具有表面弛豫的液体自扩散的M0nte Carlo模拟

研究多孔介质中液体的自扩散行为能获得介质的微观结构信息,有助于了解介质中液体的传输性质.以具有不同孔隙大小的无限长圆柱体模型中的液体为对象,采用Monte Cado随机行走方法,模拟存在表面弛豫时液体的自扩散系数和核自旋磁化强度随时间的变化,导出将NMR弛豫参数和随机行走参数联系在一起的表达式.结果表明:在快扩散区,液体的核自旋磁化强度随弛豫时间呈单指数衰减,且自扩散系数在短时情况下独立于表面弛豫率;在慢扩散区,液体的核自旋磁化强度衰减和自扩散系数在短时情况下均与表面弛豫率无关.模拟结果与理论分析相吻合,可用于求解介质的表面积与体积之比及孔径大小等结构信息.     

二元合金表面偏析的Monte Carlo方法模拟

详细介绍了二元合金表面偏析的Monte Carlo模拟方法,并应用改进的分析型嵌入原子模型结合Monte Carlo方法模拟研究了Pd-Au合金表面成分及其剖面成分分布,发现Au在表面偏析,并同已有实验结果进行了比较.     

高分子链在分子刷表面吸附的Monte Carlo模拟

用Monte Carlo方法模拟研究了一条自由高分子链在分子刷表面吸附的静态和动态特性.结果表明,随着自由链与分子刷之间吸附作用能(ε)的增大,自由链出现由脱吸附态到吸附态的相转变,同时链的扩散由正常模式转为亚扩散模式.临界吸附能(ε_C)几乎与自由链长度无关,但随着分子刷链长度的减小或分子刷链间距的增大而不断增大.在ε_C附近,自由链嵌入分子刷内部,同时链尺寸达到极小,而当ε?ε_C时,自由链处于强吸附态,链节主要分布于分子刷表层,同时整个吸附动态过程可分为自由链吸附和分子刷扩散两个阶段.     

Surface Effects on Wannier Excitons in Superlattices:Monte Carlo Simulation

Using a Monte Carlo quadrature,we calculate by a variational method the binding energy Eb of Wannier excitons in N-period m-CdMnTe/n-CdTe superlattices,including or not including the step discontinuity in the potential barrier at the interface,and with varying N as well as well width.The calculation is performed in the framework of the effective mass approximation for both heavy-hole and light-hole excitons.The degree of exciton localization dependence on these parameters is accurately illustrated.     

材料中He深度分布演化的Monte Carlo模拟研究

基于He泡生长的迁移-合并机理,用Monte Carlo方法模拟了对材料进行等温退火过程中He深度分布的演化,探讨了不同参数对这一演化的影响.研究表明:材料中He泡的初始浓度和尺寸将影响He深度分布的变化,而退火温度则对演化速率起重要作用但对最终的He深度分布影响较小;随着反应的进行,整个系统的演化是逐渐趋缓的. 关键词： He 深度分布 Monte Carlo模拟     

不同温度下团簇生长的Monte Carlo模拟

引入基底表面束缚能、最近邻粒子间的耦合能以及应力场,对粒子扩散势垒进行修正,采用Monte Carlo方法对不同温度下薄膜生长过程进行模拟研究.结果表明,当400 K≤T ≤ 480 K,所得团簇的平均分支宽度基本保持不变,其值近似为单粒子直径.当500 K≤T ≤ 680 K,团簇分支宽度随着温度的升高而逐渐增大至约4个粒子.随着温度的继续升高,由于粒子较高的活跃性而无法凝聚形成大团簇,团簇包含粒子数的平均值小于2.还研究了不同温度下团簇在生长过程中的形貌演化过程以及团簇数变化规律.     

6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟

从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律,在模拟中考 虑了6H-SiC主要的散射机理,模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移 率的各向异性,其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的. 关键词： 6H-SiC Monte Carlo模拟 迁移率 散射机理     

投影电子束光刻中电子穿透掩膜的Monte Carlo模拟

利用基于Mott散射截面和介电函数模型的Monte Carlo方法模拟了电子穿透掩膜的能量损失分布，其计算结果与实验结果符合很好. 由此进一步计算了角度限制投影电子束光刻(SCALPEL)掩膜的穿透率和衬度，结果表明：散射体的厚度对衬度的影响较大，衬度随散射体厚度的增加而增强，而支撑体对衬度的影响较小；增大限制孔的孔径角时，透射率相应增大，但衬度会降低；衬度随入射电子的能量增加而减小. 关键词： Monte Carlo模拟 电子束光刻 掩膜     

Water Gas Shift Reaction： A Monte Carlo Simulation

The water gas shift （WGS） reaction is reacts with water on a catalytic surface a process of industrial importance to form CO2 and H2. We study this In this reaction carbon monoxide reaction with thermal （Langmuir- Hinshelwood） and non-thermal （precursor and Eley-Rideal） reaction mechanisms using the techniques of Monte Carlo computer simulation. The details of surface coverages and production rates are given as a function of CO partial pressure. The diffusion of species on the surface as well as their desorption from the surface is also introduced to include temperature effects. The phase diagrams of the system have been drawn to observe the behaviour of reacting species on the surface. The study reveals that the production rates are higher for non-thermal precursor mechanism and are in agreement with the experimental finding.     

非均质基底表面上团簇生长的Monte Carlo模拟

Monte Carlo方法模拟了在非均质基底表面上团簇的生长过程.非均质基底由规则分布的A，B两类不同性质的物质(不同材料、不同温度等)组成.沉积粒子的初动能为E₀，在不同相基底上单位长度扩散的能耗为E_A,E_B，粒子从A经过相界扩散到B的能耗为E_AB.模拟中粒子的初动能E₀.远大于E_A,E_B，粒子从B过相界到A能耗E_BA取为0.结果表明，沉积在此类基底表面的粒子凝聚成具有分形结构的团簇.当E_AB远大于E_A,E_B时，团簇的数目、团簇的回旋半径、团簇的分形维数均随E₀/E_AB呈周期性变化. 关键词： 分形团簇 非均质基底 Monte Carlo模拟 周期性     

基于蒙特卡罗模拟的射束硬化校正方法

传统的射束硬化校正方法, 通常需要针对每一种材料测量该材料对射线的吸收曲线. 由于吸收曲线对实验条件有很大的依赖性, 每当改变X光机电压或者被测工件的材料等条件时,需要重新测量吸收曲线才能完成硬化校正过程. 这种方法费事费时. 本文提出了基于蒙特卡罗模拟计算物质吸收曲线的硬化校正方法. 实验中, 分别用本方法和传统的硬化校正方法对铝工件进行硬化校正, 经过比较, 确认本方法是有效的. 然后用该方法对不同材料(铝、铁和铜)的工件进行校正. 实验结果表明, 本方法能有效消除各种材料工件图像中的硬化伪影, 是快速的和切实可行的.     

双轴向列相液晶的Monte Carlo模拟

利用Monte Carlo方法模拟棒状液晶分子随温度变化的相变行为,采用热力学统计方法得到能量与温度的关系,得出比热随温度的变化规律,通过图像的峰值确定相变点;重点模拟计算序参数矩阵元与温度的关系,得到不同分子结构参数下液晶系统的温度相图,模拟结果显示,当两个短棒长度相等时,不存在双轴相.     

Monte Carlo模拟空间各向异性势向列相液晶微滴

基于分子两体势,用Monte Carlo方法计算向列相液晶微滴.两体势基于格点模型,是空间各向异性的且依赖于液晶的弹性常数.假定向列相液晶微滴具有自由表面,引入切向内禀强度定量描写表面引发的分子内禀易取向的强弱.通过各向异性势的两种方案,在低温下计算切向内禀强度和二阶序参数在微滴内不同区域的变化,与Lebwohl-Lasher模型作对比分析.结果表明:只有一种方案在微滴表面产生内禀易取向,且内禀强度值的大小与K₃₃/K₁₁值有关;空间不完整的向列相液晶使得微滴由内层到外层有序度越来越低.     

Relaxation Monte Carlo for 3D branched polymers: The leading confluence exponent

A relaxation study of simple-cubic site trees taking 18 months of CDC Cyber computer time is used to estimate the radius-of-gyration dependence on the size, both as regards the correlation exponent and the confluent correction. The latter is found to be compatible with an analytic term within the uncertainty limits. The radius prefactor is estimated as 0.542±0.005 and the limiting site perimeter-to-size ratio as 2.905±0.005.     

低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟

应用单次碰撞的直接Monte Carlo方法计算能量范围从100 eV~10 keV的电子在固体Al,Si,Au表面的背散射系数,其中低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射截面分别应用Mott散射截面和Born近似下的广义振子强度计算模型得到.通过与压缩历史Monte Carlo方法的模拟计算结果及实验值的比较,结果表明,对于100 eV~10 keV范围的低能区电子,采用直接方法计算得到的电子背散射系数与实验值符合较好,直接方法比压缩历史方法更适合于能量在10 keV以下的电子输运计算.     

半色调印刷品中光传播过程的蒙特卡罗模拟

基于蒙特卡罗方法思想,结合半色调印刷品网点的结构属性,提出一种研究半色调印刷品呈色性质的模拟方法。考虑光的粒子属性,以程序化语言描述光子在半色调印品中的传播历程,涵盖光子从入射到传播终止的全过程,体现承印物、油墨、网点形状以及面积率变化对光散射行为的影响。对175lpi的不同网点结构模拟结果表明:该算法能合理模拟光与印品相互作用,适用于光子在多种网点结构中的散射模拟。模拟后的光子能量及位置分布均能可视化显示,经统计分析可转化为反射率、光子分布,散射距离等信息,为半色调印品的微观研究及质量控制提供一种新思路。     

Time-resolved Monte Carlo Simulation of Propagation of Photons Through Layered Tissues

The propagation of photons through layered tissues is discussed using time resolved Monte Carlo method. The effects of the absorption coefficient, scattering coefficient and anisotropy coefficient on the shape of time resolved transmission are investigated. The energy attenuation of light in layered tissues is also achieved for the infinitesimal-width light and infinite-width light, respectively.     

光学相干层析信号的模拟分析与计算

对传统的模拟介质散射响应函数的蒙特卡罗算法的计算过程进行了改进，提出光子不可分割的假设，这样可以避免人为选定光子被吸收阈值的不确定性；同时采用双曲线法模拟入射高斯光束，解决了对表面为非平面介质的传输信号进行模拟的问题.通过对盖玻片（平面）与眼角膜（曲面）的光学相干层析探测信号及层析图的数值模拟，并与相应实验结果进行比较，证实了该方法与假设的可行性. 关键词： 光学相干层析 蒙特卡罗法模拟 散射