用霍耳元件测量磁场实验的探讨

就当前实验教学中利用霍耳元件测量磁场的实验中存在的问题，提出一种简便可行的方法，即利用载流长直螺线管中心位置的匀强磁场测定霍耳元件的灵敏度，再利用此霍耳元件测定螺线管内中心轴线上磁感应强度的大小分布，解决了实验中霍耳元件灵敏度难以测量的问题     

用线性霍耳集成电路测量螺线管中磁场分布

本文介绍了一种霍耳集成传感器的特性及测磁场方法 ,并给出了测量长直螺线管内磁场的实验结果     

硅霍耳元件和特斯拉计

霍耳效应是美国物理学家霍耳于1879年在金属中发现的.1948年以后,半导体的霍耳效应得到了广泛重视,制成了各种霍耳元件.首先出现的是锗霍耳元件,1955年出现了硅霍耳元件.近二十年来,随着化合物半导体材料(如InAs,InAsP,GaAs等)的出现,用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视(如西德西门子公司的FA,FC和SV系列,美国贝尔公司的BH系列).其中有的元件可用作0.2级甚至0.1级特斯拉计的测磁探头.而硅霍耳元件则相形见拙,在进口产品中,我们只见过配用在2.5级特斯拉计(日本横河电机3251样机)上的硅霍耳测磁探头…     

用线性霍耳集成电路测量螺线管中磁场分布

本介绍了一种霍耳集成传感器的特性及测磁场方法,并给出了测量长直螺线管内磁场的实验结果。     

霍耳集成电路在测量磁场中的应用

霍耳集成电路在测量磁场中的应用杜义林（华东冶金学院安徽马鞍山市２４３００２）物理实验中的的磁场测量，常用的方法是采用装有霍耳片的探头．为了减小测试中存在着的热磁效应（主要是四个副效应）所带来的测量误差，测试操作过程比较繁杂．特别是在较宽时间里的多点测...     

霍耳效应与霍耳元件

霍耳元件是直接利用霍耳效应制成的器件，具有尺寸小、外围电路简单、频响宽、动态特性好、使用寿命长等特点，因此广泛应用于测量、自动控制及信息处理等领域、本文利用物理学理论．分析、介绍霍耳效应原理、霍耳元件及其典型应用，使物理学理论与技术有机结合． 一、霍耳效应 将静止的载流导体（多为半导体）置入磁场中，当导体的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势（电压），这种现象称霍耳效应． 为便于阐述，用ＵＨ表示霍耳电压，ｎ表示（半）导体的载流子（电子、空穴）密度，ｑ表…     

单片机在"利用霍尔效应测磁场"实验中的应用

介绍了霍尔元件测磁场实验中的一种软件温度补偿方法,它利用单片机的强大软件功能,原理简单,成本低,精度高,取得了理想的测量和控制效果．     

克里青（Klitzing，Klaus Von，1943-）德国物理学家（Physicist，Germany）

霍耳效应是一种电磁效应。将通有电流的导体或半导体置于与电流方向垂直的磁场中，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一横向电场。从霍耳系数的正负和大小可以判断载流子的类型和浓度。霍耳系数与载流子的浓度成反比，半导体的霍耳系数比金属大得多。1980年，克里青发现了量子霍耳效应。他在研究处于超强磁场和超低温度之下硅的金属一氧化物-半导体场效应管的霍耳效应时，观测到霍耳电阻随外加磁场的变化曲线上出现多个平台，其电阻值与半导体材料的种类、器件制造和结构无关，而是取普适值，通过基本物理常量表示为h／ie^2.     

无偏光元件横向磁场调制塞曼原子吸收光谱分析法研究

本文报导作者提出的一种新的塞曼原子吸收光谱法，即无偏光元件模向磁场调制ＺＡＡＳ法，由研究ＺＡＡＳ仪器中偏光元件的作用机理入手，分析讨论了谱线塞曼分裂中π成分之作用，提出用数学模型方法补偿偏光元件作用的构想，和理论计算研究，系统地用实验考证和修正补偿模型工作。系统地做了２０个常见元素的补偿模型研究和分析性能测试，并做了初步的分析应用。     

样品和磁光膜及扫描霍耳探针间隙对磁通分布图像的影响

我们首次计算了正方形样品和传感器间隙的影响在磁光图像实验中的大部分区域可以忽略，但在扫描霍耳探针实验中不可忽略．完全穿透磁场也不可能在扫描霍耳探针实验中观测到     

利用霍耳效应测量电磁场功率的简便方法

根据霍耳电磁效应原理而工作的半导体器件,确有很多的特点。如利用霍耳半导体器件制成的传感器可以测量电磁场功率,又能工作在低频、声频和微波频段。一、测量原理如图1所示,将一块半导体放置在垂直于它的磁场中,在半导体的A、A′两侧产生的霍耳电位差U_x,在磁场不太强时,与     

霍尔电压的简化测法

一、引言用霍尔元件测量磁场这一实验,现在教学中一般的测法是:对同一场点,利用磁场方向与元件工作电流方向的四种不同的组合,测取四个电压值,再由此四值算出霍尔电压,此法测量次数较多,计算量大。本文提出的简化测法是:只需测量磁场与电流的     

二维Bloch电子在电场与磁场中的准经典输运行为

分别从周期场中电子准经典运动方程和作者之一最近提出的输运平衡方程出发，分析了二维Bloch电子在电场和磁场作用下的准经典输运，给出了不同电场下电子纵向漂移速度v_x和霍耳漂移速度v_y随磁场的变化趋势.结果显示，v_x和v_y均随磁场连续变化，在任何给定电场下都没有发现纵向漂移速度或霍耳漂移速度随磁感应强度发生突变.这一结论与其他作者的预言相左.分析了造成分歧的可能原因，并指出：在电子准经典运动方程中直接引入阻尼力来描述准经典 关键词：     

电光与磁光效应的互补特性及其传感应用

研究了兼有电光效应和磁光效应的晶体内电光与磁光效应的互补特性及其传感应用. 在光强度调制条件下, 晶体中偏振光波的电光调制与磁光调制具有互相补偿的效果, 从而能够使输出光强度保持为一个固定值. 基于这种互补特性, 提出了一种利用单块闪烁锗酸铋(Bi₄Ge₃O₁₂, BGO)晶体的电光补偿型光学电流(磁场)传感器, 其光学传感单元由两个偏振器和一块平行四边形BGO晶体组成. 该晶体自身能够产生π/2的光学相位偏置, 同时兼用作电流传感和电光补偿元件, 通过控制BGO晶体的外加电压, 能够实时补偿被测电流(磁场)变化引起的磁光旋转角和输出光强度的变化, 从而实现电流(磁场)的闭环光学测量. 实验测量了5.0 A范围内的工频交流电流, 所需要的电光补偿电压约为21.2 V/A, 补偿电压与被测电流之间具有良好的线性关系, 其非线性误差低于1.7%.     

利用霍尔元件测永磁材料的静态特征

利用霍尔元件测永磁材料的静态特征石环英，石琳（长沙铁道学院４１００７５）（湖南大学）在大学物理实验中有一利用霍尔效应测永磁材料磁场的实验，测量Ｃ型电磁铁空隙中的磁感应强度．本人以此实验为基础，设计了一种利用霍尔元件测永磁材料静态磁特性的设备．一、实验...     

霍耳效应与磁流体发电

 1879年,霍耳(E.H.Hall)发现,将一导电板放在垂直于板面的磁场中(见图1),当有电流通过时,在导电板的A和A′两侧会产生一个电势差UAA',这种现象称为霍耳效应。实验表明,霍耳电压UAA'与电流强度I和磁感应强度B成正比,而与导电板的厚度d成反比,即UAA'=KIdB式中比例系数K称为霍耳系数。霍耳效应是因外加磁场使漂移运动的电子或别的载流子发生横向偏转而形成的,运动电荷在磁场中所受的力称为洛伦兹力。磁流体发电是利用热离子气体(或液态金属)等导电流体与磁场相互作用,把热能直接转换成为电能的发电方式,它所依据的就是等离子体的霍耳效应。     

在磁场中载流导线受力的起因

本文主要目的是从电子运动和霍耳电场概念出发，来阐明导线在外磁场中受的安培力ｄＦ＝Ｉ（ｄｌ×Ｂ）的起因，以及传递过程．     

霍尔式传感器的不等位电势补偿探讨

不等位电势是霍尔式传感器产生零位误差的主要因素.在霍尔式传感器的直流激励特性实验中霍尔元件处于梯度磁场中,但是磁场强度未知,因此无法确定磁场强度为零的位置.当采用交流激励时,通过调节霍尔元件在磁场中的位置,使输出的最小电势便是不等位电势,此时便可通过补偿桥路进行补偿.     

对称测量法在霍尔元件测磁场中的应用

在用霍尔元件测磁场时，一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响，当出现某会加电压大于霍尔电压这种特殊情况时，该测量方法更为必要。     

用砷化稼霍尔元件测量低温磁场

本文介绍了砷化镓霍尔元件在4.2K下的实验结果.它在超导磁场下有较高灵敏度、重复性、低线性误差,所以可以用于测量高磁场和作为低温高斯计的探头.