固体红外象转换器

研制了一种光导——场致发光型的红外象转换器。研究了把不同厚度的掺杂CdSe光导粉末层应用于象转换器的效果和工作温度的影响。其光谱灵敏区从0.7至1.2微米,峰值在0.9微米。在0℃时,对0.9微米的入射光其灵敏阈值约为2×10~(-10)瓦/厘米~2。输入的红外图象转换为可见的场致发光图象,其分辨率为每毫米3—8条电视线,根据光导层厚度和工作温度的不同,其响应时间为1—10~(-2)秒量级。用一附加的红外源,此种转换器可用作夜视仪。文中叙述了适用于光导-场致发光器件CdSe的光导体的制备,它的某些性质,以及光导体厚度和工作温度对于固体红外象转换器性能的影响。刊登了利用实验转换器得到的可见象的照片。     

ZnO磷光体系统的场致发光

研究了ZnO—ZnSe:Cu,XAl;ZnO—CdSe:Cu,XAl 和ZnO—CdS:Cu,XAl 的场致发光(式中X=Cl,Br或l)。随着化合物组分的变化,谱峰逐渐从绿向红位移。描述了ZnO—ZnSe在外加电压和频率作用下的场致发光亮度波形。100％的 ZnO示出了第一和第二谱峰。而在ZnO—ZnSe化合物系统中只观察到第一谱峰。     

壳层相关的CdSe核/壳量子点发光的热稳定性

测量了CdSe/ZnS(3 ML)核/壳结构及CdSe/CdS(3 ML)/ZnCdS(1 ML)/ZnS(2 ML)核/多壳层结构量子点在80~460 K范围内的光致发光光谱,研究了壳层结构对CdSe量子点发光热稳定性的影响。详细地分析了CdSe量子点的发光峰位能量、线宽和积分强度与温度之间的关系,发现CdSe量子点的发光热稳定性依赖于壳层结构。CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点在低温和高温部分的热激活能均大于ZnS壳层包覆的CdSe量子点,具有更好的发光热稳定性。此外,在300-460-300 K加热-冷却循环实验中,CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点的发光强度永久性损失更少,热抵御能力更强。     

直流控制的固体X光图象转换器

研制出一种夹层结构的固体X光薄屏,由光导层和半导体场致发光粉末层所组成。光导层和场致发光层相互串联并同时加上交流及直流电压。转换器对X光的敏感度取决于通过光导层的电压降和输入的X光强。转换器的灰度系数和输入范围通过调节加在屏上的直流电压广泛地予以控制。场致发光磷光体用交流激发。在低X光强下光输出强度得到很大改进,而并不响影图象分辨率。当X光强为30毫仑/分,峰值电压为80千伏时,转换器所产生的光输出约为普通荧光屏的800倍,能够观察到直径为200微米的钼线。不过图象建立和消除的时间需要几秒钟。另外,还示出了用试制的转换器转换的X光图象。     

CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究

1.引言 Ⅱ—Ⅵ族粉末磷光体的直流场致发光(DCEL)还没有像交流场致发光(ACEI)研究得那样深入。几乎所有作过的这方面的工作都是关于ZnS:Cu、Mn粉末磷光体的DCEL的。这个事实使我们有理由对CdS粉末的DCEL感兴趣,因为CdS是著名的发光体和光导体。     

CdSe/CdS核壳量子点复合材料合成及其在白光发光二极管中的应用

采用有机化学合成法,利用正三辛基膦(TOP)辅助的快速注入生长方法,改进传统的制备工艺,实现了CdSe/CdS厚壳层核壳(8.6 ML)量子点复合材料的合成制备,并对所合成的核、核壳量子点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与发光性质进行了XRD、TEM、SEM、UV-Vis、PL表征和红光补偿效果测试。测试结果表明,CdSe核具有立方纤锌矿晶格结构;CdSe/CdS量子点复合材料直径为45~75μm,呈菱形规则形貌,且颗粒分散性良好。采用该方法,可以提高量子产率,产率由4%(CdSe核)升至48%(CdSe/CdS核壳量子点);可以增强激子态发光能力,CdSe/CdS核壳量子点复合材料的荧光强度约为CdSe核的13倍。将该材料与YAG∶Ce~(3+)黄色荧光粉组合应用,获得了高光效(148.29 lm/W)、高显色指数(Ra为90.1,R9为97.0)的白光发光二级管,表明按照上述方法获得的CdSe/CdS核壳量子点复合材料在白光发光二极管中深红光波段具有较好的补偿效果。     

固体X射线图像转换器

在医疗检查或材料的非破坏性检验方面,荧光屏或图像增强管是一种能把X射线图像立即转变成可见图像的器件。前者性能上有缺陷,后者则存在价格问题。为了弥补这些不足,试制了一种由场致发光材料和光电导材料构成的实验性图像增强屏。采用CdSe烧结膜作为光电导层,以改进普通图像增强屏的图像质量和响应特性。得到的结果为:X射线灵敏度——0.1伦/分,亮度——1呎朗伯、对比度——10％、分辨率——30条线/厘米、上升时间——10~(-2)～1秒。虽然还需要在灵敏度和响应特性上加以改进,但是,由于其他性能和普通的图像增强管接近,所以,这种图像增强屏作为一种轻便的X射线图像增强器,用于检查静态物体是实用的。     

核壳结构CdS/ZnS纳米微粒的制备与光学特性

用微乳液法制备CdS纳米微粒 ,以ZnS对其进行表面修饰 ,得到具有核壳结构的CdS/ZnS纳米微粒 .采用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM )表征其结构、粒度和形貌 ,紫外 可见吸收光谱 (UV)、光致发光光谱(PL)表征其光学特性 .制得的CdS近似呈球形 ,直径为 3.3nm ;以XRD和UV证实了CdS/ZnS核壳结构的实现 .研究了不同ZnS壳层厚度对CdS纳米微粒光学性能的影响 ,UV谱表明随着壳层厚度的增加纳米微粒的吸收带边有轻微的红移 ,同时短波吸收增强 ;PL谱表明壳层ZnS的包覆可减少CdS纳米微粒的表面缺陷 ,带边直接复合发光的几率增大 ,具有合适的壳层厚度时发光效率大大提高 .     

粉末材料的场致发光(2)——材料制备的几个问题

在场致发光应用的多年实践中,人们广泛的研究了场致发光材料方面的许多问题。特别是在当前,场致发光材料性能的优劣,是能否实现场致发光大面积平板显示显像的关键条件之一。 近廿多年来人们一直在寻求什么样的物质在交流(或直流)电场激发下,能够高亮度、高效率地发光。在大量的、广泛的实验基础上,从无机物到有机物,人们发现,SiC,AlN,Al_2O_3,ZnO,GaN、GaP,CaS、ZnS、CdS、ZnSe、CdSe、Y_2O_3、YVO_3、蒽等等,不下几十种材料具有场致发光。但就粉末材料而言,硫化锌系材料是     

ZnS薄膜参数对有机/无机复合发光器件特性的影响

半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料,TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层,ZnS作电子传输层,研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积,器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm,属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比,发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光,而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果：一方面电子经过ZnS 层加速后,碰撞激发CdSe QDs发光;另一方面,空穴从TPD层注入CdSe QDs 与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响,选择ZnS薄膜的厚度分别是80,120 和160 nm,发现随着ZnS层厚度增大,器件启亮电压升高,EL强度增大,但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移,对上述实验现象进行了机理解释。     

《国外信息显示动态》1970年1—6期《国外信息显示》1970年7—9期分类目录

第一部分正文 (一)综述期页显示的应用及其技术(节译)11、28大屏幕显示(节译)129、31大屏幕显示21、13集成化固体显示5 23、31美帝大屏幕显示的研制情况8、91、6发光元件的最新进展8、951~57 (二)荧光材料葫激活A班BvO;型荧光粉的发光性质221、32游激活的几种险及硷土金属的犯酸盐及缸酸盐的的荧光 及阴极射线发光233、36无机磷光体中的三价离子237、5,发绿光的硫化锌场致发光磷光体31~9(加,Cd)(S,Se)的场致发光性质3 10”24 (三)显示方法 (1)场致发光显示平板电视屏的显象方法138~46场致发光平板显示413、23 56硫化锌直流场致发光显示一…     

水溶胶CdSe/CdS核/壳结构纳米晶制备及光学性质的研究

以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外-可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它们的发光特性。     

动态报导

一种新的低压场致 发光层的制备方法 苏联Светотехника杂志1973年第4期报导了一种新的低压场致发光层的制备方法,内容如下: 在工业中广泛采用的场致发光层的制备方法是喷敷法和浇敷法,用这两种办法可以制备出很均匀的屏,但是厚度较厚20—70微米。这一点就决定了在电压40—60伏,频率400—1000赫芝时,场致发光指示器的亮度很低。利用新的办法制备场致发光层,也就是被我们称为汲取的方法,能提高指示器的     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

GaN场致发光二极管

RCA公司制备出Zn掺杂的i—n(绝缘层—n型层)结构的GaN二极管。在常温下具有绿色和兰色直流场致发光特性。发绿光的二极管特性如下。 GaN绝缘层是在Zn蒸汽气氛中用汽相生长技术制得的。过去曾报导过点接触电极GaN绝缘层的场致发光。但其发光效率很低,而且只能在晶粒边界的若干微小点上发光。在报导的这种i—n结构中,观察到了     

场致发光体悬浮液的电泳沉积

为了寻求提高场致发光屏发光亮度的方法,不仅可以沿着改进合成场致发光体途径的方向来进行,而且也可以采用发光体镀层的新方法来实现。电泳法是具有前途的镀层制备法之一。其优点在于:在衬底上形成的镀层具有很高的颗粒密度和颗粒的均匀分布。这就使得场致发光屏的亮度有所提高。目前用喷雾法制备的场致发光屏,密度低,厚度分散性很大(10—15％),因而发光亮度也不均匀。 许多工作表明,应用电泳法制作场致发光屏原则上的可能性。但是,具体尚未推广到工业上去广泛采用。 本工作讨论从悬浮液中电泳沉积场致发光体过程的研究结果,及其在电场中的行为,籍以研究形成场致发光屏的基本规律性。作为研究的对象,我们曾选用ЭЛ—515、ЭЛ—510M、ЭЛ—580M、ЭЛ—650、ЭЛ—455标号的场致发光体。     

稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光

从ZnS:Mn:Cu粉末获得直流场致发光(DCE)现在是完全肯定了,但至少还存在两个问题。其一是能量传给Mn~(++)中心的机构问题,另一个问题是从ZnS系统获得其他颜色还有困难。关于后一个问题,我们曾报导过铒激活的硫化锌的绿色直流发光,亮度达到2呎—朗伯,能量效率为10~(-3)％(2)原文为10~3％——译注)。虽然稀土掺杂的ZnS磷光体在广阔范围的光致发光光谱已有过报导(如Larach(3),(4)所综述),但至今还没有发表过有关粉末     

近期外文资料索引

9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

氮化镓电致发光的高效注入机理

作者制成一种GaN电致发光器件,外量子效率接近1％(黄)和0.3％(绿)。器件的发光区由两个掺锌层组成,n型层和半绝缘层(1000),再加二个金属的接触电极。产生电致发光所加的电压典型值为5—10伏,但也曾低到2.5—4伏(金属为正)。作者提出一个模型解释这种结构的注入机理;涉及杂质带的电导和从n侧向i侧的电子注入。观察到的I(V)特性符合夫仑克耳规律。     

粉末状氧化铝的场致发光

当用电化学方法制备氧化铝薄膜的场致发光研究较多的时候,粉末状氧化铝的工作还比较少。 本文研究了牌号为“C”的氧化铝微晶粉末的场致发光,它是以重量比1:1混和在聚苯乙烯中。用镀在玻璃衬底上的SnO_2层作为场致发光盒的透明电极。发光强度由光电倍增管—19M记录下来,由它发出的信号或供给示波器C1—19或供给检流计。