Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

高温超导氧化物正常态输运性质综述

高温超导氧化物正常态的输运性质有很强的各向异性和异常的温度效应。本文综述了正常态电阻率、霍尔系数和温差电势率等重要输运系数的实验结果和理论分析     

高温超导氧化物正常态输运性质综述

高温超导氧化物正常态的输运性质有很强的各向异性和异常的温度效应。本文综述了正常态电阻率、霍尔系数和温差电势率等重要输运系数的实验结果和理论分析     

高温氧化物超导材料奇特的输运性质

高温氧化物超导材料有很多不同寻常的物理性质，其最奇特的部分是正常态的输运性质．     

Sr掺杂对CaMnO_3基氧化物电子性质及热电输运性能的影响

采用密度泛函理论计算分析的方法研究了Ca位Sr掺杂的CaMnO_3基氧化物的电子性质和电性能;采用柠檬酸溶胶-凝胶法结合陶瓷烧结制备工艺制备了Ca位Sr掺杂的CaMnO_3基氧化物块体试样,分析研究了所得试样的热电传输性能.结果表明,Sr掺杂CaMnO_3氧化物仍然呈间接带隙型能带结构,带隙宽度由0.756 eV减小到0.711 eV.Sr掺杂CaMnO_3氧化物费米能级附近的载流子有效质量均得到调控,载流子浓度也有所增大.Sr比Ca具有更强的释放电子能力,其掺杂在CaMnO_3氧化物中表现为n型.Sr掺杂的CaMnO_3基氧化物材料电阻率大幅度降低,Seebeck系数绝对值较本征CaMnO_3基氧化物材料有一定程度的增大,Sr掺杂量为0.06和0.12的Ca_(1-x)Sr_xMnO_3(x=0.06,0.12)试样,其373 K的电阻率分别降低至本征CaMnO_3基氧化物材料的25%和21%,其373 K的Seebeck系数绝对值分别是本征CaMnO_3基氧化物材料的112.9%和111.1%,Sr掺杂有效提高了CaMnO_3基氧化物材料的热电性能.     

用铜和氯掺杂的CdS-CdSe双层光电导膜的性质

对掺Ｃｕ和Ｃｌ的ＣｄＳ－ＣｄＳｅ双怪光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及Ｃｕ／Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现：适当的Ｃｕ／Ｃｌ掺杂比可使暗电导降低而亮电导提高;掺杂薄膜的响应时间可达５－１０ｍｓ,而对掺杂一般为数百毫秒;随着ＣｄＳｅ浓度增加,光学吸收变大,光谱响应向长波移动 。     

电子型超导体Gd掺杂的输运性质研究

在CuO_2平面以外的阳离子格点通过改变Gd含量引入了无序.研究了Nd_(1.85-x)Gd_xCe_(0.15)CuO_4单晶的电阻率ρ、霍耳系数R_H和热电势S.霍耳系数R_H的测量证明这种名义掺杂的改变并没有明显改变载流子的密度.热电势S(T)在120 K以上可用一个掺杂的半经验模型来分析,结果表明存在电子的窄能带和宽能带的共存.无论是电子态密度的带宽和有效电导率的带宽都随着x增加,而局域化的趋势随Gd掺杂增加明显增强.Gd掺杂对超导转变温度T_C的抑制作用很显著.在二维剩余电阻率ρ02D增加超过临界值h/4e~2时没有发生超导-绝缘体转变,观察到的却是超导和局域化的共存效应.量子干涉效应不可以定性地解释Gd掺杂对于电子型超导体的超导转变温度T_c的抑制.     

碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质

石墨烯是低维材料领域研究的热点,在这一体系中研究发现了诸多新奇的量子现象,深入理解石墨烯的电输运性质对于其在未来电子学器件中的应用具有重要的意义.本文通过热分解的方法在SiC单晶衬底上获得外延的双层石墨烯,并系统研究了其电输运性质.在小磁场范围内观测到弱局域化效应,并在较大的磁场区间发现了不饱和线性磁阻.通过角度依赖的磁阻测量,发现该线性磁阻现象符合二维体系的磁输运特征.还在平行场下观测到了负磁阻效应,可能是由双层石墨烯的转角莫尔条纹导致的局部晶格起伏导致的.本文工作加深了对于外延生长的层间具有一定转角的双层石墨烯的电输运性质的认识.     

p型Na掺杂各向异性ZnO的电子性质与热电输运性质

采用密度泛函理论的第一性原理计算研究了p型Na掺杂各向异性ZnO的能带结构、光学性质、介电性质、总态密度和不同原子的分态密度,并系统分析了其热电输运性质。计算分析结果表明,p型Na掺杂ZnO为p型直接带隙半导体,其带隙增大到1.3eV,其对于光子的吸收限向低能量光子移动,体系费米能级附近的态密度大幅度提高,这主要是p态电子贡献的;在费米能级附近的导带和价带中都出现了新的能级,这些新的能级主要由Nas、Nap、Znp、Znd和Op电子形成,且他们之间存在着强耦合相互作用。Na掺杂ZnO的电输运性质具有各向异性;其价带和导带中的载流子有效质量均较大;载流子输运主要由Nas、Nap、Znp和Op电子完成。     

Nd3+离子掺杂氧化物玻璃的光谱性质

高温熔融法制备了69.5B2O3-20Li2O-(10-χ)CaO-χPbO-0.5Nd2O3(χ=1,3,5,7,mol%)和68.5Li2O-(29-φ)CaO-φAl2O3-2La2O3-0.5Nd2O3(φ=3,7,10,15,mol%)玻璃,测量了玻璃样品的吸收和发射光谱(800nm激光二极管激发),从吸收光谱出发,应用Judd-Ofelt理论获得了Nd3+光学跃起的强度参数。根据强度参数和发射光谱,计算了Nd3+离子4F3/2→4I11/2跃迁的荧光发射截面σe。结果显示,在B2O3-Li2O-CaO-PbO-Nd2O3系统中随着CaO的减少和PbO的增加,Nd3+离子的强度参数Ω2增大,表明样品的对称性降低;强度参数Ω6也增大,说明玻璃样品中Nd-O键的共价性和键强降低;同时,Nd3+离子4F3/2→4I11/2跃迁的荧光发射截面σe的大小和荧光强度都减小。在Li2O-CaO-Al2O3-La2O3-Nd2O3系统中,随着CaO的减少和Al2O3的增加,Nd3+离子的强度参数Ω2减小,说明样品的对称性增加;强度参数Ω6减小,说明玻璃样品中Nd-O键的共价性和键强增强;同时,Nd3+离子4F3/2→4I11/2跃迁的荧光发射截面的大小和荧光强度也都减小。     

双层三角晶格反铁磁体反常的c-轴电荷动力学

从t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了双层三角晶格反铁磁体的c-轴电荷动力学.与面内电荷动力学不同的是,c-轴电荷输运与材料的种类有关.双层三角晶格反铁磁体正常态的电荷动力学具有很强的各向异性.由三角晶格得到的结果与四方晶格类似,但是由于三角晶格固有的几何阻挫效应,使得二者的结果稍有差异.     

缺氧YBCO的c方向电荷动力学

我们利用激光沉积法在斜切的钛酸锶基片上制备了缺氧(110)取向的YBa2Cu3O7-δ薄膜.由于在这种薄膜中的c轴躺在基片的表面上,从而为我们研究沿c方向的某些独特的物理性质提供了便利.在这里我们报道了所测量的在不同温度及磁场下这种薄膜沿c方向的远红外偏振反射谱.结果表明在温度Tc以上,沿c方向运动的载流子浓度很低.由于载流子之间弱的相干性以及较大的热涨落,反射边得到展宽.随着超导的出现,沿着c方向运动的载流子之间的相干性得到加强,这表现为一个在100波数附近等离子体边的出现.磁场下的测量表明磁场对等离子体边的位置影响很小,这种现象与已有的理论预言不相符合,我们认为导致这种现象的原因是超导体中磁通涡旋的钉扎作用.     

超导材料的正常态下杂质锌引起的非均匀性

本文采用含有非磁性杂质的二维t-J模型来描述掺锌的高温氧化物超导材料,并利用非均匀双时格林函数理论对有限尺寸的材料进行了数值计算.在 Fermion-Spin 理论框架下,我们分别研究了非磁性杂质引起的电荷和自旋的不均匀性及对材料正常态特性的影响.我们发现:一方面非磁性杂质锌对其附近的自旋反铁磁关联有强烈的影响,能使周围的最近邻关联函数的绝对值比均匀情况增加很多;另一方面,空位子会受到其周围自旋的影响而出现相应的分布不均匀性,进而又影响自旋关联的不均匀性.并且,围绕杂质锌能够形成自旋激发和空位激发的局域态.     

UNDULATION MODES IN BILAYER MEMBRANES

Through the complete analysis of the solution for one dimensional bilayer membranes, it has been shown that under the Helfrich spontaneous curvature model, periodic shapes only exist in the case of \bar{Δp}=0. The undulation modes under force balance which correspond to positive, negative and zero tensile stresses have been given.     

介电界面系统的电-声子相互作用

本文应用体极化电荷和面极化电荷产生的宏观电势导出了极化本征矢量遵从的积分和微分方程。证明了极化本征矢量应按正文中的正交归一关系(18)归一化,并导出了双层界面系统的极化本征模的哈密顿量及其与荷电粒子相互作用哈密顿量的算符表示形式。证明了电子与P-偏振SO声子的相互作用可用电子与有效频率为ωeff,±SO的SO声子的相互作用耦合常数α±SO表征;电子与P-偏振LO声子相互作用在性质上是电子与它所在的介质的体LO声于的相互作用,但被面效应减弱了。     

聚酯的高温电晕充电和电荷在体内的输运

本文讨论常温和高温下恒压电晕充电聚酯(Mylar PETP)的电荷贮存稳定性问题。比较了聚酯的较低温位(85℃)TSD(thermally stimulated discharge)偶极峰与非极性分子聚合物材料较低温位TSD空间电荷峰对电荷稳定性影响的明显区别。通过不同高温电晕充电和常温充电后TSD过程中电荷重心的迁移,及相应温度下体电导率增长曲线的测量,研究了电导率对注入电荷平均深度的影响和脱阱电荷在该材料内的输运规律。 关键词：     

等离子体中的迁移系数

从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。     

两个量子窄区串联时的绝热输运和欧姆输运

利用Landauer公式的多通道推广形式,研究了两个不相等的量子窄区在串联情形下的绝热输运和欧姆输运。这两个窄区以一个密闭的空腔相连接,计算结果表明绝热输运导致窄区电阻的非相加性,而非绝热输运服从欧姆相加规则。这与实验定性一致。 关键词：     

DH激光器的电荷存储效应

在钟形双脉冲激励下,观察了DH激光器的电荷存储效应。用正弦正半周模型描写钟形脉冲,计算了后一个脉冲的阈值电流随脉冲间隔的变化关系。计算结果同实验结果符合得很好。     

金属银表面-分子体系中的电荷转移效应

本文从光吸收谱得到了分子吸附在银胶、银镜上所出现的电荷转移跃迁,以及KC1对电荷转移跃迁的影响,同时研究了凝聚与电荷转移之间的关系。并且对其机理进行了初步的探讨。 关键词：