1500小时室温连续工作GaInAsP/InP双异质结激光器

第一批做寿命实验的三个GaInAsP/InP双异质结二极管激光器,至今已经分别在室温下连续工作了1500,1100和700小时而无退化。它们所发射的波长是1.15μm。     

Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

液相外延制备InGaAsP/InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论

本文对InGaAsP/InP(DC-PBH)激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究,提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方(Br_2/HBr),对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺,同时探索了利用二次外延过程中Zn扩散来控制限制层(3)掺杂的新方法,在研究基础上制造了重现性好且性能良好的1.3μm激光二极管,室温时,阈值电流最低小于25mA,典型值为30mA,在60mA直流电流的驱动下,光输出功率高达12.5mW.     

In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对外延晶体质量的影响

用X-射线双晶衍射,双晶形貌术和光致发光方法综合研究了In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对LPE晶体质量的影响。实验表明,异质界面晶格失配是导致外延层中位错和缺陷增多,杂质凝聚和辐射复合深中心增多的重要因素。     

双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想

本文提出了一种双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想,分析表明:该器件的电压调制度可达100%,对应的直流到射频的转换率为64%,同时给出了器件的小信号理论分析。 关键词：     

双势垒InAs/InP纳米线异质结热电子制冷机

研究了具有不同温度和不同化学势的两个热库中电子通过一个双势垒InAs/InP纳米线异质结进行的传输.利用传输矩阵法得到了电子的传输概率,进而计算得到电子传输所产生的热流.通过数值计算给出了热电子制冷机的性能特征曲线.进一步分析了势垒宽度和势阱宽度对制冷机工作性能的影响.研究发现,当势阱宽度一定时,随着势垒宽度变大共振中心能级的位置变大,共振能级宽度变小,同一偏压对应的制冷率变小,相对制冷系数变大.当势垒宽度一定时,随着势阱宽度变大,同一偏压对应的相对制冷系数变小.当势垒和势阱宽度同时变化时,得到的曲线与势垒宽度一定势阱宽度变化时得到的曲线基本相似.这表明制冷率和相对制冷系数主要受势阱宽度变化的影响.     

GaAs/InP异质外延材料的光致发光研究

首次对MOCVD-LPE混合外延生长的GaAs/InP材料进行了光致发光测量及分析。结果显示出混合生长的GaAs发光强度明显高于MOCVD一次外延生长的GaAs的发光强度,并确认在16K温度下GaAs和InP有跃迁激子产生。观测到GaAs/InP样品近带边光致发光谱的半峰宽为8.4meV,显示了这种材料的高质量。     

四元合金GaxIn1-xAs1-ySby的禁带宽度与组分关系的计

GalnAsSb是直接带隙、窄禁带的半导体材料,其波长范围为0. 87-12μm,粗盖了2-4 m, 3-5μm和8-12μm三个重要的红外应用波段,可制作室温下工作的红外光电器件,在光纤通信、环境监测、资源勘探、空间技术及军事等方面有广泛的应用前景.     

液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象

在轻掺杂或不掺杂的GaAs/AlGaAs异质结LPE晶体中,在1.4K的温度下发现了一条新的、由于量子限制效应而出现的PL光谱线—H线。处于GaAs PL光谱的激子跃迁和最浅受主(C)跃迁之问的此H线是一条较宽(半宽～9meV)、拖有一长波方向尾的、而且其峰值能量随激发强度的增加而以对数线性方式移向激子线的高能端(移动超过8meV)的光谱线。H线与温度有密切的关系。随着温度的上升,H线移向较低能的受主跃迁边(达到2meV)而且发光强度很快下降,并在约14K处消失。阶梯蚀刻样品的PL实验证明了H线来源于GaAs/AlGaAs异质结的界面。一个异质结界面的能带不连续模型及其存在的类三角势阱的量子限制效应作用较满意地解释了H线的产生及变化的发光现象,实验表明,H线与此势阱限制的束缚载流子有密切的关系。     

富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长

本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_1-xSb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液相外延生长出了优良的AlGaSb外延层。     

低温条件下半导体材料禁带宽度的测量

介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。     

低温下Co(OH)2晶体的光谱研究

采用点电荷模型,以平均共价因子N作为拟合参量和用Bkq作为晶场参量,运用完全对角化方法对Co(OH):晶体在90K时的吸收光谱进行了理论计算,并首次对其光谱进行了识别.同时讨论了温度对能级和配体键长的影响,从而认识到能级随温度的升高而按一定比例下降的变化关系.     

用光学方法实现幺正变换及一般线性变换(Ⅱ)——用迭代法求解

如何设计由全息透镜构成的光学系统用来实现所要求的变换,是当前应用光学的一个重要课题。本文提出了一个应用计算机的迭代求解法,并讨论了它的收敛性和采用有限维近似的问题。文中还通过简单的例子,分析了具体计算中出现的问题。     

1MJ高温超导储能磁体的设计方案研究

微型超导储能系统(SMES)可用于改善电能质量和电力系统的动态稳定性,但在应用中需满足漏磁场的要求,本文主要以储能量为1MJ的超导储能磁体为例,结合多种有源屏蔽型超导储能磁体的结构特点,主要包括轴线平行、组合式环型,研究了有源屏蔽微型超导储能磁体的方案.对以上这两种类型的超导储能磁体进行了优化设计,并对优化结果进行了比较分析.     

激光诱导荧光法研究CH2Cl2分子的振动能量转移

本文中用激光诱导荧光法首次研究了有机分子CH₂Cl₂分子的振动能量转移。实验测得了CH₂Cl₂分子的ν₃和ν₃/ν₉振动模的激活和消激活速率常数,以及稀有气体分子对CH₂Cl₂分子的ν₃/ν₉振动模消激活的影响。用SSH理论计算了CH₂Cl₂-稀有气体碰撞,CH₂Cl₂分子ν₃/ν₉的V-T能量转移相对几率,分析讨论了CH₂Cl₂分子的振动能量转移的通道。 关键词：     

生长在GexSi1-x(001)衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质

采用紧束缚方法对生长在Ge_xSi_1-x(001)衬底上的应变ＧａＡｓ层的价电子能带结构和空穴的三次非线性光学极化率x⁽³⁾进行了计算结果表明，由于应变的存在，使ＧａＡｓ层的空穴有效质量和价带态密度变小，而使偏振方向在（００１）面内的三次非线性光学极化率x_xxxx⁽³⁾变大． 关键词：     

原子体系近核区电子波函数振幅(Ⅰ)——离化态原子高能光电离过程

本文具体地阐述近核区波函数和高能光电离截面的关系。根据相对论自洽场理论,计算各种离化态铁原子和铀原子的近核区波函数和光电离截面。计算结果表明:光电离截面比值函数随着光子能量的增加规则平缓变化,在光子能量约大于10¹keV以后,其和相应的近核区波函数振幅平方比的精度在千分之几的范围内。     

MBE[(GaAs)l(Ga1-λAlxAs)m]n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量

本文着重介绍了MBE[(GaAs)l(Ga1-xAlxAs)m]n/GaAs(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量方法。根据卫星峰的出现,证明超晶格的存在。基于超晶格的台阶模型和X射线衍射的运动学理论,推导出超晶格多结构参数的计算方法。并对X射线双晶给出的其他信息做了必要的讨论。     

在(100)GaAs衬底上低温液相外延晶格匹配的In1-xGaxAs1-yPy层及其特性研究

介绍一种低温液相外延技术,可在650℃在GaAs衬底上生长晶格匹配和组份可重复的In1-xGaxAs1-yPy层。给出对外延层进行场发射扫描电镜观察、电子探针、X光双晶衍射、俄歇电子谱和光荧光测量得到的结果。结果表明外延层具有平坦的异质结界面和良好的晶体特性。同时研究了异质结界面的粗糙度和组份梯度变化区域的宽度和晶格失配率的关系。     

KCl中FH(CN)-的吸收、发射光谱及e-v能量转换机理研究

以扩展离子处理方法(SLC)从理论上研究了KCl中F_H(CN)^-缺陷中心的基态和激发态的特性,理论计算值与F_H(CN)^-在KCl中的吸收、发射光谱的实验值符合得很好。计算了(CN)^-分子在KCl中的本征振动频率,解释了F_H(CN)^-的振动荧光光谱及相应的Raman谱,指出Raman振动谱中峰的劈裂应该来源于(CN)^-分子在KCl中的 关键词：