HL—1装置等离子体辐射损失实验研究

本文叙述了在器壁碳化、抽气孔栏、偏民极、送杂质气体、ＥＣＲＨ加热和弹丸注入等实验条件下用多道辐射热探测器阵列测得的ＨＬ－１等离子体辐射损失，并给出了辐射损失的时间分布图。     

HL—1装置等离子体位置反馈控制

本文简述了用位移做反馈控制信号,用非线性二位调节器组合前馈环节,控制厚钢壳(厚度d=5cm)外的垂直场和水平场线圈电流,在HL-1装置上实现了等离子体位置反馈控制的情况。当铁芯不饱和时,在水平和垂直两个方向上均可控制等离子体位置在±2mm之内。     

HL—1装置脉冲送气控制等离子体密度实验

本文描述HL-1装置用脉冲送气控制等离子体密度的实验。其结果表明等离子体建立后工作气体的快速注入(即边缘加料)能提高等离子体密度,改善等离子体性能。在较好地控制装置放电条件后(主要是等离子体电流,位移和杂质控制),多脉冲或长脉冲补充送气能在较宽范围内(0.8—7.0×10~(19)·m~(-3))有效地控制等离子体密度及波形,装置稳定运行区域大为扩展。最后讨论了器壁再循环对密度控制的影响和送气的加料效率。     

HL—1装置等离子体品质进展

本文概述HL-1装置等离子体品质参数空间在1985—1988年的进展及其与装置各项技术改造措施和等离子体基本参数(因素)之间的内在联系.     

LHCD期间HL—1M等离子体密度的锯齿现象

利用ＨＣＮ激光多道干涉仪,首次在ＨＬ－１Ｍ装置上在低混杂电流驱动期间观测到密度锯齿现象。分析表明,密度锯齿不是通常的ｑ＝１锯齿,而是低混杂波与杂质共同作用下的产生的ｑ〉１的锯齿。     

HL—1M等离子体加料密度特性

等离子体加料和密度控制是磁约束核聚变基本研究内容之一。HL－1M实验装置用8发PI系统与SMBI和GP组成联合加料系统,以它们相互配合进行了一系列放电实验,取得了丰硕的成果,本文就等离子体电子密度、改善约束特性与燃料粒子注入深度、放电装置器壁再循环的关系等结果作一介绍。     

HL—1装置等离子体密度控制的研究

本文分析了目前HL-1装置等离子体密度的控制方法。实验结果和分析表明,用控制粒子源、提供负源和改变通最的三种途径相结合来控制粒子数的变化,是一种有效的密度控制方法。     

HL—1M装置欧姆等离子体实验的初步分析

从１９９４年１０月２４日开始，对ＨＬ－１Ｍ装置进行欧姆加热等离子体的调试实验，获得了Ｉｐ＝３１０ｋＡ，ｑｎ＜２．５，ｎｃ＝３×１０＾１３ｃｍ＾－３，Ｔｃ（０）＞１ｋｅＶ，Ｔｉ（０）＞０．５ｋｅＶ和τＥ≈１０ｍｓ的平衡稳定等离子体。本文简述了ＨＬ－１Ｍ装置及其诊断等的实验结果进行了初步分析和讨论。     

HL—1M装置边缘等离子体测量

本文研究了ＨＬ－１Ｍ装置运行初期第一壁材料对等离子体删削层杂质流通量及分布的影响，并与ＨＬ－１装置的结果进行比较。利用热通量探针测量，给出了ＨＬ－１和ＨＬ－１Ｍ装置删削层的热通量分布。在不同运行状态下，利用马赫探针组，测量了ＨＬ－１Ｍ装置边缘等离子体流的变化特性。     

HL-1装置送气系统实验

本文描述了HL-1装置送气系统的结构、性能和实验结果。送气系统提供的稳态和脉冲送气方式成功地运用于各种物理实验和密度控制。观察了不同送气方式放电下密度变化特性,发现在较低的初始气压(0.6—1×10~(-1)Pa)下有控制地加入多脉冲补充送气,能有效地控制密度和改善等离子体性能,送气滞后时间小于8ms,故可用于反馈控制。     

HL—1装置密度极限破裂分析

HL-1装置上观测到大量的密度极限破裂放电。其主要特性是破裂前偏离几何中心的磁面位移很小,中心区总是观测到锯齿现象,破裂后,其电流中断时间大于20ms。本文详细分析了出现在电流上升段,坪段及下降段密度极限破裂的特征。其中一类是由于辐射功率超过加热功率所确定的村上极限,没有观测到先兆振荡;另一类是由于约束变坏所确定的赫吉尔极限,可观测到驰豫几毫秒的先兆振荡,这类放电破裂后多数能恢复。该装置运行的最大村上参数是0.35×10~(20)m~(-2).T~(-1)。     

HL-1装置杂质控制与补充送气初步实验

将部分真空室内壁蒸钛,使Z_(eff)降低到2左右,电流坪区拉长到近400ms。用多个窄脉冲补充送气,获得了密度较高的等离子体,最大达到3. 7×10~(13)cm。实验结果表明,当前改善HL-1装置放电品质的关键在于控制杂质。     

HT-7等离子体密度反馈控制系统的研究

介绍了HT－7等离子体密度反馈控制系统,分析了影响等离子体密度控制的因素,改进了密度反馈控制方式,使控制系统密度反馈更为完整、规范,实现了控制系统从单纯的反馈控制向多功能转化。给出了在HT－7装置上的实验结果,并提出了进一步改进的措施。     

HL—1M装置的密度极限研究

描述了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆加热状态下的密度极限,该密度极限是放电破裂前的最高密度值。通过比较氘、氢放电,硅化前后的放电,超声分子束注入、冰弹丸注入和脉冲送气放电,发现ＨＬ－１Ｍ装置的壁条件、加料方式以及氢同位素对ＨＬ－１Ｍ 装置的密度极限影响很大。产生密度极限破裂的原因主要是等离子体约束变差,总体辐射损失与欧姆加热功率平衡被破坏     

HL-1装置脉冲送气的数值研究

本文采用一维等离子体输运模型,研究了脉冲送气对HL-1装置等离子体的影响。脉冲送气使等离子体密度提高1—2倍,能量约束时间增长50％,离子温度也有所提高;脉冲送气过程中,等离子体边缘迅速冷却,电流通道收缩,中心区域电子温度平直化。     

HL—1装置放电坪区小破裂现象分析

HL-1装置上观测到大量放电破裂现象,其中一类出现在电流坪段的小破裂现象,在文献上讨论很少,其产生时的安全因子是2.5≤q_a≤4.5,密度为1×10~(13)cm~(-3)≤n<3×10~(13)cm~(-3)或n≥4×10~(13)cm~(-3), 在环压及软X射线上观测到几百毫秒的驰豫振荡。本文详细分析了这类现象的性质及特征,并讨论了其产生的原因。     

HL—1装置等离子体中X波段的微波反锯齿振荡

一、引言 对电子回旋频率和等离子体频率的辐射研究表明,在HL-1装置的低密度放电过程中,存在着相对论电子束。本实验中,用一个在HL-1装置赤道面上垂直于纵向磁场方向的天线,观测了频率小于等离子体频率ω_(pe)的X波段的微波辐射。发现在这个频段除了可以接收到强的稳态超热辐射外,在一定的密度范围内,还能观测到幅度很大的反锯齿振荡。它们和软X射线锯齿,等离子体密度有一定的关系。下面将给出这些实验结果。