CuO/ZnO量子点异质结及同轴纳米线异质结构的研制

采用离子束溅射技术和热氧化工艺,对预先制备的ZnO纳米线表面进行纳米CuO修饰,研究了不同溅射工艺条件下对形成的CuO/ZnO纳米线异质结构的影响,通过控制溅射参数成功地合成出不同CuO量子点尺寸和分布密度的CuO/ZnO量子点异质结和CuO为壳层的CuO/ZnO同轴纳米线异质结构.将X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）用于研究样品的结构和形貌.实验结果表明,溅射在ZnO纳米线表面的Cu膜的厚度对形成的CuO/ZnO异质结构起着重要的作用.在Cu膜适度较薄时,获得了直径仅5 nm、分布较均匀的高密度（2.05×1010mm-2）CuO/ZnO量子点异质结;而Cu膜较厚时,形成的是CuO/ZnO同轴纳米线异质结构.利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）进一步对量子点异质结和同轴纳米线异质结的界面晶体结构进行了研究.     

二维As-SnS2垂直堆叠异质结的电子结构及光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了二维As-SnS2垂直堆叠异质结的几何结构、电子结构和光学性质.研究发现,AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结分别为间接带隙(0.361 eV)和直接带隙(0.323 eV)的半导体,均具有Ⅱ型能带排列的特点,利于分离光生电子-空穴对,提高光能量的利用;施加张、压应变均能有效减小...     

势能的分析模型计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异质结中的电子能极(英文)

本文提出一个用于计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异顺结中准二维电于气体的能级的势能分析模型,该模型的计算结果与自洽计算结果相符合,并且电子的波函数以及电子的势能可以用简单的解析式表示出来,应用该模型计算电子能级是一种简便可行的方法。     

不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究

在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性.且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究.     

BaTiO3薄膜的Sol—gel法制备及对其介电特性的研究

以钛酸甲丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法在（１００）低阻硅片上制备了ＢａＴｉＯ３薄膜电容,用ＸＲＤ分析了该薄膜的结构,发现薄膜在硅片上取向生长,同时又对薄膜的介电性质进行研究,结果表明,薄膜的介电特性在高频范围内随频率的变化比较稳定,并讨论了晶化温度对薄电容的影响。