量子散射跃迁矩阵元的双线性变分法

应用Schwinger变分原理,发展了计算量子散射跃迁矩阵元的双线性变分法.取最简单的试探函数得到的跃迁矩阵元的表示式相当于二级以上的Born近似,它的高能与低能极限分别包含了对Sudden近似与绝热近似的高级修正. 关键词：     

对一个跃迁矩阵元的讨论

指出在计算Landau体系的光致跃迁概率时,计算矩阵元xm,k,ym,k的积分变量应是dτ=dxdy,,而不是dτ=dxdydpy,同时还指出,应将矩阵元ym,k表示为ympy,kp0     

Penning阱中的量子跃迁

对极低温下囚禁在Ｐｅｎｎｉｎｇ阱中的单个离子在受到外部扰动时出现的不稳定现象作了量子处理。首先，求解了系统的薛定谔方程，并根据所得的波函数性质，得出了阱内的量子跃迁规则，然后，在此规则下，定量描述了离子在受到扰动后的不稳定表现。     

半导体量子点中极化子的跃迁能量

研究了半导体量子点中极化子的激发态性质。采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法,计算了量子点中极化子的振动频率、基态能量、第一激发态能量、由第一激发态向基态的跃迁能量和跃迁频率。分别讨论了电子-LO声子在强弱两种耦合情况下极化子的跃迁能量和跃迁频率。数值计算结果表明,跃迁能量ΔE和跃迁频率ω均随量子点有效受限长度l₀的增加而减少,且随电子-声子耦合强度α的增加而减少。     

有限深抛物势量子环类氢杂质能级

在有效质量近似下,用微扰法研究InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级.受限势采用有限深抛物型势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的解析解计算.数值结果显示:在抛物势平台区,类氢杂质能级不随电子径向坐标改变,并具有二维氢原子能级的特征;在有限深抛物势区,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距;简并能级发生分裂并且间距随半径增大而增大,第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.本文结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有指导意义.     

含时微扰Schrdinger方程的精确求解与量子跃迁

在有关量子跃迁的问题中,含时微扰理论给出了跃迁概率振幅的一级近似解.本文通过计算指出,若微扰只与时间有关,则体系的波函数可以精确求解,从而得到跃迁概率振幅的精确表达式.     

最弱受约束电子势模型中束缚—自由非相对论跃迁矩阵元…

研究最弱受约束电子势模型的散射态，获得了精确的按“ｋ／２π标度”，归一化的散射态波函数以及相移表达式。给出了束缚－自由非相对论跃迁矩阵元的解析计算公式。这些结果可广泛应用于处理原子的散射问题之中。     

Berry几何相与量子跃迁

针对Berry几何相的出现所关联的量子能级,微弱变化跃迁的物理背景条件进行分析研究;对严格产生(获得)Berry几何相与这种微弱变化跃迁之间的内在关系作进一步探讨.结果表明:Berry几何相的严格产生都是由系统在演变过程中所出现的量子能级微弱变化跃迁的绝热极限效应所必然导致的结果.     

电子自金属电极向Fe^3＋（H2O）6离子转移的几率

用微扰法计算了电子自金属电极向Ｆｅ３＋（Ｈ２Ｏ）６离子转移的几率，其中，利用了Ｆｅ２＋离子３ｄ态被六个配位水分子微扰后的波函数。     

能级间同时存在衰变和跃迁时的消相干特性

二能级原子在量子信息中可视为量子位.本文基于约化密度矩阵理论,利用量子纯态和混合态分析方法,针对二能级原子能级间同时存在衰变和跃迁的情况,研究原子消相干特性.     

Paul阱内的压缩效应与量子跃迁

处理一个一维Ｐａｕｌ阱系统中的压缩现象与量子跃迁现象，对于阱内的最强压缩态和共振跃迁（一种极不稳定状态）之间的关系作了阐述，并对利用压缩性质在阱内进行精密测量的可能性作了讨论     

均匀磁场中三维各向同性谐振子微扰矩阵元的普遍表达式

根据Laguerre多项式的积分公式,在考虑了哈密顿量中正比于B~2项影响的情况下,导出了均匀磁场中三维各向同性谐振子微扰矩阵元的普遍表达式,并指出n=3能级的简并度完全解除．     

含时微扰Schr(o)dinger方程的精确求解与量子跃迁

在有关量子跃迁的问题中,含时微扰理论给出了跃迁概率振幅的一级近似解．本文通过计算指出,若微扰只与时间有关,则体系的波函数可以精确求解,从而得到跃迁概率振幅的精确表达式。     

形变核E4跃迁中的转动效应

本文用1/N展开技术,推导出形变核E4跃迁约化矩阵元的解析表达式.E4跃迁强度的计算表明,在E4跃迁中考虑转动效应,将在相当程度上改进理论与实验的符合.     

锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

本文研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为。用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁。     

优化初始脉冲增强多量子跃迁及卫星跃迁魔角旋转谱灵敏度

该文提出一个能使多量子跃迁、卫星跃迁魔角旋转及其变种方法的灵敏度明显增强的方法．在通常多量子激发或卫星跃迁激发脉冲之前施加一个预备脉冲,对初始态优化从而使循环延迟时间显著减小．利用几个代表性核种(23Na,11B和87Rb)在两个不同磁场下演示了这一方法．该方法可在低至4.7 T的磁场及6 kHz的转速下在任何常规固体核磁共振实验中实现,无需附加硬件或软件．此外,尽管完整的理论解说将另行发表,文中给出具体的实验步骤,使该方法可由用户灵活订制实验,针对每个样品优化实验参数．     

氢化杂质和厚度效应对高斯势量子点中二能级体系量子跃迁的影响

在计及氢化杂质和厚度效应下,分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘型量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Lee-Low-Pines-Pekar变分法推导出量子点中电子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,以此为基础,构造了一个二能级结构,并基于二能级体系理论,讨论了电子在磁场作用下的量子跃迁.结果表明,高斯函数型限定势比抛物线型限定势更能精准反映量子点中真实的限定势;量子点的厚度对电子的跃迁概率的影响不凡;电声耦合强度、介电常数比、磁场的回旋频率、高斯函数型限定势阱的阱深和阱宽等对电子基态与第一激发态声子平均数、能量以及量子跃迁的影响显著.