晶粒尺寸对BaTiO_3居里温度的影响

晶粒尺寸对ＢａＴｉＯ＿３居里温度的影响孟进芳，黄亚彬，张伟风（河南大学物理系开封４７５００１）ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＧｒａｉｎＳｉｚｅｏｎＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＢａＴｉＯ＿３￥ＭｅｎｇＪｉｎｆａｎｇ；ＨｕａｎｇＹａｂｉｎ；ａｎｄＺｈａｎｇＷ...     

四方相BaTiO_3:Ce及Mn离子注入的BaTiO_3:Ce的拉曼散射的研究

四方相ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ及Ｍｎ离子注入的ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼散射的研究刘玉龙朱恪张昊朱镛（中科院物理研究所北京１０００８０）赵金涛（张掖师范高等专科学校物理系甘肃张掖７３４０００）萧季驹（香港城市大学物理及材料科学系香港九龙）ＲａｍａｎＳｐｅｃ...     

四方相BaTiO_3及BaTiO_3∶Ce的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ３及ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个１Ｉ（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ－１和５１６ｃｍ－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因。通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射面对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后，两个宽峰基本减掉，而掺Ｃｅ后经同样扣除背向散射信号两宽峰却依然很强。这样便证明了它们在前向散射中的出现与杂质有关系。在ＢａＴｉＯ３扣除背向散射后的谱中，还首次观察到一个位于４９２ｃｍ－１的峰。掺Ｃｅ后晶体的吸收曲线有很大变化，本文还讨论了吸收对散射强度的影响。     

Study of the Frog-legs Phase Conjugator in BaTiO_3

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反斯托克斯拉曼光谱在BaTiO_3铁电相变研究中的应用

从理论上讨论了一阶和二阶斯托克斯与反斯托克斯拉曼散射截面的温度依赖关系;在２９３Ｋ至４０１Ｋ的温度范围内,测量了ＢａＴｉＯ３单晶斯托克斯和反斯托克斯过程的偏振拉曼光谱;通过对ＢａＴｉＯ３单晶斯托克斯和反斯托克斯拉曼光谱的综合分析,证实在Ｘ（ＺＺ）Ｙ几何配置下测量到的位于２７５和５１４ｃｍ－１处的强峰为一阶拉曼光谱。此结果支持了ＢａＴｉＯ３铁电相变机制的有序—无序模型。     

BaTiO_3粉料的湿敏性质

实验发现， ＢａＴｉＯ３ 粉料压片的电阻和电容具有湿敏特性． 粉料颗粒尺寸减小时敏感度增高， 响应时间加快．     

相方相BaTiO3及BaTiO3：Ge的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯｅ及ＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个Ａ１（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ＾－１和５１６ｃｍ＾－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因，通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射两对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射面对人入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后     

三温区溶质传输助熔剂法生长BaTiO_3晶体

ＢａＴｉＯ３晶体新的生长方法，即感应加热三温区溶质传输熔剂法。其要点使高温熔体分为三个温区，坩埚顶部为生长区（Ａ区），温度最低，坩埚底部为溶解区（Ｃ区），温度高于生长区，营养料置于此区，坩埚中部为高温区（Ｂ区），在此区将杂晶熔解。还阐述了此法的机理，调试创造了稳定适宜的三温区温场。用此法生长出了优质ＳＴｉＯ３大单晶，尺寸达３０×３０×１５ｍｍ，并初步观测了其畴结构形貌，实验测定了晶格常数和居里点。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。     

LiNbO_3和LiTaO_3拉曼光谱中的反复转馈现象

ＬｉＮｂＯ＿３和ＬｉＴａＯ＿３拉曼光谱中的反复转馈现象张昊（中国科学院物理所北京１０００８０）郝伟，廖理几（北京工业大学应用物理系北京１０００２２）Ｒｏｕｎｄ－ｔｒｉｐＦｅｅｄｔｈｒｏｕｇｈＥｆｆｅｃｔｓｉｎＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＬｉｎｂＯ＿３...     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。     

R＿（1－x）Pr＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）超导T＿c平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ＿（１－ｘ）Ｐｒ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导Ｔ＿ｃ与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ＿ｉ≤ｒ＿ｉ（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ＿ｃ平台，并且平台宽度表明一个Ｒ￣（３＋）离子尺寸效应。我们认为，Ｔ＿ｃ平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ￣（３＋）离子半径ｒ＿（ｉｃ），ｒ＿ｉ＞ｒ＿（ｉｃ）时ＲＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导电性消失     

水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究(Ⅱ)生长基元稳定能计算及晶粒的成核与生长

报道了ＢａＴｉＯ３晶粒生长基元稳定能计算的结果，并以此说明了水热条件下ＢａＴｉＯ３晶粒成核及生长过程     

邻巯基氧化吡啶双齿配位的钴化合物的￣（1）HNMR研究

对四种单核钴化合物Ｃｏ（ｍｐｏ）＿３·ＣＨ＿３ＣＮ（Ⅰ），ＣＯ（ｍｐｏ）＿２ＰＢｕ＿３（Ｄ），Ｃｏ（ｍｐｏ）＿２Ｐｙ（Ⅲ）和Ｃｏ（ｍｐｏ）＿２Ｐｙ＿２（Ⅳ）的￣１ＨＮＭＲ作了研究，讨论了它们的分子结构与磁性及电子结构之间的关系，确认化合物（Ⅱ）在ＤＭＳＯ溶液中被解离为Ｃｏ（ｍｐｏ）＿２和ＰＢｕ＿３，而其它三种化合物仍保留着固态结构。     

KH_2PO_4和（CH_3NHCH_2COOH）_3CaCl_2在高压下的状

在活塞圆筒式Ｐ～Ｖ关系测量装置上，研究了ＫＨ＿２ＰＯ＿４（ＫＤＰ）和（ＣＨ＿３ＮＨＣＨ＿２ＣＯ－ＯＨ）＿３ＣａＣＩ＿２［Ｔｒｉｓ－ｓａｒｃｏｓｉｎｅｃａｌｃｉｕｍｃｈｌｏｒｉｄｅ（ＴＳＣＣ）］在室温下、４．５ＧＰａ内的ｐ～Ｖ关系。实验结果表明：ＫＤＰ在２．１ＧＰａ左右有一个相变；ＴＳＣＣ在０．８ＧＰａ和３．２ＧＰａ左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程，以及它们的格临爱森参数γＯ、体积模量Ｂ＿ｏ和Ｂ＿ｏ的压力导数Ｂ＿ｏ。     

晶体压致非晶化的拉曼散射研究

本文主要介绍压致非晶化研究的进展，其中包括我们对β—ＢａＢ＿２Ｏ＿４，ＬｉＢ＿３Ｏ＿５，Ｐｂ＿５Ｇｅ＿３Ｏ＿１１和Ｌｉ＿２Ｇｅ＿７Ｏ＿（１５）的拉曼散射研究结果。综述了压致非晶的结构特征，压致非晶转变机制和重新晶化过程。     

掺杂分子晶体NH_（4－x）D_xNO_3相变中的分形行为──NO_3~－u_1、u_4振动模临界态拉曼峰强的研究

掺杂分子晶体ＮＨ＿（４－ｘ）Ｄ＿ｘＮＯ＿３相变中的分形行为──ＮＯ_３~－ｕ＿１、ｕ＿４振动模临界态拉曼峰强的研究马树国，吴国祯（清华大学物理系北京１０００８４）ＴｈｅＦｒａｃｔａｌＩｎｔｅｒｐｒｅｔａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＰｈａｓｅＴｒａｓｉｔｉｏｎｏｆ...     

LiNbO_3和LiTaO_3的高压拉曼光谱研究

ＬｉＮｂＯ＿３和ＬｉＴａＯ＿３的高压拉曼光谱研究李玉栋，林远坤，徐勇卫，蓝国祥（南开大学物理系天津３０００７１）Ｈｉｇｈ－ＰｒｅｓｓｕｒｅＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＬｉＮｂＯ＿３ａｎｄＬｉＴａＯ＿３Ｃｒｙｓｔａｌ￥ＹｕｄｏｎｇＬｉ；ＹｕａｎｋｕｎＬｉｎ...     

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用

对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础