脉冲激光沉积具有锂离子储存能力的CeO2薄膜

锂电池具有比能量高,循环性能好的优点,已成为二次电池研究的热点．锂离子电极材料的电致变色性能也引起了人们的广泛兴趣．最近一项日本专利报导了水热法合成的氧化铈粉末,属单斜晶系,作为锂离子电池阳极时,其体积比容量达５３０ｍＡｈ·ｃｍ－３,高于通常用的石墨阳极．该专利还指出,以ＣｅＯ２为阳极,ＬｉＣｏＯ２为阴极,与非水电解质组成的锂电池平均放电电压为３．５Ｖ左右［１］．近年来,全固态薄膜锂离子微电池为适应电子器件的微型化而受到重视,它可以采用不同的二维形状直接构织到集成电路上．例如,可作为动态随机存储…     

电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积

研究了含Cu~(2+),In~(3+),HSeO_2~+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.     

热处理对电沉积制备CuInGaSe2 薄膜的影响

CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜.分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响,结果表明:当热处理温度为450℃时,所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀和致密性较好.     

电沉积制备p型CuInSe_2薄膜

CuInSe_2化合物半导体的禁带宽度适中,是一种较理想的光电转换材料,有关它的研究已有报导.本文用电沉积法初步制得ρ-CuInSe_2薄膜,并观察到有光电效应.此法设备及工艺简单,具有发展前途. 用0.5cm~2钛片或镍片作基底.钛片在12ml HNO_3(比重1.4),3mlHF(40%),15ml蒸馏水组成的侵蚀液中在60—80℃下侵蚀4分钟;镍片在0.3NHNO_3中浸15分钟.皆用水洗净后待用. 将200ml所需浓度的InCl_3溶液分成两份,一份中加5滴NH_4OH和适量CuCI,另一份中     

电沉积Cu2xIn2-2xSe2薄膜的光电化学研究

用电沉积法制得Cu_2xIn_2-2xSe₂(铜铟硒)(0[1]并用EDAX对其组成进行分析。对薄膜电极的光电化学性能、光谱响应、能隙与x的依赖关系进行了研究。借助于现场微区扫描光电流谱观察了热处理、薄膜厚度、光极化对薄膜电极的光电性能影响。研究了Pb(NO₃)₂有效的浸渍对薄膜光电性能的影响。     

衬底温度对射频溅射CeO2薄膜微观结构的影响

为了通过射频溅射金属Ce靶与CeO2靶能得到相同结构、相同性能的CeO2薄膜,采用射频反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积CeO2薄膜,通过调控基体温度,分析其对薄膜成分、结构、形貌的影响规律,分别采用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜对薄膜结构性能进行表征.结果表明:在沉积温度为600℃下,溅射金属Ce靶制...     

脉冲激光沉积纳米TiO2薄膜电极的现场光电化学

在O3 /O2 气氛中采用 35 5nm激光烧蚀金属钛靶的反应性沉积薄膜方法 ,成功地在镀ITO膜的玻璃基片上制备了纳米锐钛矿相TiO2 薄膜电极 .用循环伏安法研究了在Li/TiO2 电池中TiO2 薄膜电极的电化学嵌入Li离子的行为 .由现场快速紫外可见吸收光谱实时监测TiO2 薄膜电极的显色特性 ,在波长 42 0和 6 5 0nm附近出现 2个明显的吸收峰 ,并发现TiO2 薄膜电极的吸收谱的涨落过程与Li离子的嵌入和脱嵌过程具有相关性与可逆性 ,表明该纳米TiO2 薄膜电极具有高质量的光电化学性能 .     

电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu₂SO₄、SeO₂、In₂(SO₄)₃溶液中,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe₂纳米薄膜.研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe₂纳米薄膜的影响.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,加入络合剂后,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密.X射线衍射(XRD)分析显示,制备的CuInSe₂薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物,添加柠檬酸和酒石酸后,衍射峰增强,晶形变好.制备的薄膜颗粒尺寸大小在250nm左右,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用.     

沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响

采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5 V—1.7 V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60 %降低到20 %,薄膜的光学带隙约为3.97 eV.在沉积电位为2.0 V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.     

Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜

Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜;p-CuSCN薄膜;电化学沉积;EDTA     

溶胶-凝胶法制备玻璃表面CeO2-TiO2紫外吸收薄膜的研究

分别以Ce(NO3)3·6H2O和Ti(OC4H9)4为前驱体制备CeO2和TiO2溶胶,通过改变Ce/Ti摩尔比(0/10,1/9,2/8,3/7,4/6,5/5,6/4,7/3,8/2,9/1,10/0)得到一系列复合溶胶,采用提拉法在玻璃基片上制备了CeO2-TiO2紫外吸收膜层.利用紫外可见光谱、XRD对各溶胶以及溶胶沉积的薄膜进行了表征;用SEM观察了镀3层膜和镀7层膜样品的新鲜断面,得到膜厚,借以验证计算所得数据的可用性.结果表明,溶胶的颜色产生变化与溶胶中Ti3+浓度有关;由于CeO2和TiO2相互作用,复合溶胶及其膜层的紫外线吸收能力分别强于纯的CeO2和纯的TiO2,吸收曲线向长波方向移动;膜层中CeO2晶体会使膜而雾化,膜层内的Ce/Ti固溶体或当晶体微小和呈非晶态时,均不影响膜面质量;当薄膜达到一定厚度的时候,紫外线儿乎全部被阻隔;在临界厚度内,膜层越厚阻隔效果越好,且对可见光区域的透过率基本无影响,均在70%～80%.     

宽带隙Cu(In,Al)Se2薄膜的制备及表征

以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜, 通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜, 经硒化退火后在氧化铟锡(ITO)基底上制备了Cu(InAl)Se2(CIAS)薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征. 结果表明, 制备的CIAS薄膜颗粒均匀, 表面平整致密, 呈黄铜矿结构. 薄膜在可见光区具有良好的吸收, 带隙约为1.65 eV.     

液相沉积法制备光催化活性TiO2膜

锐钛矿型TiO2薄膜;液相沉积法制备光催化活性TiO2膜     

Liquid Film Deposition of Chalcogenide Thin Films

Thin films of MoS _x were prepared by liquid film deposition of MoS₄ ^2– solutions in 1,2-diaminoethane (en) and 1,2-diaminopropane (pn) and subsequent thermolysis at temperatures up to 800°C under N₂. As the coatings show a high carbon content of up to 30 at.% that influences the morphology and the physical properties, the precursor thermolysis and the solution properties were analysed in detail and correlated to the coating properties. A reduction of the intermediately formed MoS₃ by organic residues at approx. 300°C was made out as the main cause of the carbon contamination during the thermolysis of the precursor salts (enH₂)MoS₄ and (pnH₂)MoS₄, leading to an immobilisation of the organic carbon. In the corresponding solutions cations of the form [RNH₂...H...NH₂R]⁺ could be detected, that result in an incorporation of additional diamine with 3–4 molecules per MoS₄ ^2– ion in the wet films. This cross-linked structure on the one hand reduces the tendency of the precursor salts to crystallise and thus makes it easier to obtain amorphous precursor films, but on the other hand increases the content of organic residues before thermolysis.     

氧偏压对ZnO薄膜结构的影响

采用磁控溅射方法在ITO玻璃上成功制备了具有良好c轴取向的ZnO薄膜．并研究了氧偏压对ZnO薄膜结构的影响、研究发现：当氧偏压为60％时,薄膜的结晶性最好．当氧偏压继续升高时将导致薄膜的结晶性变差,晶粒尺寸变小,晶界增多,薄膜表面粗糙度增加,对光的散射和吸收作用增强,从而导致光的透过率降低．     

Early Stages of CeO2 Thin-film Nucleation and Growth with Photo Irradiation

In this paper, the early stages of nucleation and photoirradiation growth of CeO₂ thin films have been studied. Cyclic voltammetry, chronoamperometry and scanning electron microscopy were used to analyze the nucleation process of CeO₂ thin films deposited on the anode with photo irradiation. Experimental results show that the anodic deposition process with photo illumination is controlled by diffusion. Compared with the dark state, photo illumination mainly contributed to increase the current density of the three-dimensional nucleation process, because photo illumination is helpful to create active sites and accelerate the nucleation progress on the surface that a thin ceria film has been formed. Two-dimensional nucleation process mainly exists within the initial 2 s, and then only three-dimensional instantaneous nucleation process continues, which may be the main reason why the thickness of the CeO₂ film can continue to grow with photo illumination but not in the dark state. Increasing the deposition overpotential can promote two-dimensional nucleation and growth rate, whilst when the potential exceeds 0.65 V, three-dimensional current density decreases. The li-miting factor at that time may be the diffusion rate of cerium ions in the solution towards the electrode substrate.     

脉冲激光沉积LiMn2O4薄膜的研究

在氧气氛下采用355nm脉冲激光烧蚀制备了LiMn₂O₄薄膜,并用四极质谱和发光光谱技术考察了脉冲激光烧蚀过程及环境氧气对薄膜沉积过程的影响.质谱测定结果表明,355nm激光烧蚀LiMn₂O₄的产物主要有Li⁺、Mn⁺等离子和O₂、O、LiO₂、LiMnO、MnO及锂原子的多聚体等中性产物.不同氧气压下测定的发光光谱表明烧蚀原子在环境氧气氛中存在氧化过程.用循环伏安法和X射线衍射法对薄膜进行了表征.