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电路采用两次数字分频方法,仅采用4个普通的十六进制计数器,使得振荡电路的频率不再有跳变步长,其稳定度也可超过所采用的晶体振荡器,电路材料要求相当低,可靠性却相当好,非常适合于高精度射频信号发生器和射频调频发射电路。 相似文献
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实现一个电源电压为5 V时捕捉范围为41~110 MHz,为3 V时捕捉范围为25~58 MHz的电荷泵锁相环(CPPLL)。给出了系统设计组成各部分的门级或者晶体管级原理图与分析设计,重点在VCO部分的参数设计以及环路滤波器的参数设计。采用0.5μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre软件仿真证明,该系统具有良好的线性特性和捕捉时域特性。 相似文献
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在飞速发展的物联网、可穿戴设备、医疗电子等小型化领域,小尺寸、低功耗是集成电路设计的重要指标。本文提出了一种低功耗、面积小、低相位抖动的锁相环电路。利用自偏置技术补偿锁相环的环路增益等参数,同时简化压控振荡器和电荷泵的电路结构,取得了面积、功耗、噪声以及环路稳定性的良好统一。该锁相环电路作为独立IP模块实现在SMIC 40nm工艺上,供电电压为2.5V/1.1V,最高输出频率至2.5GHz以上,总功耗为4.2mW,面积仅为0.02 mm2 (180um*110um)。 相似文献
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介绍了一种采用MC145152实现的数字锁相环频率合成器,其输出频率范围为1420~1920MHz,频率步进为200kHz,相位噪声小于-90dBc/Hz,杂散抑制优于60dB,输出功率P0≥10dBm。该频率合成器在TCL-376型接力机上得以成功运用,运行稳定、可靠。 相似文献
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一种锁相环中高性能电荷泵电路 总被引:1,自引:1,他引:0
设计了一种新型电荷泵电路.该电荷泵电路采用可调节共源共栅结构增大输出阻抗,具有结构简单、速度快、充放电电流匹配性好、抑制了电荷注入等特点.采用0.18μmCMOS工艺模型以及Hspice仿真工具的仿真结果显示,输出电压在0.4~1.3V之间变化时,电荷泵的充放电电流处处相等. 相似文献
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A novel voltage controlled oscillator (VCO) sub-band selection circuit to achieve fast phase locked loop (PLL) calibration is presented, which reduces the calibration time by measuring the period difference directly and accomplishing an efficient search for an optimum VCO sub-band. The sub-band selection circuit was implemented in a 0.18 μm CMOS logic process with a PLL using an 8 sub-band VCO. The measured calibration time is less than 3 μs in a VCO frequency range from 600 MHz to 2 GHz. The proposed circuit consumes 0.64 mA at most. 相似文献
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讨论锁相环的原理及应用,设计基于锁相环CD4046的锁相频率合成器和鉴频电路,对电路作了实验验证和分析。该设计电路简单实用。能较好地说明锁相环的应用设计过程及优势,利于对锁相环应用的研究。 相似文献
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基于0.35μm PDSOI工艺设计了一款输出频率范围为700M Hz-1.0GHz的锁相环电路,利用Sentaurus TCAD工具对其进行单粒子瞬变(SET )混合模拟仿真,确定其SET敏感部件并建立SET分析模型,分析了SET与锁相环系统参数之间的关系.通过增加由一个感应电阻、一对互补运算放大器和互补SET电流补偿晶体管组成的限流电路并利用多频带结构降低了VCO的增益,显著提升了锁相环的抗SET性能.仿真结果表明,CP中发生SET后VCO控制电压Vc的波动峰值、锁相环的恢复时间以及输出时钟的错误脉冲数明显降低,分别为未加固锁相环的43.9%、49.7%和29.1%,而辐射加固前后 VCO的基本结构变化不大,其SET轰击前后无明显变化. 相似文献
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在分析锁相环线性模型的基础上,分析了影响锁相环系统的各种因素,采用相应的优化方法设计了一款4.1GHz LC锁相环。详细介绍了该锁相环中各模块电路(包括Lc型压控振荡器,高速分频器,数字分频器,鉴频/鉴相器,电荷泵以及无源滤波器等)的设计,并且给出了仿真结果。其中高速分频器采用TSPC逻辑电路,速度快功耗低。该锁相环采用SMIC 0.18um CMOS工艺设计,当VCO工作在4.1GHz时,在频偏为600kHz的相位噪声为-110dBc。 相似文献
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文中描述了一种自偏置型锁相环电路,通过采用环路自适应的方法得到一个固定的阻尼系数ξ以及带宽和输入频率的比值ωN/ωREF,从而保证环路的稳定。传统锁相环电路设计需要一个固定的电荷泵充放电电流和固定的VCO增益,这样才能保持系统的稳定性。但是当工艺发展到深亚微米尤其是65 nm以下的时候,芯片的供电电压都在1 V以下且器件的二级效应趋于严重,此时要得到一个固定的电流值或者固定的VCO增益是很困难的。自偏置锁相环解决了这个问题,由于采用了自适应环路的设计方法,使得系统受工艺、温度和电压的影响非常小,而且锁定范围更大。可以广泛应用于时钟发生器以及通信系统。芯片采用SMIC标准低漏电55 nm CMOS工艺制造,测试均方抖动为3.8 ps,峰-峰值抖动25 ps。 相似文献
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本文首先分析了bang-bang 锁相环路的非线性,推导出三阶等效电路模型以估计环路设计参数。并且给出了推荐的晶体管级电路结构:其中鉴相器采用Alexander PD,由基于电流模逻辑的四个主从D触发器和两个异或门构成;异或门采用无负载结构;基于系统对抖动的指标要求,振荡器采用电感电容结构;简化的电压转电流结构代替传统的电荷泵驱动环路滤波器;环路滤波器是保证该非线性环路稳定性的关键,这里给出滤波器参数设计的详细描述。该电路采用0.18 CMOS 工艺实现,芯片面积为0.5 mm2. 其中电源电压为1.8 V,功耗 81 mW。VCO压控增益为270 MHz/V。输出频率范围为2.995 GHz 到3.35 GHz,相位噪声为-118.38 dBc/Hz @ 1 MHz。 相似文献
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设计了一款与CSMC 0.5μm CMOS工艺兼容的频率为500 MHz的辐照加固整数型锁相环电路,研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响。此外,通过修正BSIM3V3模型的参数以及施加脉冲电流源来模拟总剂量辐照效应和单粒子事件,对锁相环整体电路进行了电路模拟仿真以及版图寄生参数提取后仿真。模拟结果表明,辐照总剂量为1Mrad(Si)时锁相环电路仍能正常工作,产生270.58~451.64 MHz的时钟输出,峰峰值抖动小于100 ps,锁定时间小于4μs;同时在对单粒子事件敏感的数字电路的主要节点处施加脉冲电流源后,锁相环电路均能在短时间内产生稳定的输出。 相似文献