一种测试功率MOSFET热阻的新方法

阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。     

一种测试功率MOSFET热阻的新方法

阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。     

一种高精度功率MOSFET参数测试系统

功率MOSFET的参数如寄生电容,转移特性,输出特性,门限电压等对功率MOSFET的应用及其仿真建模具有重要的影响。本文从工程角度设计了一套功率MOSFET参数测试系统,通过器件Datasheet,供应商实测结果与本测试系统实测结果的对比,证明了本系统测试精度高,十分便于工程领域的应用。通过原有参数和本测试参数所建模型与实测结果的对比,证明本系统对MOSFET的准确建模具有重要意义。     

万用表测试MOSFET

本文从绝缘门栅型场效应晶体管的结构,工作机理方面分析了用普通万用表测试其外部特性的途径,并提出了一种简单实用的测试方法,为一般电子设备维修人员提供了一项有用的经验。     

激光玻璃生产中一种较好的浇注技术

美帝欧文斯-伊利诺斯激光实验室的研究人员已经研制成一种激光玻璃,这种玻璃具有高增益、低散射、抗曝晒和高破坏阈值等特点。     

一种功率MOSFET驱动电路

提出了一种功率MOSFET驱动电路。首先介绍了MOSFET的驱动要求及驱动不足产生的影响,然后介绍了一种外置式转换驱动电压的驱动电路,最后通过仿真验证了外置式转换驱动电压的驱动电路。     

一种新型MOSFET静电场传感器

本文提出了一种非常有发展前途的低温漂固态电场传感器。此传感器是一种恒压惠斯顿电桥,它的电阻是由四个直接栅极SOI MOSFET器件。理论上证明这种传感器的输出信号电压与测量电场成正比,温度漂移等于零。实验结果表明,在300K温度下,传感器的分辨率为3.27 mV/KV/m,大气环境下的温度漂移相当于47V/m的电场,其远小于大气温度下相当于10,000V/m的电流漂移。     

一种较好的制作电视信号插头线方法

连接用户盒和电视机的电视信号插头线所发生的故障,少数是电缆外导体编织网与电缆铜芯线相碰短路,绝大部分是插头外壳与电缆外导体(编织网)脱焊或接触不良,造成电视信号衰减,尤其对低端各频道影响最大,常常出现雪花点和各种干扰,如果附近300 m内有高频塑料热合机,电视机必然受到严重干扰.对这种情况通常可用两种方法解决,第一是更换插头线,第二是维修人员现场重做插头.     

一种较好的光站防雷措施

本文分析了GZ-C光纤工作站机箱的多级防雷措施及优缺点。     

一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较.     

一种应用MOSFET的微功耗电路

本文介绍一种应用ＭＯＳＦＥＴ作为开关的本安电源微功耗电路，分析了其工作原理，提供了实验结果。     

一种改进的深亚微米MOSFET噪声模型

提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13 μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数。利用ADS建立噪声模型,在2～20 GHz频率范围内,仿真结果与测量结果吻合良好,验证了模型的准确性。     

一种新的高阶连续的MOSFET模型

MOSFET模型一般使用不同的公式来描述不同的工作区，这使得在各工作区之间的过渡点上，模型的连续性受到限制．本文提出了一种简单有效的方法将各工作区用统一的公式来描述、它保持了原分区描述模型的精度，同时极大地改善了模型的连续性     

一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。     

一种应用MOSFET的微功耗电路

本文介绍一种应用ＭＯＳＦＥＴ作为开关的本安电源微功耗电路,分析了其工作原理,提供了实验结果。     

嵌入式终端设备的一种自动化测试技术

本文主要探讨一类嵌入式终端设备的自动化测试技术。鉴于嵌入式软件依赖硬件运行的特殊性,本文提出一种自动化测试的模型——U模型,本模型提供了嵌入式系统自动控制和自动测试的一种解决方案。     

一种电荷平衡结构的沟槽MOSFET的优化设计

为了降低传统沟槽MOSFET的导通电阻和栅漏电容,科研人员提出一种具有电荷平衡结构的SG-RSO MOSFET。在此基础上,利用电荷平衡理论计算出SG-RSO MOSFET结构的主要参数,并借助TCAD仿真软件对外延层厚度及其掺杂浓度、场板氧化层厚度和沟槽深度等主要参数进行合理优化设计。最终,仿真得到击穿电压为92.6 V、特征导通电阻为19.01 mΩ·mm²、特征栅漏电容为1.45 nF·cm-2的SG-RSO MOSFET。该器件性能优于传统沟槽MOSFET。     

一种新型全耗尽双栅MOSFET

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.     

一种新型低压功率MOSFET结构分析

介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构--Trench MOSFET.将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点.     

一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计

为减弱栅极电压过冲振荡,避免功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生的电磁干扰,提出了一种新型功率管驱动电路。该电路通过逻辑信号的分段控制,使得被驱动功率管缓慢开启和关断,研究了传统功率驱动电路的模型与工作过程,分析了功率管导通损耗的来源,提出驱动电路的要求,详细阐述了所设计的驱动电路的工作原理与工作过程,整个驱动电路采用0.18μｍ工艺在平台Cadence Spectre仿真并通过PCB板测量实现。理论与仿真结果表明,该设计可以有效达到减弱功率管过冲与振荡的要求,保证系统的稳定。