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本文介绍微波材料毫米波复介电常数和损耗角正切的简易测量方法 ,重新推导有关公式 ,给出测试步骤、计算步骤 ,并给出测试实例。 相似文献
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利用DELTA-2000测试仪对电缆试样进行介质损耗角正切(tanδ)的测量试验,发现电缆试样的tanδ开始为负值,但随着测量电压的升高,tanδ逐渐增大,之后tanδ变成正值,直到试样发生表面击穿.对试验结果进行分析,得到电缆试样的tanδ值为负值的主要原因是外界电磁场对电桥的干扰和标准电容损耗较大,并提出了相应的技术处理措施. 相似文献
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王绍泽 《红外与毫米波学报》1986,5(5)
tgδ产生的热噪声是热释电探测器的主要噪声源,降低tgδ以提高热释电器件性能具有重要意义。实际测量的钽酸锂单晶损耗主要有三个来源: 1)本征损耗tgδ_1。它与材料贯穿电阻R_1及极化建立过程有关。测量频率较低时,钽酸 相似文献
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<正> 一、引言锆钛酸铅[Pb(Zr_XTi_(1-x))O_3](0.5≤X≤0.6)铁电陶瓷已成为在压电应用方面占着支配地位的陶瓷。由于它们具有很高的机电转换效率和较高的居里温度,所以被广泛地用来制造谐振器和换能器。它们最重要的实用特性之一是由于内摩擦而引起的机械损耗。为了弄清成分和适当的微量添加物与损耗之间的相互关系,人们 相似文献
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本文导出了双层复介电常数圆柱体散射场的矩阵解公式,并用所模拟的散射场定量研究了用滤波-反投影技术计算出的介质柱内部介电常数分布特性。文中给出了介质圆柱的二维径向分布曲线以及由重构图象矩阵中统计回收计算出的介电常数损耗。 相似文献
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铁电及反铁电液晶显示 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍铁电液晶及反铁电液晶显示的特点,对铁电液晶显示器中,分子排列不易均匀和容易受振动而破坏的难题,提出了解决办法,指出铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器具有很好的发展前景。 相似文献
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我们研究了反铁电液晶(R)-1-甲基庚基-4(4~-n-十二烷基氧联苯-4’碳烃氧基)-3-氟-苯甲酸盐铁电SmC相和正铁电SmCr相的介电特性。对于SmCr相,在实验的频率范围内判别出3种介质张驰。低频下具有高介质损耗的2种弛豫过程归因于锥角φ附近分子的方位变化。这些驰豫现象与温度和外加偏置电场间有函数关系。除了2个低频损耗过程外,还观察到一个额外的、强度较弱的损耗过程。 相似文献
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因为电子产品容易吸收水分,所以电子行业对介电常数、介质损耗角的关注程度一直居高不下。文章概述了在覆铜板行业中测试介电常数、介质损耗角的影响因素。 相似文献
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为了研究布氏角片状激光器能量转换效率,提高激光器系统转换效率,采用实验的方法,对影响片状激光器转换效率的主要因素进行了理论分析并进行了实验验证,取得了能量输出与激光腔内损耗关系的数据。结果表明,多片结构带来的腔内固有损耗导致了激光器总体效率低下,由布氏角构形产生的腔内动态损耗限制了激光器连续工作能力,抽运损耗也对激光器能量转换效率有一定影响。 相似文献
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简要介绍一种低成本铁电透镜相扫天线的工作原理及其基本特点。利用有限元方法对铁电介质加载波导移相器进行了分析,给出了计算结果,并通过一个四级阻抗匹配的铁电移相器设计实例讨论了铁电移相器设计中几个值得注意的问题。 相似文献
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简要介绍一种低成本铁电透镜相扫天线的工作原理及其基本特点。利用有限元方法对铁电介质加载波导移相器进行了分析,给出了计算结果,并通过一个四级阻抗匹配的铁电移相器设计实例讨论了铁电移相器设计中几个值得注意的问题。 相似文献
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介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。 相似文献
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铁电刻蚀是一种新颖的刻蚀技术,在铁电研究领域日益受到重视。对铁电刻蚀的研究现状进行了综述。首先介绍了铁电极化对铁电材料表面性能的影响,然后详细阐述了铁电畴图形化的三种方法,即微电极图形化、扫描探针图形化和电子束图形化,并分析了它们的图形化机制和特点。其中微电极方法的铁电畴图形的最小尺寸为微米量级,而扫描探针和电子束方法的铁电畴图形的最小尺寸可小于100nm。与铁电畴定位的表面反应相结合,铁电刻蚀可为纳米结构的制造提供新的途径,因此在纳米器件领域具有广泛的应用前景。未来铁电刻蚀技术发展的方向是在改进铁电刻蚀技术的同时推进其在纳米器件制造中的应用。 相似文献