2,2''''-联吡啶和亚铁氰化钾对乙醛酸化学镀铜的影响

以乙醛酸作还原剂、Na2EDTA为络合剂、2,2'-联吡啶和亚铁氰化钾作为添加剂组成化学镀铜体系,研究了两种添加剂对化学镀铜速率、镀层表面形貌、组成和结构的影响.结果表明:添加适量的2,2'-联吡啶和亚铁氰化钾,不仅提高了镀液的稳定性,而且使沉积速率增加1倍.这两种添加剂的同时使用,使镀层颜色变亮,形貌发生变化.所得镀层是多晶铜,没有发现夹杂Cu20.     

乙醛酸化学镀铜的电化学研究

以乙醛酸作还原剂,Na2EDTA.2H2O为络合剂,亚铁氰化钾和2,2'-联吡啶为添加剂组成化学镀铜液体系,应用线性扫描伏安法研究分析了络合剂、添加剂对该镀铜体系电化学性能的影响.结果表明,络合剂Na2EDTA对乙醛酸的氧化和铜的还原有阻碍作用.亚铁氰化钾和过量(20 mg/L)的2,2'-联吡啶对乙醛酸的氧化起较明显的抑制作用.     

2,2′-联吡啶在化学镀铜中的作用研究

研究了以次磷酸钠作还原剂的化学镀铜体系,添加剂2,2′-联吡啶对化学镀铜沉积速率、次磷酸钠阳极氧化和铜离子阴极还原、以及镀层形貌、结构和组分存在状态的影响.结果表明,2,2′-联吡啶对化学沉积起阻化作用.电化学线性伏安扫描实验显示,镀液中加入2,2′-联吡啶,次磷酸钠的氧化峰电势有所负移,但峰电流减小;铜离子的还原峰电势负移,但峰电流逐渐增大.扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱(EDS)、X射线衍射(XRD)及X射线光电子能谱(XPS)等实验分别表明,添加剂使镀层致密和光亮、镍含量降低;镀层为Cu-Ni合金,呈面心立方结构,无明显晶面择优取向现象;镀层中铜和镍以金属态存在,磷的质量含量小于0.05%.     

ABS塑料化学镀铜实验

通过研究塑料化学镀铜的时间与铜沉积速率的关系,使学生理解甲醛作为还原剂进行塑料化学镀铜的原理;同时,掌握研究问题的方法和思路,为以后进行课程设计或进行研究性工作奠定基础。     

络合剂和添加剂对化学镀铜影响的电化学研究

以CuSO4·5H2O作主盐,乙二胺四乙酸二钠盐(Na2EDTA)作主络合剂,三乙醇胺(TEA)作辅助络合剂,2,2′＿联吡啶(dipyridine)作添加剂,组成化学镀铜液体系,研究络合剂、添加剂对该镀液电化学极化性能的影响,并结合化学沉积速率考察TEA和2,2′＿联吡啶对镀液性能的影响.     

2，2＇-联吡啶在化学镀铜中的作用研究

研究了以次磷酸钠作还原剂的化学镀铜体系，添加剂2，2＇-联吡啶对化学镀铜沉积速率、次磷酸钠阳极氧化和铜离子阴极还原、以及镀层形貌、结构和组分存在状态的影响．结果表明，2，2＇-联吡啶对化学沉积起阻化作用．电化学线性伏安扫描实验显示，镀液中加入2，2＇-联吡啶，次磷酸钠的氧化峰电势有所负移，但峰电流减小；铜离子的还原峰电势负移，但峰电流逐渐增大．扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱（EDS）、X射线衍射（XRD）及X射线光电子能谱（XPS）等实验分别表明，添加剂使镀层致密和光亮、镍含量降低；镀层为Cu-Ni合金，呈面心立方结构，无明显晶面择优取向现象；镀层中铜和镍以金属态存在，磷的质量含量小于0．05％．     

ABS塑料化学镀铜的研究

以ABS塑料为基体,甲醛为还原剂,EDTA为络合剂,研究了化学镀铜的基本工艺。考察镀液的pH值、温度、时间对镀铜的影响,确定最佳工艺参数为pH=12.5、T=50℃、t=40min。通过扫描电镜和X射线衍射分析了最佳条件下镀铜层的形貌和成分,结果表明:该镀层外观红亮,表面平整,杂质含量很少。     

不同化学镀液中p－Si上激光诱导局部沉积铜

在化学镀铜浴液中,p-Si片在彼长为514.5nm的激光束的照射下,得到了选择性的铜镀层。采用AEs、SEM、RBS和电学技术对比了在3种含不同还原剂的镀液中得到的镀层的形貌、组成、界面扩散及电学性质;探讨了液相激光诱导化学沉积铜的机理。     

化学镀钴和超级化学镀填充的研究进展

随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司（ASE）已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战。化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法, 通过超级化学镀填充方式, 直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充。本文综述了化学镀钴的研究进展,并分析了还原剂种类对化学镀钴沉积速率和镀膜质量的影响。同时, 在长期从事超级化学填充研究的基础上, 作者提出了通过超级化学镀钴技术填充7 nm以及一下微盲孔的钴互连线工艺。     

维生素C和味精化学镀铜实验探究

经实验探究, 提出一种绿色环保的简易化学镀铜方法。首先利用葡萄糖银镜反应在洁净试管内壁附上一层活性物质, 在此基础上采用维生素C(即抗坏血酸)、味精(即谷氨酸一钠)和硫酸铜等物质按一定工艺操作, 在试管壁上镀上一层光亮的铜镜。本实验适合作为中学化学兴趣实验。     

聚合物材料表面化学镀铜的前处理研究进展

聚合物材料表面金属化在通讯、电子、航空航天领域具有重要应用. 化学镀铜是聚合物材料表面金属化的主要技术之一. 聚合物材料表面的前处理直接影响化学镀铜层的结合力及镀层平整度. 本综述详细介绍非导电聚合物材料的种类、组成以及性能, 并概述其表面化学镀铜前处理的研究进展.     

铜(Ⅱ)与反式丁烯二酸根和2,2′-联吡啶配合物的研究

合成了铜(Ⅱ)与反式丁烯二酸根和2,2＇-联吡啶形成的配合物,并进行了元素分析、红外光谱、电子反射光谱和变温磁化率等研究,确定其组成为[Cu_2(fum)(bipy)_4][fum]·12H_2O,其中bipy=2,2＇-联吡啶,fum=反式丁烯二酸根.测定了配合物的晶体结构,[Cu_2(fum)(bipy)_4][fum]·12H_2O晶体属三斜晶系,P1(＃2)群;晶胞参数:α=1.0697(2)nm,b=1.2820(2)nm,c=1.0470(3)nm,α=101.88(2)°,β=101.93(2)°,γ=79.41(1)°;Z=1,最终偏离因子R=0.033.分子为反式丁烯二酸根桥联两个Cu(Ⅱ)单元的双核结构,每个Cu(Ⅱ)具有畸变的三角双锥配位环境.变温磁化率研究表明,配合物中存在弱的铁磁性偶合作用.     

胆红素、铜离子与2,2′-联吡啶作用的光谱研究

基于2,2′-联吡啶芳杂环羟基化法,采用荧光光谱研究了胆红素与Cu2 的相互作用。探讨了胆红素与Cu2 反应生成羟自由基(.OH),2,2′-联吡啶发生芳杂环羟基化反应的过程和反应机理,产生的羟自由基导致无荧光的2,2′-联吡啶发生芳杂环羟基化,生成强荧光物质;加入自由基猝灭剂后,荧光强度的增强明显减弱。考察了试剂加入顺序、反应时间、酸度、Cu2 浓度、胆红素浓度,以及2,2′-联吡啶浓度等的影响。     

磁场下化学镀Co-Ni-B-Ce合金层微观形貌和耐磨性

磁场下化学镀Co-Ni-B-Ce合金层微观形貌和耐磨性;化学镀钴-镍-硼合金;铈;表面形貌;磁场     

新显色剂1,1′-[2,2′-(4,4′-双噻唑基)-双偶氮]-2,2′-双萘酚分光光度法连续测定铀和铜

新显色剂1,1′-[2,2′-(4,4′-双噻唑基)-双偶氮]-2,2′-双萘酚(简称4,4′-biTAN),用作为测定铀和铜的高选择性试剂。在580nm下,铀酰及铜与试剂形成的螯合物的吸光度具有加和性。我们设计了连续测定Cu~(2+)及UO_2~(2+)的测定方法,其灵敏度εCu~(2+)=1.2×10~4L·mol~(-1)·cm~(-1),εuo_2~(2-)=2.7×10~4L·mol~(-1)·cm~(-1),许多共存离子不干扰测定。此法被用来测定铀矿废水中铀和铜,结果令人满意。     

2,2′-联吡啶与丙二腈对苯乙烯活性自由基聚合的影响

研究了稳定自由基存在下苯乙烯的活性聚合。发现在2，2'-联吡啶的存在下，苯乙烯聚合的分子量控制效果提高，分子量可控，分子量分布较窄。在与丙二腈共同作用时，可在4h内达到85％的转化率，分子量分布在1．5以下，分子量控制误差在20％以下。设计分子量在10，000～90，000，实测分子量和理论分子量相近。     

5,5-二甲基乙内酰脲在化学镀铜中的作用

在以酒石酸钾钠和乙二胺四乙酸二钠为双配位剂、 甲醛为还原剂的化学镀铜液中, 研究了5,5-二甲基乙内酰脲(DMH)在化学镀铜中的作用. 化学镀铜实验结果表明, DMH提高了镀液的稳定性; 扫描电子显微镜(SEM)结果表明, DMH使镀层颗粒尺寸减小, 镀层光亮致密; 紫外-可见光谱结果表明, DMH在镀液中与Cu(II)不发生强配位作用; 线性伏安扫描结果表明, DMH在化学镀铜过程中能抑制Cu⁺的产生或促进Cu⁺快速还原, 降低甲醛的氧化速率; X射线衍射(XRD)结果表明, 在含和不含DMH化学镀铜液中, 得到的铜镀层均呈现面心立方混晶结构的特征, 且未出现Cu₂O夹杂衍射峰.     

化学镀铜过程混合电位本质的研究

现场测量了铜基和陶瓷基化学镀铜过程混合电位－时间曲线(Emix－t)，成功地检测到了化学镀诱发过程.考察了添加剂和络合剂的浓度以及pH值对Emix－t曲线的影响，结合阴、阳极极化曲线及双电层理论对各种影响因素进行了讨论.新生铜活化的铜基化学镀铜的诱发过程是一个缓慢激活过程,所对应的Emix－t曲线是一个稍微倾斜的台阶，这不同于钯活化的基体的诱发过程.通过对不同活化工艺的Emix－t曲线的比较，发现较高的活化温度能明显减少活化时间，而且还可加速诱发过程，从而提高化学沉积铜的速度.     

T-ZnO晶须化学镀铜复合粉体的制备及其电磁性能的研究

采用化学镀的方法制备了Cu包覆四脚状氧化锌晶须(T-ZnO晶须)的复合粉体.使用X射线衍射分析仪(XRD)进行了物象分析,扫描电镜(SEM)观察了粉体的形貌.运用能谱仪(EDS)进行了成份分析.结果表明,晶须为纯氧化锌,晶体结构为六方晶系纤锌矿结构,镀层为纯铜. SEM观察晶须外观形貌为四脚状结构.同时使用波导法对T-ZnO晶须和化学镀铜得到的Cu/T-ZnO晶须复合粉体进行了电磁参数的测量.微波电磁性能试验表明,化学镀后晶须的微波吸收性能明显增加,在频率为13 GHz处反射率可达－12 dB左右,而且最大吸收峰的频率随铜析出量的不同而发生改变,这样有利于实现吸收频带的展宽.     

铜(Ⅱ)-2,2′-联吡啶-铬天菁S三元络合物极谱吸附波及应用

本文提出了一个灵敏的具有选择性的溶出伏安法测超痕量铜的方法。在0.01mol／LNH3·H2O-NH4Cl溶液中（pH＝9．3），铜（Ⅱ）－2，2′-联吡啶（Dipy）-铬天菁S（CAS）能生成具吸附性的电活性三元络合物，在＋0.1V（vs．SCE）电位下富集，阴极溶出峰电位是一0．18V，峰电流与Cu（Ⅱ）的浓度在9．0×10－9～7.0×10－7mol／L范围内成正比，检测限是3．0×10－9mol／L，这一方法已用于测定环境水中痕量铜，回收率在98．5％，102．5％之间。