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同位素质谱和无机质谱 总被引:2,自引:0,他引:2
本文是《分析试验室》定期评述中“同位素质谱和无机质谱”的第四篇评述,评述的范围是1994年11月至1996年10月我国气体同位素质谱,热电离同位素质谱,加速器质谱,火花源质谱,电感耦合等离子体质谱,辉光放电质谱,同位素稀释质谱,二次离子质谱,激光共振电离子飞行时间质谱,电子探针,质子探针,激光探针和它们在地学,核科学,环境科学,材料学,计理学,医学和生命科学中的应用,引用文献149篇。 相似文献
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电感耦合等离子体质谱技术最新进展 总被引:22,自引:0,他引:22
对1998年以来电感耦合等离子体质谱技术(ICP-MS)的最新进展作一简要回顾。内容包括同位素比值分析、双聚焦扇形磁场高分辨ICP-MS、多接收器磁扇形等离子体质谱仪(MC-ICP-MS)、飞行时间等离子体质谱仪(ICP-TOF-MS)、“冷”等离子体及屏蔽炬技术以及动态碰撞/反应池技术等进展。 相似文献
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采用辉光放电质谱法(GDMS)测定了纯锡中24种杂质元素,分析方法为无标定量分析。分析前纯锡样品须依次用乙醇、水及乙醇冲洗以除去表面的灰尘颗粒,凉干后用于分析。本工作对辉光放电过程中的三项关键因素,即辉光放电电压、放电电流及放电气流三者在辉光放电溅射/电离时的相互关系及其对总离子流强度的影响进行了试验和讨论,并确定了仪器在最佳状态时辉光放电的优化条件为:放电电压590V,放电电流30mA,放电气流450mL·min~(-1)。为排除各元素测定中质谱(MS)干扰的影响,选择了在不同的分辨模式(中/高)下用相对丰度较高、干扰较少的质量数进行分析。所测定元素测定结果的相对标准偏差(n=5)均小于15%。各元素的检出限(3s)为0.003~0.174μg·g~(-1)之间。本方法所得测定结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)或电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的测定结果基本一致。经试验,通过更换GDMS的阳极帽、导流管、采样锥和透镜等4种耗材,可完全消除锡的记忆效应。 相似文献
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同位素质谱和无机质谱 总被引:3,自引:0,他引:3
本文是《分析试验室》定期评述中“同位素质谱和无机质谱”的第三次评述,评述的范围是1992年11月至1994年10月我国同位素质谱和无机质谱的进展。内容包括同位素质谱,同位素稀释质谱,二次离子质谱,离子探针,电感耦合等离子体质谱,激光电离质谱,加速器质谱、火花源质谱和它们在同位素地质年代学、同位素地球化学、核科学、农业、医学、环境学、计量学等学科中的应用。引用文献259篇. 相似文献
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综述了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)及其联用分析技术的进展,论述了其在相关核工业及环境领域中分析痕量或超痕量的放射性同位素、长寿命核素、元素形态等的应用。讨论了电感耦合等离子体质谱及联用技术的发展趋势,并对目前存在的主要问题及可能的解决方案进行了讨论。 相似文献
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建立了直流辉光放电质谱(dc-GDMS)测定三氧化钼中痕量元素含量的方法,优化了辉光放电参数,考察了三氧化钼制样面积对放电稳定性和灵敏度的影响。在优化条件下,测定2个三氧化钼标准样品BS ZZ42001和BS ZZ42003的相对灵敏度因子RSF1和RSF2,计算得到平均相对灵敏度因子RSFA,对三氧化钼标准样品BS ZZ42002的测定结果进行校正,与BS ZZ42002的标准值比较,除Ti和Cd外,校正后得到的各元素测定值相对误差在±9.5%以内。对未知的三氧化钼样品测定结果进行校正,并与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)结果对比。t检验结果表明,RSFA校正值与ICP-AES/ICP-MS法测定值无显著性差异。该方法可为三氧化钼中多种痕量元素的快速定量分析提供参考。 相似文献
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电感耦合等离子体质谱技术在环境领域的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
综述电感耦合等离子体质谱技术在环境监测和环境科学研究领域的应用.介绍了电感耦合等离子体质谱技术在环境监测中的分析优势,环境研究领域中稳定同位素比值测定技术及其与色谱、激光烧蚀、流动注射技术联用分析技术应用的进展. 相似文献
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用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中磷等12种杂质元素。实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si,纯度大于9N)可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应。在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为5~50 ng/mL,回收率在93%~105%,相对标准偏差RSD≤9.8%(n=11)。测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合。 相似文献
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综述了从1980-2012年间测定高纯硅中痕量元素分析方法的研究进展。高纯硅中痕量元素的主要分析方法包括红外光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法、极谱法、离子探针与离子色谱法、二次离子质谱法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法等;并对高纯硅中痕量元素的分析方法进行了展望(引用文献59篇)。 相似文献
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《中国无机分析化学》2019,(6)
采用标准溶液加入法往高纯氧化铋中加入混合标准溶液,烘干并研磨均匀,制备了5个高纯氧化铋的控制样品。再挑取适量的粉末样品压在高纯铟薄片上,建立了辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中的Mg、Al、Ca等19种元素相对灵敏度因子的方法。实验考察了放电参数和制样面积对基体信号强度和稳定性的影响,优化后的辉光放电电流为1.8mA,放电电压为950V,压在铟薄片上的高纯氧化铋直径约为6~8mm。通过选择合适的同位素,在4000的中分辨率下测定即可消除质谱干扰。为了验证加标回收的准确性,采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法对控制样品进行测定,所有元素的加标回收率都在80%以上。采用GDMS法测定5个控制样品并结合ICP-MS法的测定值建立工作曲线,大部分元素的线性均达到0.995以上;除Al、Ga、Sb外,大部分元素的校准相对灵敏度因子(calRSF)和仪器自带的标准相对灵敏度因子(stdRSF)的比值都在1/2~2之间,说明GDMS的半定量分析不会有数量级的差别。但对于某些需要准确测定纯度的定量分析,则必须采用基体相匹配的RSF值进行校正。 相似文献
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电感耦合等离子体—光发射光谱中抑制易电离元素干扰研究的进展 总被引:6,自引:3,他引:3
从等离子体的强化状态、影响强化状态的分析参数及易电离元素对进样系统的影响三方面综述了电感耦合等离子体-光发射光谱分析中抑制易电离元素干扰的研究进展,引用文献46篇。 相似文献
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综述了水环境中元素形态分析技术研究进展。水环境中元素形态分析技术主要包括电感耦合等离子体质谱法、原子荧光法、气相色谱法、比色法、毛细管电泳法、原子吸收光谱法等技术及其联用技术。电感耦合等离子体质谱与液相色谱联用技术选择性好、分析速度快、分离效果好;原子荧光与液相色谱联用技术灵敏度高、检出限低、操作简单;气相色谱与电感耦合等离子体质谱联用技术可以实现非常低的检测限和良好的回收率。探索新技术的相互融合,提高元素形态分析技术的灵敏度,获得更低的检测下限,降低分析成本,是未来研究的重点。 相似文献
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本文主要概述了近年来核酸工具酶辅助的基于金属稳定同位素标记的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法在生物分析中的发展和应用,简要介绍了该方法在蛋白质、核酸及一些生物小分子检测中的应用。最后对核酸工具酶辅助的基于金属稳定同位素标记的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法的发展前景做了展望。 相似文献