Hg_(1-x)Cd_xTe的低频吸收带

本文对Hg_(1-x)Cd_xTe的低频吸收带,提出另一种解释。把Hg_(1-x)Cd_xTe作为具有0—25％Cd(或Hg)替位杂质的HgTe(或CdTe)晶体,用格林函数计算含有一个Cd(或Hg)的HgTe(或CdTe)双原子链振动谱,进而讨论Hg_(1-x)Cd_xTe混晶振动模的特性,结果表明Hg_(1-x)Cd_xTe在k→0存在频率不趋于零的声学声子,它们有条件吸收远红外波段的光子,形成低频吸收带。它能说明已报道的实验上观察到的低频吸收带的主要特征,并表明对光学声子存在双模行为的其它混晶,在远红外吸收谱中很可能存在类似的低频吸收带。     

CdxHg1-xTe混晶声子谱的远红外光谱研究

在温度4.2—300K和波数15—5OOcm^-1的范围内研究了x=0.18到0.45的不同组分的Cd_xHg_1-xTe的远红外吸收光谱。除剩余射线吸收带两侧的双声子吸收结构外,实验首次观察到一个位于波数20—50cm^-1的低频吸收带。用面间力常数的密度函数法等估计了Cd_xHg_1-xTe混晶的声子谱,并将上述低频吸收带归之于混晶导致的无序和“掺杂”诱发TA声子带模吸收效应。 关键词：     

Cd1-xMnxTe混晶的远红外吸收光谱

本文报道4.2—300K和20—400cm^-1范围内不同组份的Cd_1-xMn_xTe混晶远红外声子吸收光谱的研究结果。实验分辨了类CdTe,类MnTe剩余射线带及其TO-LO分裂,首次观察到位于混晶剩余射线吸收区内侧的低频吸收带、低x值情况下的准定域模吸收峰及其两侧的诸双声子吸收带。用缺陷晶格动力学理论估计了准定域模的出现及位置,讨论了其他吸收带的物理起源和判定。 关键词：     

Hg1－xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究

高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg_1-xCd_xTe分子束外延薄膜晶格 参数的测量及其晶格应变状态的研究，研究发现Hg_1-xCd_xTe分子束外延薄膜 内既存在正应变也存在剪切应变. 通过应用晶体弹性理论，对Hg_1-xCd_x Te分子束外延薄膜的应变状态进行了定量的分析与计算，获得了Hg_1-xCd _xTe 分子束外延薄膜在完全弛豫状态下的晶格参数，从而得到了Hg_1-xCd_xTe分子束外延薄膜晶格参数与组分的关系，该关系符合Vegard’s定律，而不是早期研究所给出的Hig gins公式. 研究还发现，根据对称衍射测量所得到的(224)晶面间距，可直接计算出Hg _1-xCd_xTe分子束外延薄膜晶格参数，并用Vegard’s定律确定组分的方 法，可作为估算Hg_1-xCd_xTe分子束外延材料组分的常规技术，其 组分的测量误差在0.01左右. 关键词： 1-xCd_xTe薄膜')" href="#">Hg_1-xCd_xTe薄膜 晶格参数 组分 应变     

CdxHg1-xTe混晶的远红外反射光谱和多振子模型

在温度4.2—300K和波数15—450cm^-1范围内研究了x=0.18到0.45的不同组份的Cd_xHg_1-xTe样品的远红外反射光谱。实验观察到了类CdTe光学声子反射带的精细结构和低组份样品类HgTe反射带的复杂结构,研究了这些结构对组份和温度的关系,并用多振子模型讨论了反射光谱的这种精细结构。对实验反射光谱用经典的振子匹配方法进行了拟合计算,并从这种拟合运算获得了Cd_(x^-)Hg_1-xTe的远红外介电函数谱及其它光学常数和频率的关系。 关键词：     

Sb掺杂Hg1-xCdxTe的光致发光

对不同Sb掺杂浓度Hg_1-xCd_xTe（x≈0.38）样品在3.9—115K的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用光致发光手段发现Sb掺杂在x≈0.38的Hg_1-xCd_xTe中引入的约30meV的受主能级 关键词：     

CdTe中Zn的定域模和准定域模晶格振动

本文报道4.2—300K和20—350cm^-1范围内低组份Cd_1-xZn_xTe混晶远红外吸收与反射光谱。实验观察到Zn及ZnTe在CdTe中诱发的定域模和准定域模以及类CdTe2TA双声子吸收过程。用质量缺陷模型结合格林函数方法估计了模式频率。用等位移模型计算了混晶的双模行为并拟合反射光谱,对类CdTe和类ZnTe模的弛豫与声子吸收强度的温度效应也作了计算和解释。 关键词：     

不同邻晶面Hg1-xCdxTe外延薄膜的特性分析

在取向不同的CdTe衬底上用液相外延技术生长了Hg_1-xCd_xTe薄膜，结合金相显微镜、红外显微镜、X射线双晶衍射、红外吸收及Raman光谱等手段分析了不同邻晶面外延层的性质，结果表明，在“近平面”（衬底偏角δ＜0.1°）或“无台阶面”（δ≈1.2°）上生长的外延层的晶格质量及光学性能较好 关键词：     

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg_0.80Mg_0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg_1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg_1-x关键词： 变磁场霍耳测量 界面积累层 二维电子气 1-xMg_xTe')" href="#">Hg_1-xMg_xTe     

Cd_(1-x)Mn_xTe混晶的远红外吸收光谱

本文报道4.2—300K和20—400cm~(-1)范围内不同组份的Cd_(1-x)Mn_xTe混晶远红外声子吸收光谱的研究结果。实验分辨了类CdTe,类MnTe剩余射线带及其TO-LO分裂,首次观察到位于混晶剩余射线吸收区内侧的低频吸收带、低x值情况下的准定域模吸收峰及其两侧的诸双声子吸收带。用缺陷晶格动力学理论估计了准定域模的出现及位置,讨论了其他吸收带的物理起源和判定。     

Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收

讨论了HgCdTe三元半导体在能量大于禁带宽度范围内的本征吸收光谱。经过分析比较实验数据,Kane理论结果以及几种经验公式,指出Anderson从Kane模型获得的理论公式及褚君浩等从实验结果得出的经验公式,最符合HgCdTe禁带以上本征光吸收行为。文中还就外延薄膜样品的本征吸收进行了讨论。 关键词：     

Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Hg_1-xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

Low frequency phonon spectra of mixed crystal CdxHg1−xTe

Far infrared absorption spectra for the mixed crystal Cd_xHg_1?xTe with x=0.18 to 0.45 in the wavenumber region of 10 to 400cm^?1 and temperature region of 4.5 to 300K are reported. A low frequency absorption band has been found between 20 and 50 cm^?1 for all the samples which have been measured in addition to the two-phonon bands in both sides of the reststrahlen absorption bands of the material. By comparison with the phonon densities of states estimated from the phonon frequencies of CdTe, we have attributed this band to TA band modes induced by the disorder and “impurity” effects.     

First-principles study of the structural,electronic and optical properties of the cubic triangular quaternary ZnxCdyHg1-x-yTe alloys under hydrostatic pressure

In the present computational study, we have explored the structural, electronic and optical properties of ZnTe, CdTe and HgTe binary compounds and their ternary alloys Zn_xCd_1-xTe, Zn_xHg_1-xTe and Cd_xHg_1-xTe as well as their ordered quaternary Zn_xCd_yHg_1-x-yTe alloys using the full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method based on the density functional theory. We have numerically estimated the total energies, the lattice parameters, the bulk moduli and their first pressure derivative using the generalized gradient approximation (GGA). The band structure is computed using the modified Becke-Johnson (TB-mBJ) approximation. Results of our study show a nonlinear dependence of the composition on the lattice constant, bulk modulus and band gap for the binary and ternary compounds as well as for the quaternary alloys. Additionally, the dielectric function, the refractive index and the loss energy were also reported. The pressure effect on the band gap energy and optical properties were also investigated and reported. Our results are in good agreement with experimental values and theoretical data available in the literature.     

Hot electron drift velocity in Hg1−xCdxTe (x=0.205)

Hot electron drift velocity in Hg_1?xCd_xTe (x=0.205) at 77 K is calculated by the Monte Carlo technique. Band nonparabolicity, admixture of wave functions, and two-mode nature of the polar optic phonons are included in addition to the effects of deformation potential acoustic, alloy and ionized impurity scattering. Good agreement with the experimental data is achieved.     

碲镉汞辐射损伤的微观过程

利用高分辨率的电子显微技术,在原子和晶格尺度上,研究了碲镉汞晶体结构在大剂量高能电子作用下,晶体结构产生损伤、扩展和重构的过程。研究结果表明,碲镉汞结构损伤是在强电子束作用下,[(Hg,Cd)Te₄]四面体的形变,在{111}面产生并沿{111}面呈阶梯形扩展的过程。从而在[110]方向观察到了新的更大周期的两维重构网格。 关键词：