电子俘获得光存储材料的研究进展

电子俘获存储技术是一种新型的存储技术，有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制，实现大密度稳定可重复擦写存储，文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制，以及各种材料的存储特性，并探讨了存在的问题。     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料，它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射，被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致，即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多，研究进展各不相同。其中，以作为X光影像存储材料的BaFBr：Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展，尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

电子俘获光存储技术

随着计算机和信息产业的发展，越来越多的信息内容以数字化的形式存在、传输和保存。因此对大容量信息存储技术的研究就逐渐升温。激光技术的不断成熟，尤其是半导体激光器的成熟应用，使得光存储从最初的微缩照相发展成为快捷、方便、容量巨大的存储技术，各种光ＲＯＭ纷纷亮像，到最近的ＤＶＤ—ＲＯＭ发布之时，双面５．２５英寸大小已经可以存储１０Ｇ比特的数据。 与磁介质存储相比光存储技术寿命长，非接触式读／写，信息的载噪比（ＣＮＲ）高，信息位的价格低，但是不足也是明显的：光盘机价格较贵，传输速率低，重复擦写技术尚不成…     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

电子俘获材料KCl:Eu2+的光存储特性研究

采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 的光存储的机制。     

电子俘获材料的浓度猝灭

利用稀土直接掺杂工艺对电子俘获材料 Ｃａ Ｓ： Ｅｕ , Ｓｍ 进行了配方优化,确定了最佳的激活剂浓度,并结合光谱测试,分析了引起 Ｃａ Ｓ： Ｅｕ , Ｓｍ 红外上转换发光浓度猝灭的原因     

电子俘获材料CaS：Eu,Sm红外上转换光衰减特性的研究

根据电子俘获机制，提出了CaS：Eu,Sm红外上转换的衰减模型，建立了速率方程并进了初步的求解，其解具有三级指数衰减的形式。从实验上测定了CaS：Eu,Sm在不同温度下的红外土转换光衰减特性，对实验结果进行了非线性拟合，拟合结果也具有三级指数衰减规律的形式。     

电子俘获材料的红外最小可激发阈值

在对撞脉冲锁模ＮｄＹＡＧ激光器产生的１．０６４μｍ超短红外脉冲激光激励下,采用参考光和测量光同时入射的测量方案,利用一台可见光条纹相机进行了电子俘获材料ＣａＳＥｕ,Ｓｍ的红外最小可激发阈值的研究,结果表明：在可见光条纹相机最小可探测能量密度Ｊｍｉｎ＝８．３×１０－１０Ｊ／ｍｍ２的条件下,测得电子俘获材料ＣａＳＥｕ,Ｓｍ的红外最小可激发阈值优于４．８×１０－９Ｊ／ｍｍ２。     

电子俘获材料的皮秒红外脉冲激励发光

在经过标定的Nd:YAG激光器产生的超短红外脉冲激光激励下,采用双光束入射、单脉冲测量方案,利用可见光条纹相机研究了电子俘获材料CaS:Eu,Sm的红外上转换发光情况,结果表明:在λ=1.064 μm,FWHM=19.2 ps的红外脉冲激光作用下,这类材料红外上转换发光的FWHM优于14.3 ps.     

光带--极具竞争力的大容量存储技术

1、引言。在大容量离线存储领域，人们比较熟悉的是大容量磁带存储技术和大容量光盘存储技术，这些领域由于Sony、HP、IBM等跨国公司的介入．不仅产品得以在市场上畅销，而且技术上不断更新，但该领域还有一项技术，似乎还没有得到人们充分的重视，它就是光带技术．光带是一个兼具磁带物理结构和光盘读写机理的高新技术，其发展可谓一波三折：     

超高密度光存储技术

文章从三维体存储和近场光存储两个方向介绍了超高密度光存储技术。三维体存储 包括:体全息数据存储、双光子吸收存储和多层存储。体全息数据存储容量大、寻址快、存储寿命长;双光子吸收存储也属于多层记录存储,存储形式多样,本文以光致色变光存储为例进行讨论。海量存储的另一个研究方向是近场光存储,该技术与传统光存储显著的区别在于:用纳米尺寸的光学探针距记录介质纳米距离实现纳米尺寸光点的记录,从而实现超高密度光存储。文章最后对超高密度光存储发展及应用趋势进行了阐述。     

高密度光存储实现途径分析

随着光存储技术的发展,如何提高光盘存储密度备受关注.应用信道分析的方法,讨论了影响存储密度的因素和参量,提出光学系统分辨本领及光存储机理是其中最重要的因素.分别从缩短波长、增大数值孔径、超分辨以及缩小记录点、复用记录点及增加存储维度等角度总结了提高系统分辨能力、改变存储机理以提高光盘存储密度的途径.     

超高密度数字光存储新技术的研究进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快存取速率以及长的存储寿命，而传统的数字光存储的存储密度已经接近其物理极限。因此探索新的存储理论、技术和材料，已成为目前数字光存储领域的急迫任务。简要综述了超高密度数字光存储新技术，介绍了近年来该领域研究的新进展。     

光镊光阱力计算方法的研究

介绍了一种光镊光阱力的计算方法，并对微粒在已知参数条件下所受的光阱力进行了仿真，深入分析了光阱力和与之相关的光束束腰半径、相对折射率、激光功率等系统参数的关系，对不同参数条件下的光阱力进行了讨论，从而验证了系统参数对光阱力的重要影响，此外还对电磁学模型的光阱力计算进行了阐述。     

光镊光阱力计算方法的研究

介绍了一种光镊光阱力的计算方法,并对微粒在已知参数条件下所受的光阱力进行了仿真,深入分析了光阱力和与之相关的光束束腰半径、相对折射率、激光功率等系统参数的关系,对不同参数条件下的光阱力进行了讨论,从而验证了系统参数对光阱力的重要影响,此外还对电磁学模型的光阱力计算进行了阐述。     

全息光存储技术研究进展

全息光存储技术是一种极具发展潜力的信息存储技术，因其具有高信息冗余度、高存储容量和高存取速率等优点而日益受到关注本文介绍了全息光存储技术的研究历史与现状，并对几种具有代表性的全息光存储系统进行了评述。