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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
采用碳酸盐前躯体高温分解法合成了Sr1-xZnxY2S4∶Er^3+,Sr1-xZnxY2S4∶Eu^2+和Sr1-xZnxY2S4∶Er^3+,Eu^2+红色荧光粉。XRD图谱表明,Zn^2+掺杂量x〈0.2 mol时,粉末样品为CaFe2O4型正交晶体。Zn^2+离子在Sr1-xZnxY2S4∶Er^3+,Eu^2+中的固溶量(xmol)对荧光粉的发射强度影响很大。随着Zn^2+离子掺杂浓度的增加,Sr1-xZnxY2S4∶Er^3+,Eu^2+(SZYSEE)紫外区激发峰(200-413 nm)发生红移,并与可见光激发带(413-600 nm)形成一个连续的宽带谱,与紫外和GaN基LED芯片辐射都有良好的匹配性。当Zn^2+掺杂量为0.1 mol时,SZYSEE的发光强度达到最大,其发光强度比未掺Zn2+的增强10.7倍。Sr0.9Zn0.1Y1.76S4∶0.24Er^3+,0.006Eu^2+是一种潜在的白光LED用红色荧光粉。  相似文献   

2.
Eu2 激活的CaS: Eu[1],Eu3 激活的硫氧化物[2],Pr3 激活的Ca0.8Zn0.2TiO3[3]以及Eu2 和Mn2 掺杂的SrY2S4[4]都是重要的红色发光材料.  相似文献   

3.
Eu^2+激活的CaS:Eu^[1],Eu^3+和Sm^3+激活的硫氧化物^[2],Pr^3+激活的Ca0.8Zn0.2Ti03^[3]以及Eu^2+和Mn^2+掺杂的SrY2S4^[4]都是重要的红色发光材料。然而,这些红色荧光粉的发射峰波长都短于650nm,对于农用日光转换材料^[5],红色发射峰波长达到660nm才能与叶绿素的红区吸收相吻合。  相似文献   

4.
采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉. 发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570 nm附近, SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535 nm附近. 同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中, 过量的Ga对发光的影响, 通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中; 通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4∶Eu2+发射峰的位移, 而是增强其在400~520 nm处激发峰的强度, 从而增强Eu2+在535 nm处的发光强度.  相似文献   

5.
采用高温固相法合成了Sr5SiO4Cl6∶Eu^2+荧光粉。该荧光粉在近紫外360 nm激发下,出现了峰值位于454 nm稍不对称的发射峰,对其进行Gaussian曲线拟合,分解得到了451和470 nm两个明显的发射峰。利用Van Uitert公式讨论了晶格环境对Eu^2+发光中心能量状态的影响,得出451和470 nm发射峰为Eu^2+分别占据九配位和八配位的Sr^2+格位跃迁产生的。研究了烧结温度以及Eu^2+含量对荧光粉发光强度的影响。  相似文献   

6.
采用溶胶-凝胶法制备了Ca0.85-xSrxMoO4:Eu3+0.075,Li+0.075(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.3,0.4)系列红色荧光粉.对样品前驱体的热重分析表明:温度升高到540℃后样品质量基本上保持稳定,不再发生失重现象;此外,还对样品的结构和发光性能进行表征,实验结果表明:适量Sr2+取代部分的Ca2+不但没有改变Ca0.85MoO4:Eu3+,Li+的物相结构,而且明显提高了荧光粉Ca0.85MoO4:Eu3+,Li+的相对发光强度,其主要是由于加入少量的Sr2+使晶体发生了畸变,从而导致发光强度的增加.实验结果表明,Sr2+的最佳掺杂量为15%(原子分数).  相似文献   

7.
采用高温固相法制备了碱土金属离子(Mg2 ,Ca2 ,Ba2 )掺杂的SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 长余辉荧光粉.XRD谱分析表明,随着基质中掺人的碱土金属离子(Mg2 ,Ca2 ,Ba2 )浓度增加,基质晶格常数也随之发生变化.Mg2 ,Ca2 和Ba2 3种碱土离子在SrAl2O4中的固溶范围分别为40%,15%和30%.光谱分析则表明在固溶范围内随着掺杂Mg3 ,Ca2 和Ba2 浓度的增大,样品的发射峰值会在480~530 nm范围出现规律性移动.适当浓度的Mg2 ,Ba2 掺杂会不同程度地提高样品的发光强度,而Ca2 的掺杂则会降低发光强度.但是碱土金属离子(Mg2 ,Ca2 ,Ba2 )的掺杂并不能延长SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 荧光粉的余辉时间.  相似文献   

8.
采用溶胶-凝胶法合成KGd(WO4)2:Eu3+红色荧光粉.该荧光粉的性质通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、激发谱、发射谱以及荧光衰减曲线来表征.KGd(WO4)2:Eu3+的激发谱主要由中心大约在270nm处的宽谱峰以及一系列由Eu3+离子f-f电子能级跃迁导致的锐线峰组成,在近紫外区有一个最强的激发峰在395nm.正好与紫外InGaN发光二极管(LED)芯片发射波长匹配.在395nm激发下,可以观察到最佳掺杂量为40%(原子分数)的KGd(WO4)2:Eu3+在614nm处产生强烈的红光.发光特性表明,KGd(WO4)2:Eu3+荧光粉可能潜在成为近紫外发光二极管(LEDs)用的红色荧光粉.  相似文献   

9.
Sr5(PO4)3Cl:Eu2+蓝色荧光粉合成新方法的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
Sr5 (PO4)3Cl:Eu2+是一种重要的蓝色发射荧光材料,通常采用高温固相反应法来制备.本文利用Sr5(PO4)3(OH)与Sr5(PO4)3Cl结构相同的特点,采用沉淀法合成出羟基磷酸锶铕前体,经过氯化铵和助熔剂作用下的固相氯代反应合成出Sr5(PO4)3Cl:Eu2+荧光粉.考察了pH值与原料比例等对沉淀反应过程及产物的影响,并讨论了氯化铵作用下的氯代过程以及助熔剂对产物荧光粉形貌的作用机制.研究结果表明,本合成方法条件易控,且合成产物Sr5 (PO4)3Cl:Eu2+的物相纯度高,尺寸分布均匀,形貌规则,发光性能优良.  相似文献   

10.
Ca10(Si2O7)3Cl2:Eu2+Mn2+单-基质白光荧光粉的发光性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
用高温固相法合成了颜色可调的Ca10(Si2O7)3Cl2:Eu2+Mn2+荧光粉.研究了它的发光性质和Eu2+与Mn2+之间的能量传递.Eu2+离子在Ca10(Si2O7)3Cl2晶体中形成了峰值为426 nm和523 nm的5d→4f跃迁发光,Eu2+中心向Mn2+中心传递能量,敏化Mn2+离子4T1(4G)-6A1(6S)跃迁而产生585 nm的黄光发射.黄绿蓝3个发射带叠加在单一基质中实现了白光发射.3个发射带的激发谱范围位于250-480 nm处,Ca10(Si2O7)3Cl2:Eu2+Mn2+在紫外-近紫外波段(350~410 nm)范围内有很强的激发,是一种适合InGaN管芯激发的单一基质白光LED荧光粉.  相似文献   

11.
SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料发光性能与温度依赖研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料在100~500 K温度之间的发光性能进行研究.实验结果表明,材料的荧光及余辉强度在特定温度区间内呈线性变化,在热释峰所在温度范围具有较好的发光性能.其变化规律表明SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料内部陷阱中电子的释放包括瞬时释放和延时释放两种类型,其中电子瞬时释放进而跃迁发光是荧光的组成部分,延时释放产生的跃迁则导致余辉发光.陷阱和电子的复合与陷阱中电子释放过程均随温度升高而增强,但温度过高时会发生热猝灭.材料荧光强度与余辉强度在特定温度区间内随温度呈线性变化关系表明其可以作为一种光纤温度传感材料.  相似文献   

12.
采用水热法以聚乙二醇为分散剂合成了Er3+,Yb3+共掺的ZnWO4纳米棒.X射线衍射、透射电子显微镜分析结果表明:所得产物为直径约20 nm的ZnWO4纳米棒.在激发波长为980 nm的半导体激光器做光源激发下,确定样品的3个发射峰的发光中心位于532、553和656 nm,分别对应于铒离子2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的跃迁.  相似文献   

13.
以α-Si3N4,SrCO3,Eu2O3为原料,采用碳热还原氮化法制备了Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉.研究了材料的结构与光谱特性,分析了影响材料发光性能的工艺因素.结果表明,石墨粉含量和助熔剂的用量对Sr2Si5N8相的形成和发光性能有重要影响.当nc/nSr=1.5,助熔剂用量为4wt%时,合成样品的主晶相为正交晶系Sr2Si5N8,在400~550 nm可见光激发下,可发射峰值波长位于 609nm荧光.激发带的位置与Eu2+离子浓度无关,为400~550 nm之间的宽带激发;但发射强度随Eu2+离子浓度的增加而增加.Eu2+离子浓度达到5mol%时发射强度达最大值,在Eu2+离子浓度为2mol%~5mol%之间,观察到发射峰的红移现象.  相似文献   

14.
采用溶剂热法合成了一种单一相白色荧光粉NaY(WO4)2:Eu3+,Tb3+,Tm3+.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)及荧光光谱(PL)对制备的系列样品的物相、形貌和荧光性质进行了表征.结果表明:在荧光粉NaY(WO4)2:x%Eu3+,4%Tb3+,1%Tm3+(x=5,10,15,20)中,随着Eu3+掺入量的增加,发光从绿光区进入白光区.同时观察到Tb3+到Eu3+的有效能量传递.  相似文献   

15.
Russian Journal of Physical Chemistry A - Red phosphors YVO4:Eu3+ with high efficiency photoluminescence have been successfully synthesized using the molten salt synthesis (MSS) method, in which...  相似文献   

16.
对于稀土发光纳米晶来讲,产品颗粒尺寸与形貌不仅对发光性能有影响,而且直接影响其应用[1,2].如颗粒尺寸在1~10 μm之间且形貌接近于球形的发光微米晶在涂屏时发光效率是最高的,而具有新型微观结构与形貌的稀土发光纳米晶,如纳米线、纳米棒及具有自组装特性的花晶等纳米结构材料由于在纳米发光器件方面有着潜在的应用价值,已成为当今纳米科学的研究焦点.  相似文献   

17.
以SrCO3,Si3N4,Eu2O3为原料,在N2气氛下,采用自还原高温固相法制备了SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉.研究了该荧光粉的物相结构、发光性能和晶体形貌,同时对比在不同气氛下合成的荧光粉.结果表明,在N2气氛与N2/H2气氛下分别合成的SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉物相结构和光谱特性基本一致.显示出合成了主晶相SrSi2O2N2,但还含有少量未知的中间项.Eu2+浓度的变化不影响激发状态,而发射光谱的波长在Eu2+浓度为l mol%~20mol%之间,从530 nm的绿光红移至550 nm的黄绿光区域.同时,激发光谱覆盖的范围宽,均能有效的被UV或蓝光激发,这意味着该类荧光粉在白光LED方面有可能得到广泛的应用.  相似文献   

18.
采用均相沉淀法制备了均匀球形的Gd2O3:Eu3+@Y2O3核壳结构纳米发光材料.XRD结果表明经过800℃焙烧后样品为立方晶系的Gd2O3,并且晶体发育良好,包覆Y2O3之后Gd2O3的衍射峰位置无明显变化,但随着包覆厚度的增加,出现了立方晶系Y2O3的衍射峰.FTIR谱图观测到了Gd-O,Y-O伸缩振动吸收峰,随着包覆厚度的减少吸收峰增强,认为当包覆层的厚度适当时,颗粒表面的悬空键(断键)变少,Gd(Eu,Y)-O键增多所致.SEM表明包覆前后样品为均匀分散的球形结构.XPS分析进一步证明了表面包覆上了Y2O3.荧光光谱表明:纳米Gd2O3:Eu3+表面包覆不同厚度的基质Y2O3后,均观测到Eu3+离子的特征红光发射,当包覆厚度R=4:1时的发光强度比未包覆的Gd2O3:Eu3+增强,认为核-壳型样品降低了纳米Gd2O3:Eu3+的表面效应给发光强度带来的负面影响.  相似文献   

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