ICP－AES法同时测定电解金属锰中的硅、铁、硒和磷

本文研究了用ＩＣＰ－ＡＥＳ直接测定电解金属锰中的Ｓｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆｅ等元素的方法，方法简便、快速，精密度和准确度均能满足对出口电解金属锰的检验要求。     

DCP—直读光谱法测高纯氧化镧中的Ce,Pr,Nd和Sm

本文提出用ＤＣＰ－ＡＥＳ方法直接测定高纯Ｌａ２Ｏ３中的Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ和Ｓｍ。方法简单、快速。检出限分别为Ｃｅ，０．０１２μｇ／ｍｌ；Ｐｒ，０．０２１μｇ／ｍｌ；Ｎｄ，０．０２１μｇ／ｍｌ以及Ｓｍ，０．００９μｇ／ｍｌ。     

锡,锗化合物的光电子能谱和质谱研究

用光电子能谱（ＸＰＳ）和质谱（ＭＳ）分别研究了９种锗，锡的化合物Ｇｅ３ｄ，Ｓｎ３ｄ轨道电子结合能化学位移与其所处不同化学环境的关系。着重讨论了取代基团电负性对Ｇｅ３ｄ，Ｓｎ３ｄ结合能化学位移的影响。     

内标—脉冲雾化ICP—AES测定微量体液中的Ca,Mg,Fe,Zn,P,Mn,C…

采用内标－脉冲才化进样法，建立了微量何不认的ＩＣＰ－ＡＥＳ分析方法。对内标的选择，分析信号与增样量的关系和分析标准曲线等方面进行了研究，测定了微量体液样品中的Ｃａ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｐ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｐｂ，Ｓｒ等元素的含量，获得了较满意的结果。     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的…

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＨａＢＨ４溶液溶度对Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

ICP—AES法测定人体血清中的Al,Be,Cu,Mn,Mo,V

建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ同时测定人体血清中的Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｖ等六种元素的方法。在我们的设备上，检出限对Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ为１－３μｍｏｌ／Ｌ，而对Ｂｅ，Ｍｎ，Ｖ为０．１－０．３μｍｏｌ／Ｌ。这六种元素的回收率在１００±２０％之间。     

在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…

此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频     

ICP—AES法同时测定掺质钒酸钙晶体中的钙,钒,钕,镱,锗

本文采用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定了掺质Ｃａ３（ＶＯ４）２，晶体中Ｃａ，Ｖ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｇｅ的含量，选择了合适的分析谱线和积分时间，试样用硝酸溶解后直接测定，方法简便，准确，快速，合成试样中各被测元素的回收率为９８％－１０４％，相对标准偏差〈４．０％，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｇｅ的检出限为０．０００２－０．０１８μｇ／ｍＬ。     

硅基低维半导体材料

Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了们们对硅基低材料的关注，文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ，ＰＳ的结构和发光机理等方面的研究进展。     

ICP-AES法测定KDP晶体及其培养液中的微量元素

用ＩＣＰ－ＡＥＳ法测定ＫＤＰ晶体及其培养液中微量的Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｂａ，并对ＫＤＰ基体对被测元素谱线强度的影响进行考察。以Ｓｃ作内标，方法简便，可获得满意的分析结果。     

DCP－直读光谱法测高纯氧化镧中的Ce、Pr、Nd和Sm

本文提出用ＤＣＰ—ＡＥＳ方法直接测定高纯Ｌａ２Ｏ３中的Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ和Ｓｍ。方法简便、快速。检出限分别为Ｃｅ，０．０１２μｇ／ｍｌ；Ｐｒ，０．０２１μｇ／ｍｌ；Ｎｄ，０．０２１μｇ／ｍｌ以及Ｓｍ，０．００９μｇ／ｍｌ。     

连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品…

本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒，砷，锡，锑的方法。比较了浓度为２．８８ｍｏｌ／Ｌ，４．８ｍｏｌ／Ｌ和６．０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ对Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｇ和Ｇｅ谱线强度的影响，也比较了ＮａＢＨ４溶液中ＶＣ对测定Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｈｇ和Ｇｅ的影响。在４．８ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ浓度下，在１％ＮａＢＨ４溶液中加０．５％ＶＣ，ＨＹ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的检出限是：Ｓｅ ０．     

H2和CO在Pd（110）上的吸附和共吸附

应用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＬＥＥＤ和ＴＤ研究了ＣＯ和Ｈ２在Ｐｄ（１１０）上在室温下的吸附与并吸附。ＣＯ在Ｐｄ（１１０）上随暴露量增加至饱和，吸附位由β１态向β２态变化，相应的ＸＰＳＣ（１ｓ）峰由２８５．３ｅＶ向高结合能方向位移至２８５．７ｅＶ。     

Laser Induced Damage in CVD Diamond Films

ＬａｓｅｒＩｎｄｕｃｅｄＤａｍａｇｅｉｎＣＶＤＤｉａｍｏｎｄＦｉｌｍｓＱＩＵＨｏｎｇＦＡＮＺｈｅｎｇｘｉｕ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓａｎｄＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｐ．Ｏ．...     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As、Se和Ge光谱信号影响的研究

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＮａＢＨ４溶液浓度对Ａｓ、Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ、Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．     

ICP—AES法同时测定硼铁中的主要成分及杂质

本文研究了用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定硼铁中的主要成分Ｂ、Ｆｅ及杂质元素、Ａｌ、Ｍｎ，Ｓｉ的方法。采用碱熔融法分解样品，选Ｃｄ作为内标元素。     

ZnSe－CdZnSe多量子阱F－P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳

ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）近年来，半导体超晶格的光双稳器件由于...     

NO在Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，Ｈｅｌｌ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附，ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅ以下６．２，９．２，１１．１，１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ     

氦氖激光对链霉菌原生质体种间融合频率的影响

采用双亲灭活原生质体融合技术对金霉素链霉菌（Ｓｔｒｅｐｔｏｍｙｃｅｓａｕｒｅｏｆａｃｉｅｎｓ）和龟裂链霉菌（Ｓｔｒｅｐｔｏｍｙｃｅｓｒｉｍｏｕｓ）种间原生质体融合进行了研究，分别利用聚乙二醇（ＰＥＧ）、ＨｅＮｅ激光以及ＰＥＧ与ＨｅＮｅ激光混合诱导融合，结果表明：ＰＥＧ及激光的双重诱导作用，使链霉菌原生质体种间融合频率得到显著提高．通过同工酶谱分析对融合子进行了初步鉴定．