为Ni2+引起光学透明,即为漂白态;反之,H+被萃取出NiOx膜,导致Ni2+的t2g能级出现空穴,Ni2+被氧化为Ni3+引起光吸收,则为着色态.     

组份对铁基非晶合金晶化温度的影响

本文系统研究了(Fe_1-xM_x)₈₄B₁₆系非晶合金(x=0.02—0.20;M=Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Co,Ni)的晶化温度与组成的关系。晶化温度随M=VIIB,VIB,VB,IVB元素的顺序和x值的增大而提高。M=VIII族(CO,Ni)元素时,晶化温度基本相同,并随x值的增大略有降低。对于被研究的95个Fe基非晶合金,晶化温度在700—825K的约占85％,熔点Tm/晶化温度T_cr约为1/2,在0.42—0.62之间,符合Sakka规则。Fe_1-x-yB_xSi_y的T_cr>Fe_1-xB_x>Fe_1-x-yB_xP_y。对上述规律性,从组份、扩散、相图以及晶化温度与合金元素外层平均电子浓度/α的关系进行了讨论。 关键词：     

射频溅射微晶NiOxHy膜电致变色性能及其机理研究

研究了射频溅射制备的NiO_x膜的电致变色性能,发现富氧非理想化学配比的NiO _x(x>1)膜具有变色活性,这种膜出现Ni³⁺和Ni²⁺的混 合价态,当H^＋注入并占据Ni空位时,导致Ni³⁺的t_2g 能级被填满,Ni³⁺被阴极还原为Ni²⁺引起光学透明,即为漂白态; 反之,H⁺被萃取出NiO 关键词： xH_y膜')" href="#">NiO_xH_y膜 电致变色     

非晶态As-Se二元系短程结构的EXAFS研究

用12kW转靶X射线衍射装置测定了非晶半导体a-As₂Se₃,a-AsSe以及a-As_0.05,Se_0.95的k吸收EXAFS,a-As₂Se₃经T≤T_g(玻璃转变温度)的不同温度处理后,亦进行了测定。由获得的径向结构函数分析表明:尽管a-As₂Se₃的短程结构与晶态c-As₂Se₃十分相似,但经过低于T_g的退火处理后,其径向结构函数发生了一定的变化。熔态淬火制备的a-As₂Se₃块体亦发生结构弛豫。此外,在非晶态As-Se二元系中随As含量的变化,材料的近程结构亦不同。 关键词：     

机械合金化致二元过渡金属非晶态合金形成规律的探讨

运用Ｍｉｅｄｅｍａ参数和尺寸因子Ｒ分别构成Ｍｉｅｄｅｍａ参数坐标和三维化学坐标成功地研究机械合金化二元过渡金属非晶合金的形成规律。基于实验事实所确定的机械合金化二元非晶的形成条件分别是见原文，以上两判据区分机械合金化非晶态合金形成与否的准确度分别为８０％和８８％。从微观原子的相互作用以及固态反应非晶化热力学和动力学的角度分析了以上参数在描述机械合金化二元过渡族合金体系非晶形成规律的内在物理涵义以及与固态反应非晶化实现所需条件的联系。 关键词：     

实验和数值模拟超导绕组的机械特性

为了减少环氧浸渍的超导磁体的锻炼和退化效应，基于实验和数值模拟研究了在热应力的电磁力的条件下超导绕组的机械特性；研究的基本目的是决定超导复合线圈基本的材料特性，其中复合超导绕组的杨氏模量和热收缩系数是基本的参数，使用这些参数我们可以用有限元方法精确地研究超导磁体的机械特性，通过分析各种超导磁体的设计，判断好的和坏的磁体设计，从而发展新的超导磁体的设计标准，形成超导磁体的设计和建造的基本方法，本中我们将通过实验和FEA模拟研究复合绕组的基本参数和应用特性。     

ESR研究非晶Ag￣＋导体的晶化

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法对非晶Ａｇ￣＋离子导体０．８５ＡｇＩ～０．１５Ａｇ＿４Ｐ＿２Ｏ＿７的热处理晶化过程进行研究，在样品中掺入微量（约１×１０￣（－３）ｇ／ｇ）的Ｍｎ￣（２＋）或Ｖ￣（４＋）离子作为自旋探针离子，它们的ＥＳＲ谱强度随升温线性减弱，当样品完全晶化时ＥＳＲ谱消失。这样测定的样品完全晶化的温度分别为９８℃（掺Ｍｎ的）和１０８℃（掺Ｖ的）．本文还对Ｍｎ￣（２＋）和Ｖ￣（４＋）的ＥＳＲ谱进行了分析。     

射频溅射沉积硅薄膜实验

本文描述采用射频溅射法在GH39不锈钢基体上沉积硅薄膜的实验。对直接溅射沉积硅薄膜的工艺进行了实验研究,并对硅膜进行了SIMS分析。用称重法测出无定形硅膜的最大厚度可达400—500nm,为HL-1装置等离子体边界层物理实验制作了所需的无定形硅膜收集探针。