系列脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了系列脉冲偏场作用下外延石榴石薄膜的硬磁泡(包括哑铃畴)的形成规律。发现系列脉冲对畴段的作用不是单次脉冲作用(软畴段硬化的物理过程)的简单迭加,而有其特有的规律性,存在着硬畴段进一步硬化及硬畴段软化的另两个物理过程。运用上述三个物理过程对实验结果作了解释。 关键词：     

一次脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了一次脉冲偏场作用下外延石榴石膜硬磁泡的形成规律。通过实验和计算,证明了硬泡畴壁中同号的VBL一般地说并非一个脉冲产生一对。通过双重曝光照相法揭示出软畴段的硬化与畴段运动形式的关系,发现了最适于硬泡形成的两种运动形式,并阐明了“软硬磁泡形成的分界场”H_[b]的物理意义。 关键词：     

脉冲偏场作用下硬磁泡的形成

对低频脉冲偏场产生磁泡的过程中硬磁泡的形成条件进行了实验研究。发现硬磁泡的百分比p随着脉冲偏场强度的增加而迅速减小,同时发现存在一临界脉冲偏场强度H_po,当H_p≥H_po时,所产生的磁泡都是软磁泡。 关键词：     

脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成

实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明：由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用. 关键词： 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线     

面内磁场对硬磁泡形成的影响

实验研究了面内磁场对一次脉冲偏磁场作用下外延石榴石薄膜中硬磁泡形成的影响,发现存在一个使硬磁泡不再形成的临界面内磁场H_in⁰,它与材料参量有关,通过实验,运用面内磁场对条状畴的作用和枝状畴的形成,定性解释了软硬磁泡形成的分界场H_[b]随面内磁场增大、快降以及缓降这三个物理过程。 关键词：     

温度对普通硬磁泡的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中硬磁泡及其相应硬条畴的影响。发现了一个与材料参量有关的临界温度T₀当试验温度T0时,硬条畴畴壁中的VBL链在升降温后不变;而当T>T₀时,VBL链消失,所有硬磁泡都软化为正常磁泡。当畴壁中的VBL处于压缩态时,较硬的硬磁泡在较低的温度下软化。软化时,VBL消失的方式是整个VBL链的解体。 关键词：     

高温超导圆柱在不同脉冲宽度磁场作用下的温度和磁场分析

多脉冲分段冷却磁化技术是获得强俘获磁场的一种有效方法,近年来受到广泛关注,脉冲磁场的幅值和宽度是影响该方法的两个重要因素。文中通过求解基本的超导电磁场和温度场耦合方程,研究了两种不同脉冲宽度情形下脉冲磁化过程中超导体磁场和温度场的变化。结果表明,宽脉冲作用下超导体在磁化过程中温度较低,分布均匀,而且有更多磁通进入超导体。     

微型计算机在脉冲磁场作用下的效应试验

介绍了脉冲强磁场模拟器的工作原理, 将微型计算机置于脉冲磁场模拟器中,通过改变脉冲磁场的幅度和上升时间,研究脉冲磁场对微电子设备的干扰途径、干扰阈值与脉冲上升时间、脉冲宽度的关系。试验结果表明,微电子设备的连接电缆是脉冲磁场干扰引入的主要途径;简单的屏蔽措施对于脉冲磁场干扰有一定的抑制作用;脉冲磁场的时间变化率越大,对微电子设备的干扰作用越强。     

微型计算机在脉冲磁场作用下的效应试验

 介绍了脉冲强磁场模拟器的工作原理, 将微型计算机置于脉冲磁场模拟器中，通过改变脉冲磁场的幅度和上升时间，研究脉冲磁场对微电子设备的干扰途径、干扰阈值与脉冲上升时间、脉冲宽度的关系。试验结果表明，微电子设备的连接电缆是脉冲磁场干扰引入的主要途径；简单的屏蔽措施对于脉冲磁场干扰有一定的抑制作用；脉冲磁场的时间变化率越大，对微电子设备的干扰作用越强。     

石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .     

在横向磁场中真空电弧后退速度和阴极温度的关系

本文用光学方法测定了在横向磁场中真空电弧后退运动的速度和阴极温度的关系。实验发现,随着阴极温度的增加,电弧的后退速度下降。实验测得的后退速度的温度关系可用真空电弧后退运动的正离子喷流模型加以解释。 关键词：     

三类硬磁畴的形成及静态特性

本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。 关键词：     

铁磁/反铁磁双层膜系统中的交换偏置及矫顽场的温度特性

提出了一个讨论铁磁／反铁磁双层膜中的交换偏置及矫顽场温度特性的物理模型，该模型，假设铁磁层为具有单畴各向异性的单畴膜而反铁磁层由许多相互独立具有多晶各向异性的颗粒组成，其温度依赖性主要来源于系统态的热不稳定，包括反铁磁颗粒易轴取向的热涨落和相关磁学量的温度依赖性等。计算结果表明其交换偏置随温度的增加非线性地减少而其矫顽场在体阻截温度处达极大值，且其体阻截温度随反铁磁颗粒粒径的增加而增加。我们的计算结果和相关实验结果一致，通过本的讨论，我们建议通过铁磁膜耦合上大粒径硬反铁磁颗粒膜可获得高交换偏置、低矫顽场且近独立于温度的相关磁学器件。     

量子阱中极化子的自能与电磁场和温度的关系

采用Ｌａｒｓｅｎ谐振子算符代数运算与变分微扰相结合的方法，研究处于电磁场中量子阱内电子一体纵光学声子耦合诉性质的曙依赖性，得到了有限温度下系统的自能。     

非晶半导体光致发光的温度依赖关系

研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。     

多孔硅发光峰温度行为的研究

实验研究了多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于７４０ｎｍ附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。