掺杂比对CdGe(As11-xPx)2倍频与参量振荡的影响

 在相位匹配和可接受掺杂比理论的基础上，针对CdGe((As1_1-xP_x)₂晶体，研究了掺杂比对频率转换的影响。依据Sellmeier方程得到了倍频和Ho³⁺:YLF与Cr:Er:YSGG激光器泵浦光学参量振荡的相位匹配调谐曲线，并给出了不同掺杂下的可接受掺杂比。结果表明：掺杂晶体可实现2~9 μm范围内非临界相位匹配的倍频和2~18 μm的参量光产生；随着掺杂比的增大，可接受掺杂比近似线性减小，并随着波长改变展现出了不同变化趋势。     

CuCo2S4系统的掺杂与超导电性

尖晶石型CuM2S4(M=Co，Rh，Ir)族硫化物中，CuRh2S4为4．7K的超导体，CuIr2S4在230K经历金属-绝缘体相变，用Zn替代Cu后可成为超导体，CuCo2S4是否具有超导电性目前仍有争议．本研究了CuCo2S4及其掺杂体系的成相及其电、磁性质，表明单相CuCo2S4在1．8K以上不超导，而在Cu1 xCo2-xS4和CoS2的复相样品中观察到～3．5K的超导转变．另外少量Zn替代Cu引入杂相，在样品中未能观察到超导电性．     

不同反应温度对Hg掺杂MgB2样品的影响

利用固相反应法分别在700℃和850℃制备了Mg1.05-x(Hg)xB2多晶样品,其中x=0,1%,2.5%,5%,7.5%,10%.X射线衍射结果显示,随着掺入量的增加,700℃制得的样品杂相较多,且MgB2的量随x的增大而减少.而在850℃下制备的样品只出现了少量的氧化镁和高硼相.与Ag和Pb掺杂样品不同,晶格常数随掺杂量的增大而增大.Hg掺杂导致MgB2晶格常数变大的同时,也使得MgB2的超导转变温度下降,从而使得其超导临界电流密度下降.     

掺杂晶体Cd_(0.35)Hg_(0.65)Ga_2S_4的光学特性

研究了掺杂非线性晶体Cd0 35Hg0 6 5Ga2 S4 的线性和非线性光学特性以及相位匹配 .在相同的实验条件下 ,与已知的中红外晶体相比较 ,测定了该晶体的损伤阈值 .实现了CO2 激光二次谐波产生实验 ,与理论预测相一致     

AgGaS_2晶体Ⅱ类非共线相位匹配CO_2激光参量上转换

本文报道了AgGaS_2晶体Ⅱ类非共线相位匹配Q开关Nd:YAG激光泵浦CO_2激光参量上转换研究结果,用迭代法计算了相位失配因子△K=0时的最佳非共线夹角.当泵浦功率密度为6MW/cm~2和晶体长度为4.7mm时,功率转换效率达16.1%,并且首次采用硅雪崩光电二极管接收和频信号.     

掺杂晶体Cd0.35Hg0.65Ga2S4的光学特性

研究了掺杂非线性晶体Cd0.35Hg0.65Ga2S4的线性和非线性光学特性以及相位匹配.在相同的实验条件下，与已知的中红外晶体相比较，测定了该晶体的损伤阈值.实现了CO2激光二次谐波产生实验，与理论预测相一致. 关键词： 掺杂非线性晶体 Cd0.35Hg0.65Ga2S4 二次谐波产生 CO2激光     

分形超晶格结构晶体中的多波长频率转换

非线性频率转换是非线性光学中的重点研究内容之一,本文将Gosper分形与Z分形两种超晶格结构引入非线性光子晶体中,理论分析了两种超晶格结构经过准相位匹配进行非线性频率转换的谐波特点。Gosper分形超晶格的倒空间结构整体旋转60°后,依然能够和原图形重合;在准相位匹配的条件下,能够在六个不同方向实现相同的倍频波长输出;在级联三倍频中,实现了波长为711.3 nm、554.7 nm、491 nm的三倍频输出,并理论计算了其偏离角度。在二维Z分形的傅里叶空间中,充分利用了高阶横向倒格矢,能够实现基波波长范围为1.402μm～1.430μm的二次谐波频率转换,其中波长间距最小仅有1 nm。最后,为三维Z分形超晶格结构晶体的制备提供了数据支持。     

基于有机吡啶盐晶体的太赫兹频率上转换探测

利用激光泵浦国产有机吡啶盐4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(4-N,N-dimethylamino-4′-N′-methyl-stilbazolium tosylate,DAST)晶体,通过非线性频率上转换方法实现了室温运转的高灵敏、快响应、宽频段太赫兹探测.高效生成了近红外上转换光,采集到其脉冲包...     

Cu2+掺杂ZnAl2 O4纳米颗粒的光学性能

采用水热法和热处理技术制备了不同掺杂比例的Zn_(1-x)Cu_xAl_2O_4(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)纳米颗粒,通过X射线衍射(XRD)、场发射透射电子显微镜(FETEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光光谱(PL)和紫外可见光谱(UV-Vis)对样品的晶体结构、形貌、元素分布、结合能和光学性能进行表征,并通过第一性原理计算得到了ZnAl_2O_4结构中存在的各种缺陷的能带结构。实验结果表明本方法制备的Zn_(1-x)Cu_xAl_2O_4纳米颗粒为尖晶石结构,XPS能谱说明Zn_(0.9)Cu_(0.10)Al_2O_4样品中Cu~(2+)全部占据了四面体位置,PL光谱显示Cu~(2+)掺杂的样品出现了猝灭现象,紫外光谱表明Cu~(2+)掺杂后样品出现了新的吸收峰。并结合第一性原理计算对样品的光学性质给出了合理解释。     

Mn2+、N2-共掺杂Zn2GeO4晶体电子结构和光学性质的研究

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征Zn2GeO4,Mn2+掺杂Zn2GeO4,Mn2+/N2-共掺杂Zn2GeO4超晶胞进行了几何结构优化,计算了掺杂前后体系的晶格常数、能带结构、态密度和光学性质。结果表明,Mn离子掺入后,Mn离子3d轨道与O离子2p轨道之间有强烈的轨道杂化效应,掺杂系统不稳定,而Mn/N离子共掺后,Mn离子和N离子之间的吸引作用克服了Mn离子之间的排斥作用,能够明显地提高掺杂浓度和体系的稳定性。光学性质计算结果表明,Mn离子与N离子共掺杂能改善Zn2GeO4电子在低能区的光学跃迁特性,增强电子在可见光区的光学跃迁;吸收谱计算结果显示,Mn离子与N离子掺入后体系对低频电磁波吸收增加。     

Li2CO3/K3PO4复合助熔剂对新型Y2O2S：0.09Ti长余辉磷光体发光性能的影响

采用高温还原法合成了一种新型无稀土掺杂Y₂O₂S:0.09Ti长余辉发光材料。基于助熔剂种类对长余辉发光材料特性的重要作用,选择了对余辉衰减初期和后期余辉强度有明显作用的Li₂CO₃和K₃PO₄两种助熔剂,研究了不同配比(以下用x表示,x=Li₂CO₃/(Li₂CO₃+K₃PO₄))的复合助熔剂对Y₂O₂S:0.09Ti磷光体晶体结构和发光性能的作用,以获得具有较好综合发光性能的Y₂O₂S:0.09Ti磷光体。采用PL光谱和余辉测试仪对材料的发光特性进行了表征,用XRD研究了其晶体结构的变化。XRD结果表明,在复合助熔剂范围内(x=0~1.0)均可获得单相性的Y₂O₂S:0.09Ti磷光体。同时发现复合助熔剂比例不同制备的样品中,Y₂O₂S:0.09Ti磷光体晶体择优取向也发生明显的变化,且高比例Li₂CO₃有助于Y₂O₂S:0.09Ti磷光体的晶体形成。复合助熔剂比例x对样品的激发峰与发射谱主峰位置(565nm)基本没有影响;但助熔剂比例x对发射峰强度则有明显影响,随着x增加,该磷光体的发光强度先增后减,在x=0.8时发光强度最大。     

Eu3+摩尔浓度对Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料光谱的影响

用高温固相法制备了Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 红色长余辉材料。测量了该材料的余辉曲线,余辉时间为1h以上;由X射线衍射得到晶体结构为Y2O2S.测量了不同Eu^3 摩尔浓度下的激发光谱和发射光谱,得到从^5DJ(J=0,1,2,3)^-7FJ(J=0,1,2,3,4,5)的发射谱线,并得到位于260,345,468和540nm激发峰。由于激活剂饱和效应,Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 发射光谱中513．6,540．1,556．4,587．3和589．3nm属于从^5D2,^5D1到^7FJ(J=0,1,2,3,4)跃迁的发射峰随Eu^3 摩尔浓度的增加相对削弱;激发谱包括位于350nm左右属于电荷转移态吸收(Eu^3 -O^2-,Eu^3 -S^2 )的激发主峰和在可见光区位于468,520和540nm属于Eu^3 离子4f-4厂吸收的激发峰。随着Eu^3 摩尔浓度的增加,位于468,520和540nm的激发峰相对增强。     

Ga3S2-和Ga4S3-团簇结构及性质的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论（DFT）中的B3LYP方法和BP86方法,对Ga₃S₂^-团簇和Ga₄S₃^-团簇进行结构优化,并计算和分析了最稳定结构的成键性质及振动特性.计算结果表明,Ga₃S₂^-团簇和Ga₄S₃^-团簇的最稳定结构是由"Ga-S-Ga"结构单元和处于端位的"Ga-S"结构单元组成的.键级分析表明上述两结构单元都具有较强的稳定性.此外,通过分析红外振动光谱数据也发现在"Ga-S-Ga"单元和"Ga-S"单元处有红外强峰出现.     

插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag1/4TiSe2及TiSe2的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag1/4TiSe2系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示:Ag以较强的离子性结合于Ag1/4TiSe2中.Ag的插入使得半金属性的TiSe2变为金属性的Ag1/4TiSe2,导电性质得到明显改善.     

共沉淀法制备Y2O2S：Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料

用共沉淀法制备了Y₂O₂S:Eu³⁺,Mg²⁺,Ti⁴⁺红色长余辉材料。测量了材料的电子显微形貌、晶体结构和发射光谱。通过与固相法制备的Y₂O₂S:Eu³⁺,Mg²⁺,Ti⁴⁺长余辉材料比较,发现两种方法都可以制备粒度基本相同的纯相Y₂O₂S基质晶体,但共沉淀法样品的颗粒结构更松散。研究了Eu³⁺浓度对两种方法制备样品的谱线发射强度的影响,通过比较共沉淀法和高温固相法制备的样品中Eu³⁺的⁵D₁→⁷F₃较高能级跃迁的587.6nm谱线强度随Eu³⁺浓度的变化,发现共沉淀法更有利于Eu³⁺均匀进入Y₂O₂S基质晶格而形成有效的发光中心。     

n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

以ZnO和HGaO₂为原料,用不同配比合成出系列ZnGa₂O₄,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa₂O₄的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa₂O₄的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa₂O₄属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa₂O₄结构中,并对ZnGa₂O₄的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa₂O₄存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[T_d(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[O_h(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa₂O₄的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa₂O₄基质或掺杂的发光材料具有一定意义。     

硫代铝酸钡(BaAl_2S_4:Eu)靶材制备工艺研究

为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎、研磨、高温烧结,以及热压等过程,制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaAl2S4:Eu发光层薄膜进行的光致发光分析表明,在300nm紫外光激发下,薄膜能够发射出峰值位于470nm处的蓝光。对发光层薄膜的XPS分析结果表明,发光层薄膜中含氧量较高,随着溅射功率的提高,薄膜中铝元素有显著增加;而随着淀积压强的增大,硫元素则显著减少。     

Magnetic Phase Transitions in Substituted Spinels of Zn1−x Cu χ Cr2 Se4; 0.0 ≤ x ≤ 0.3

Magnetic and crystallographic properties have been studied by neutron powder diffraction and measurements of magnetization and magnetization hysteresis-loops for substituted spinels of Zn_1?xCu_xCr₂Se₄ with 0.0≤x≤0.3. It is found that the Zn_0.85Cu_0.15Cr₂Se₄ spinel has two magnetic phase transitions at 23.0 K (Néel temperature; T _N) and 410 K (Curie temperature; T _C) and that the Zn_0.70Cu_0.30Cr₂Se₄ spinel has magnetic transitions at 24.5 K (T _N) and 415 K (T _C) on heating. The low-temperature magnetic phase transition is from a spiral antiferromagnet to a ferromagnet, and the high-temperature magnetic phase transition is from a ferromagnet to a paramagnet, while ZnCr₂Se₄ shows a magnetic phase transition only from a spiral antiferromagnet to a paramagnet at about 21.0 K. From neutron powder diffraction, it is also found that the spinels of Zn_1?x Cu _x Cr₂Se₄; 0.0 ≤ x ≤ 0.3. show satellite-like magnetic reflection having indexes (h ± Q, k, l) with Q = 0.470 below T _N and short-range order of spins (spin glass-like) above T _N. The incommensurate antiferromagnetic phase below T _N results from a spiral long-range order of the spins of Cr³⁺. The intermediate ferromagnetic phase between T _N and T _C is related not to the spiral spin order but to double-exchange magnetic interaction among Cr³⁺ and Cr⁴⁺ mediated by current carriers, positive holes, which is made by the substitution of Zn²⁺ ions with Cu¹⁺ ions in Zn_1?x Cu _x Cr₂Se₄.