半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_1-xMn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10^-3eV/kbar的速率漂移,并具有10^-5/kbar²量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10^-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。 关键词：     

半磁半导体的磁性质

半磁半导体是一类新型的半导体。本文主要阐述半磁半导体中磁的基本性质和描述方法，讨论了顺磁态的半磁半导体和反铁磁相互作用集团的形成，并介绍了顺磁-自旋玻璃的相变。     

稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究

以自由Mn²⁺离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn_1-xMn_xTe晶体中Mn²⁺离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.     

半磁半导体Zn1-xMnxS中的能量传递

本文测量了Zn1-xMnxS在不同Mn浓度(0.001x=0.062,T=80K时的Zn1-xMnxS的发射谱及其衰减曲线,得到两个衰减寿命:τ1=70μs,τ2>1000μs,这表明在高Mn浓度时存在着两个弛豫过程:一个是较快的,另一个则是较慢的,根据Goede等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Mn2-离子,那么便可以判知较快的过程是来源于Mn2-离子对.正是高Mn浓度下的Zn1-xMnxS中存在着Mn2+-Mn2+离子对,在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的IR发射.     

金属有机化学气相沉积生长Zn1-xMnxSe薄膜的发光和磁光性质

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn_1-xMn_xSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d⁵电子的自旋交换作用。     

低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌ ｆｒｅｅｚｅ 关键词：     

Hg1-xMnxTe远红外反射光谱

本文报道不同组份Hg_1-xMn_xTe材料在4.2—300K温度范围内的远红外反射光谱。观察别由Mn诱发的高频局域模以外另一个与Mn相关的禁带模,它的频率为97cm^-1。在理论上分析计算了这一新振动模行为。 关键词：     

Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９,０．２２）在室温下、２０ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明：它们分别在０．７～１．８ＧＰａ与８．６ＧＰａ左右以及在１．６ＧＰａ左右与８．３ＧＰａ左右发生了两次电子结构相变;分别在２ＧＰａ左右与８．６ＧＰａ以上以及在１．６ＧＰａ左右与８．３ＧＰａ以上发生了两次晶体结构相变。同时,还在活塞－圆筒式ｐ－Ｖ关系     

稀磁半导体Zn1-xFexO纳米颗粒的光谱研究

利用水热法制备了Zn1-xFexO(x=0,0.01,0.05,0.10和0.20)纳米稀磁半导体材料。由X射线衍射图谱的结果表明,制备的Zn1-xFexO样品为纤锌矿结构,没有金属铁等第二相出现;高分辨透射电子显微镜的结果表明,形貌为分散性良好的纳米颗粒,晶格清晰;拉曼光谱结果表明(E2High)峰位向高频移动,半高宽宽化,峰强减弱;光致发光光谱结果表明,随着Fe离子的掺入,紫外峰向低能移动,光致发光光谱发生了猝灭现象;UV-Vis光谱可看出,光学带隙减小,发生了红移现象。这些结果表明Fe3+成功替代Zn2+进入到ZnO晶格。     

半磁半导体Zn_（1－x）Mn_xS中的能量传递

本文测量了Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ在不同Ｍｎ浓度（０．００１＜ｘ＜０．５）下的发射谱和衰减曲线，并且用Ｙｏｋｏｔａ和Ｔａｎｉｍｏｔｏ模型进行了分析在对４Ｔ１衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和：（１）孤立的Ｍｎ２－离子的４Ｔ１衰减，它确定衰减曲线的尾部，有较长的衰减寿命；（２）Ｍｎ２－离子聚集体（例如Ｍｎ２－离子对）的４Ｔ１衰减，这种衰减比单个Ｍｎ２－离子的衰减更快．我们深入分析了在ｘ＝０．０６２，Ｔ＝８０Ｋ时的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ的发射谱及其衰减曲线，得到两个衰减寿命：τ１＝７０μｓ，τ２＞１０００μｓ，这表明在高Ｍｎ浓度时存在着两个弛豫过程：一个是较快的，另一个则是较慢的，根据Ｇｏｅｄｅ等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Ｍｎ２－离子，那么便可以判知较快的过程是来源于Ｍｎ２－离子对．正是高Ｍｎ浓度下的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ中存在着Ｍｎ２＋－Ｍｎ２＋离子对，在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的ＩＲ发射．     

用超声方法研究PSZT铁电陶瓷在高压下的相变

 用超声脉冲回波重合方法研究了具有垂直铁电（F），反铁电（AF）相界的PSZT三元系材料在高压下的相变。发现此种材料在较低压力下都有一级相变发生，并且是可逆相变。伴随着相变的发生，声速和声衰减都有较大的变化。本文对实验结果进行了初步的讨论。     

Raman spectra of Cd1-xMnxTe mixed crystals

Raman spectra of the mixed crystals Cd_1-xMn_xTe have been studied over the composition range 0.1 ≤ × ≤ 0.7. They show the two-mode behavior corresponding to the zone center “CdTe-like” and “MnTe-like” LO-TO modes. In addition, a first-order Raman spectrum is observed which reflects the one-phonon density of states. It is attributed to the presence of both translational and spin-disorder in these mixed crystals. We observe an intense feature of A₁ symmetry, whose peculiar lineshape suggests the occurrence of a Fano type interference between a discrete mode and an overlapping continuum of states.     

高温高压条件下富勒碳的相变

 利用工业金刚石高压合成装置研究了C60和巴基管在高温（1 450 ℃）高压（5~6 GPa）下的相变。SEM、XRD和Uv/Vis分析结果表明，试样中有大量金刚石生成和少量石墨出现，同时有极少部分C60保留了下来；所生成的金刚石晶体同时以二维台阶和螺旋台阶方式生长。     

高温高压下碳纳米管的相转变及金刚石的合成

 利用透射电子显微镜（TEM）和扫描电子显微镜（SEM）研究了碳纳米管在高压高温下的相转变。研究发现在高压高温条件下碳纳米管是不稳定的,在5.5 GPa压力下,770 ℃到950 ℃间退火时碳纳米管趋向形成碳纳米葱。在5 GPa、1 000 ℃条件下合成了金刚石。     

Pb0.8Sn0.2Te晶体高压相变的X射线衍射研究

 利用X射线粉末衍射方法，在室温高压下观察到了Pb_0.8Sn_0.2Te晶体的压致相变现象。实验是在DAC高压装置上完成的，压力从零逐步加至25.2 GPa。在常温常压下，Pb_0.8Sn_0.2Te具有fcc结构。从实验结果看到，有两个结构相变存在，分别在压力为6.1 GPa和14.9 GPa附近。我们认为，前一个结构相变与Pb_0.8Sn_0.2Te晶体的金属化有密切关系。实验分别从10.0 GPa和25.2 GPa降压至零，发现相变均是可逆的。     

高压下Sr2FeMoO6的电学性质与相变

 采用电阻和电容测量方法,在金刚石压砧装置上研究了Sr₂FeMoO₆多晶粉末在室温下和20 GPa内的电阻、电容和压力的关系。实验结果表明,样品的电阻和电容在约2.1 GPa的压力下都产生了突然的变化,发生了金属化相变。这些变化可能是由高压下Sr₂FeMoO₆的电子结构相变引起的。     

Picosecond time-resolved photoluminescence studies of exciton-magnetic polaron complexes in Cd1−xMnxSe

The evolution of magnetic polarons in Cd_1?xMn_xSe was examined using time-resolved photoluminescence spectra of excitons at cryogenic temperatures. Sample with manganese concentration x = 0.05, 0.10 and 0.20 were studied using a streak camera, with a system resolution of 80 psec. The formation of magnetic polarons was observed to have a large effect on the exciton lifetime, and to be strongly dependent on temperature and manganese concentration.     

STRUCTURE STUDY OF MODULATION-DOPED Cd1-xMnxTe: In/CdTe STRAINED LAYER MULTIPLE QUANTUM WELLS

The photomodulated reflectivity (PR) spectroscopy of modulation-doped diluted mag-netic semiconductor Cd_1-xMn_xTe: In/CdTe multiple quantum wells has been measured at 20-300K. Several spectral features associated with intersubband transitions have been found. The band structure of Cd_1-xMn_xTe: In/CdTe has been calculated by the Hartree self-consistent method. The results show that the theory is in agreement with experiments. In addition, an abnormal transition intensity ratio of 22H (the second heavy hole subband to the second electroa subband) to 11H (the first heavy hole subband to the first electron subband) caused by electron filled effect has been reported. At low temperature, a feature associated with Fermi level is observed, which has not been reported before.     

α-LiIO3的等温压缩和高温高压下的相变

用金刚石压砧高压X射线衍射技术研究了α-LilO₃在室温高压下的压缩行为,压力达23.0GP_a。观察到晶格压缩的各向异性,其c/a轴比以-6.187×10^-3/GP_a的速率减小。得到其常压下的体弹模量B₀=39.2GP_a,体弹模量对压力的一阶导数B＇₀=3.787。α-LiIO₃在高温高压下转变成四方结构,与淬火卸压所得的ε-LiIO₃结构一致。 关键词：