生物厚靶的He+离子透射能谱

测量了500keV—1MeV的He⁺离子穿过50—90μm厚度的玉米种皮、葡萄果皮和西红柿果皮的透射能谱．结果表明这些生物厚靶是不均匀的,存在着类似于“沟道”的开放通道,沿着这些通道入射离子可以容易地透过靶材料．虽然大多数离子停留在靶中,但一部分透射离子只损失很少的能量．透射能谱显示出一种纯粹的电子阻止特征．30μm厚度样品的透射电子显微镜图谱(TEM)显示150keV的电子可以穿过这些样品得到很清晰的图象．β-1,4葡聚糖是生物种皮或果皮细胞壁的重要的组成部分,计算了该分子链的电子     

1．053μm激光产生逃逸电子的实验观测

利用１．０５３μｍ钕玻璃激光辐照Ａｕ、Ｔｉ、Ａｇ及Ｃ＿８Ｈ＿８等材料平面靶，在不同功率密度Ｉ＿Ｌ下测量了等离子体中由于反常吸收而产生的逃逸高能电子能谱。测量是由一台可变磁场９０°焦β谱仪完成的。测量结果表明：在谱仪测量的能量范围内，热电子分布中的高能尾部在高能电子能谱中所占的比重是完全可以忽略的。我们所测的电子能谱大多数可以用麦克斯韦分布来描述，高能电子温度Ｔ＿ｈ一般为３０～７０ｋｅＶ。实验得到Ａｕ、Ｔｉ、Ｃ＿８Ｈ＿８平面靶Ｔ＿ｈ与Ｉ＿Ｌ之间的关系式。     

MeV能量离子在生物样品中的能量损失与能量离散

为了研究 MeV能量离子在生物样品中的能量损失与能量离散, 分别使用1.0, 1.8和2.8 MeV质子和4.5 MeV氦离子分别辐照不同质量厚度的洋葱内表皮膜。 当质子穿过该生物样品后, 可以利用透射能谱测量透射离子的能量损失和能量离散。 实验结果显示, 在以上的生物样品中, MeV能量离子的能量损失值和TRIM程序模拟的结果相吻合, 但是透射离子的能量离散值却与TRIM程序模拟结果有很大的不同。 结合生物样品的结构不均匀的特性, 对Bohr能量离散理论进行了修正, 并发现修正后的Bohr能量离散理论计算结果与实验值符合得很好。     

Cu等离子体X射线脉冲光源

介绍了１．０６μｍ激光加热Ｃｕ靶发射的１．２ｋｅＶ能区Ｘ射线转换效率和强度的测量方法和实验结果。结果表明，Ｃｕ等离子体是一种在１．２ｋｅＶ能区的ｘ射线强脉冲光源。     

铝靶电子温度空间分布实验诊断

电子温度是ＩＣＦ研究中最基本的物理参数，对于了解激光吸收、Ｘ光转换和协运等物理过程有着重要的物理意义。在星光Ⅱ装置（０．３５μｍ，７０Ｊ，７００ｐｓ）上，采用空辨晶体谱仪从发泡铝平面靶切向方向观测，得到了铝平面靶沿激光轴向方向发射的空间分施放线谱，理论上采用日晚模型计算，二者配合给出了铝靶电子温度分空间分布０．４ｋｅＶ～１．４ｋｅＶ。     

HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量

用新研制的五通道碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器阵列分别观测了在欧姆发热、弹丸注入及离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）条件下,ＨＬ－１Ｍ等离子体中的超热电子引起的能量在１０～１５０ｋｅＶ范围内的Ｘ射线辐射强度的时空变化,及超热电子辐射的Ｘ射线能谱。结果显示,在ＩＣＲＨ期间,等离子体边缘的Ｘ辐射增强,超热电子的温度大约为３０ｋｅＶ,ＩＣＲＨ的能量沉积在等离子体边缘。     

抗等离子体辐照的防氚渗透材料的研究

本文研究了氚在经能量为１ｋｅＶ和２８ｋｅＶＨ＋离子辐照的３１６Ｌ不锈钢中，及其ＴｉＣ和ＴｉＮ＋ＴｉＣ表面镀层材料中的扩散渗透行为。结果表明，３１６Ｌ不锈钢表面经１ｋｅＶＨ＋离子辐照后，在３５２ｏＣ下氚在其中的渗透率比在有天然氧化膜的３１６Ｌ不锈钢中的渗透率高２４７倍，但只为表面镀钯的３１６Ｌ不锈钢中的渗透率的１／１．６５。３１６Ｌ不锈钢表面镀２—５μｍＴｉＣ，并经化学热处理在ＴｉＣ中生成防氚渗透阻挡层后，在下游面用１ｋｅＶ能量的Ｈ＋离子辐照，在３５９ｏＣ下氚在镀膜中的渗透率比没受辐照的样品的低５５．７％。在３１６Ｌ不锈钢表面镀有ＴｉＮ＋ＴｉＣ的材料中，其涂层的下游面用能量为２８ｋｅＶ的Ｈ＋离子辐照后，在３２６ｏＣ下氚在其中的渗透率比没受辐照的高了２倍。     

HL—1M装置欧姆等离子体实验的初步分析

从１９９４年１０月２４日开始，对ＨＬ－１Ｍ装置进行欧姆加热等离子体的调试实验，获得了Ｉｐ＝３１０ｋＡ，ｑｎ＜２．５，ｎｃ＝３×１０＾１３ｃｍ＾－３，Ｔｃ（０）＞１ｋｅＶ，Ｔｉ（０）＞０．５ｋｅＶ和τＥ≈１０ｍｓ的平衡稳定等离子体。本文简述了ＨＬ－１Ｍ装置及其诊断等的实验结果进行了初步分析和讨论。     

碳离子的光谱和能级寿命的测定

利用束箔技术研究能量为１１０ｋｅＶ的Ｃ＋离子与厚度为８．５μｇ／ｃｍ２的碳箔相互作用激发放出的辐射光，这些光经鉴定主要来自ＣⅠ－ＣⅢ离子的激发辐射光。测量顺着箔后的激发辐射光的衰变曲线，得到几条较强谱线的能级寿命     

NiI的中性激发光谱和能级寿命的测定

文中描述了利用束箔方法研究能量为１１０ｋｅＶ的Ｎｉ＋离子与厚度为８．５μｇ／ｃｍ２的碳箔相互作用的激发光谱和能级寿命，以及实验测量结果的分析。     

HIRFL—CSR电子冷却系统

建议中的兰州重离子加速器冷却贮存环（ＨＩＲＦＬ－ＣＳＲ）拟采用电子冷却方法将重离子束冷却到３００ＭｅＶ／ｕ。最高电子能量为１６５ｋｅＶ，最大电子电流密度主０．２４４Ａ／ｃｍ＾２，叙述了ＣＳＲ电子冷却装置的初步方案。     

双显色剂协同显色光度法测定锡

在ｐＨ ５．０ 的ＮａＡｃ－ＨＡｃ缓冲溶液中, ＰＶＡ 存在时, 锡和邻苯二酚紫（ＰＶ） 与罗丹明Ｂ（ＲｈＢ） 生成离子缔合物, 其组成为Ｓｎ∶ＰＶ∶ＲｈＢ＝ １∶２∶４。缔合物最大吸收波长为５６０ ｎｍ , 表观摩尔吸光系数ε＝１．１８×１０５ Ｌ·ｍ ｏｌ－ １ ·ｃｍ － １ 。锡量在０～１５ μｇ／２５ｍ Ｌ范围内符合比耳定律。拟定方法已用于某些样品中微量锡的测定, 结果满意。     

稀土铒离子注入多孔硅的发光

稀土离子Ｅｒ注入多孔硅中．在３５０ｋｅＶ能量，１×１０（１２）～１×１０（１５）／ｃｍ２剂量范围内，注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射．退火后，在近红外区测到１．５４μｍ附近Ｅｒ（３＋）的特征发射．其发射强度比硅单晶对照样品明显增强，实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层．电化学制备过程中在表面层中带入的Ｏ、Ｃ、Ｆ等多种杂质可能是Ｅｒ（３＋）发光增强的原因．     

类铍钛离子和类铍钼离子双电子复合系数研究

研究了类铍钛离子和类铍钼离子的三类双电子复合过程,基于多组态准相对论ＨａｒｔｒｅｅＦｏｃｋ方法和扭曲波方法,计算了这些离子在电子温度０．０１～２．０ｋｅＶ范围内的双电子复合系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。     

利用超新星爆发测量电子中微子静止质量

综述了中微子静止质量ｍυｅ的测量方法与结果,侧重介绍了超新星ＳＮ８７Ａ中微子测量的结果,即得到具有能量为８ＭｅＶ和３６ＭｅＶ的中微子飞行时间差,对于Ｋａｍｉｏｋａｎｄｅ,ＩＭＢ,Ｂａｋｓｏｎ分别为１．９ｓ,６ｓ和９ｓ,由此给出电子中微子静止质量上限为１４ｅＶ「９５％置信水平（Ｃ．Ｌ．）」,并且描述了计划建造的新型太阳中微子能谱仪,该谱仪在观测太阳中微子能谱的同时,将兼测超新星中微子,提供了在ｍυｅ〈１ｅＶ范围内测量中微子静止质量的可能性。     

W^71＋离子态—态双电子复合速度系数的计算

基于Ｃｏｗａｎ相对论多组态ＨＦＲ程序，计算了高离化类锂钨离子在０．１－９ｋｅＶ能量范围内，对应于Δｎ＝０．１的态－态双电子复合速率系数。讨论了速率系数随电子温度，复合类型及中间双激发态中俘获电子的主量子数的变化。     

高离化态氖的类H、类He离子激发光谱的研究

利用束箔技术研究由重离子加速器提供的４７ＭｅＶ能量的Ｎｅ离子，穿过厚度为３９μｇ／ｃｍ２的碳箔而产生高离化态类Ｈ（ＮｅＸ）、类Ｈｅ（ＮｅⅨ）离子激发谱的情况。     

高离化态氖的类H,类He离子激光光谱的研究

利用束箔技术研究由重离子加速器提供的４７ＭｅＶ能量的Ｎｅ离子，穿过厚度为３９μｇ／ｃｍ＾２，的碳箔而产生高离化态类Ｈ（ＮｅＸ）类Ｈｅ（ＮｅⅨ）离子激发谱的情况。     

低杂波电流驱动下硬X射线轫致辐射的测量与研究

用新研制的碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器，测量来自等离子体芯部，其能量范围在１５—１５０ｋｅＶ之间的Ｘ射线轫致辐射。当用２００—３００ｋＷ、２．４５ＧＨｚ、９０ｏ相位角和Ｎ‖＝２．７的低杂波进行电流驱动时，硬Ｘ射线辐射强度在垂直于磁轴的方向上是减少的；但在磁轴切线方向上，孔栏的轫致辐射［用碘化钠（ＮａＩ）探测器测量］是增加的。Ｘ射线能谱测量表明，在低杂波电流驱动（ＬＨＣＤ）情形下，出现非麦克斯韦分布的高能尾部电子，其垂直能量最高可达１５０ｋｅＶ，尾部电子温度（垂直）在１５—３０ｋｅＶ之间。     

1.06μm激光辐照金盘靶的软X光转换

在１．０６μｍ激光辐照金盘靶实验中，利用坪响应Ｘ光二级管探测器测量了软Ｘ光能量（０．１－１．５ｋｅＶ）角分布，得到了软Ｘ光转换效率。实验条件：激光波长λＬ＝１．０６μｍ，ＥＬ＝６０－５００Ｊ，τｐｍ≈８００ｐｓ，ｆ／１．７，ＩＬ＝１０＾１＾３－１０＾１＾４Ｗ／ｃｍ＾２。实验结果表明：软Ｘ光能量角分粗略呈α＋ｂｃｏｓθ分布，软Ｘ光转换效率随激光强度的增加而降低。当靶面激光焦斑直径２３５μｍ，激光强度