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功率晶体管制造工艺的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
本文提出了一种新的大功率晶体管制造工艺,这一工艺与传统工艺比较,特点是简单、没有黑胶污染、高效率和低成本.由这一工艺得到的产品比传统工艺得到的产品性能好. 相似文献
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根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。 相似文献
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研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。 相似文献
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引言 在晶体管功率放大器的维修或实验中,受器材等因素的制约,常采用晶体管(型号相同,参数相近。下同)并联运用的方式,以代换某个大功率管。但并不是简单地将若干个晶体管并接,就可以稳定地工作。本文仅对功率晶体管并联运用中应考虑的几个问题作一探讨。 相似文献
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研究了采用微分变压器实现理想的隔离耦合，探测集电极电压实施运行监控与脉宽限流式保护；采用“贝克箝位“的原理实现临界饱和状态工作，探测输出电流的变化率，预报大电流的出现，实现无延迟的速断保护与短路运行，同时给出了ＧＴＲ理想的基极驱动电流的一种自适应的基极驱动的原理电路。 相似文献
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日光灯节能电子镇流器以其显著的节能效果,低压起辉,无频闪等一系列优点获得广泛的使用。近年来,国内不少厂家纷纷上马,掀起一股“电子镇流器”热。但是,也发现不少问题,其中可靠性不高是最头痛的问题。又据统计,损坏得最多的是开关功率晶体管,占75％以上。 目前国内生产的电子镇流器,一般如图一所示,图中BG1,BG2一般选用双极型三极管,如TIP50,MJE13005,BUTll。下面,我们就三极管损坏的几个原因进行讨论。 相似文献
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施德昌 《江苏大学学报(自然科学版)》1988,(3)
本文就功率晶体管(Power Transistor简称PT)斩波器用于串激直流电动机调速,对其基本原理、电路结构、主电路波形作了理论分析和试验研究,说明将PT用于斩波器调速领域是可行的。并对用于调速技术的PT器件的耐压极限得到可靠的结论,可供设计斩波调速时参考。 相似文献
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本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施 相似文献
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本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。 相似文献
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攀西地区金属成矿系统 总被引：4，自引：0，他引：4
在简要分析了攀西地区基底演化、裂谷叠加、峨眉火成岩省、喜马拉雅期构造-岩浆-流体活动等重大地质事件及其成矿作用的基础上,将该区金属成矿划分为5个成矿系统,14个成矿亚系统,即:元古宇与火山-沉积-变质作用有关的铁铜成矿系统;晋宁-澄江期岩浆-热液成矿系统;新元古-早古生代沉积-改造型铅锌多金属成矿系统;峨眉火成岩省成矿系统;喜马拉雅期构造-岩浆-流体活动成矿系统。并论述了主要成矿系统的组成、结构及成矿规律。 相似文献
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本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护 相似文献
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概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施. 相似文献
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董子舟 《河北科技大学学报》1993,(2)
用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。 相似文献
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多晶硅薄膜晶体管特性的研究商陆民，汤金榜（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）周然，杨辉勋（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（胜利油田，山东省东营市２５７０６１）用于大屏幕显示的液晶的驱动方式，可以分... 相似文献
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为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。 相似文献
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本文以ＦＨ３２３型高频大功率达林顿晶体管为例，讨论Ｒ１、Ｒ２的作用与选择，提出Ｒ１、Ｒ２的最佳设计方法，从而提高了单片式两级高频功率达林顿晶体管ｈＦＥ、ＩＣＥＯ的温度稳定性。 相似文献