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随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电的电磁场效应,如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视.简要介绍静电放电(ESD)的产生及在集成电路工艺、器件中的防护措施,并提供了现今流行的保护电路. 相似文献
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ESD电路保护设计中的若干关键问题 总被引:2,自引:0,他引:2
兼顾ESD抑制器件的电容和布局因素的超高速数据传输线路保护电路设计师在设计实用而可靠的产品过程中面临着许多静电放电(ESD)问题。不仅如此,电子产品市场向更高数据吞吐量和信号速度发展的趋势更使这本已复杂的问题雪上加霜。ESD保护基本上分为两类:即在制造过程中的保护以及在“现实”环境中的保护。 相似文献
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一种新型互补电容耦合ESD保护电路 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路,它由互补式电容实现,结构与工艺简单。电路采用0.6μm1P2MCMOS工艺进行了验证,结果表明,ESD失效电压特性有较明显改善,可达3000V以上。 相似文献
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对CMOS电路中的ESD损伤进行了研究,建立了ESD灵敏度分类的测试,并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ESD灵敏度的影响,提出了一种NPN防ESD结构,得到了ESD失效阈值电压达2000V以上的抗ESD结构。 相似文献
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ESD是集成电路设计中最重要的可靠性问题之一。IC失效中约有40%与ESD/EOS(电学应力)失效有关。为了设计出高可靠性的IC,解决ESD问题是非常必要的。文中讲述一款芯片ESD版图设计,并且在0.35μm 1P3M 5V CMOS工艺中验证,成功通过HBM-3000V和MM-300V测试。这款芯片的端口可以被分成输入端口、输出端口、电源和地。为了达到人体放电模型(HBM)-3000V和机器放电模型(MM)-300V,首先要设计一个好的ESD保护网络。解决办法是先让ESD的电荷从端口流向电源或地,然后从电源或地流向其他端口。其次,给每种端口设计好的ESD保护电路,最后完成一张ESD保护电路版图。 相似文献
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从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路.在此基础上,构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构.该结构采用二极管正偏放电模式,以实现在较小的寄生电容情况下达到足够的ESD强度;另外,该结构在任意两个pad间均能形成ESD放电通路,同时将不同的电源域进行了隔离. 相似文献
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本文描述了ESD的基本概念,介绍了电力电子集成电路的ESD保护方法和技术。最后,指出了在版图设计中应注意的一些问题。 相似文献
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主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响.试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V. 相似文献
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介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计. 相似文献
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基于SCR的ESD器件低触发电压设计 总被引:2,自引:1,他引:2
设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。 相似文献
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近年来,随着SOI技术的快速发展,SOI集成电路的ESD保护已成为一个主要的可靠性设计问题。介绍了SOI ESD保护器件方面的最新进展,阐述了在SOI ESD保护器件设计和优化中出现的新问题,并进行了详细的讨论。 相似文献
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