保护电路中的一种新型器件—半导体抗电涌器件

半导体抗电涌器件是放电管的理想升级换代产品，在通讯迅速发展的今天，它的问世具有十分重要的意义。     

电涌防护应用受到重视

一、什么是电涌及电涌来源电涌被称为瞬态过电,是电路中出现的一种短暂的电流、电压波动,持续时间以百万分之一秒计。220V电路系统中瞬间5000V或10000V的电压波动,即为电涌或瞬态过电。简单而言,电涌来自两方面:外部电涌和内部电涌。1.来自外部的电涌最主要的来源是雷电。当云层中有电荷积蓄,云层下的地表面积蓄了极性相反的等量电荷时,便会发生雷电现象,云层和地面间的电荷电位差高达数百万伏,发     

RXF21型抗电涌线绕电阻器及其应用

线绕电阻器广泛用于电子节能灯和充电器等产品,本文介绍了一种新型RXF21型抗电涌线绕电阻器的应用方法.重点论述线绕电阻器耐负荷和负载短路保护功能以及抗电涌冲击性能.     

SIDACtor双向瞬态过压保护器及其应用

ＳＤＡＣｔｏｒ是一种带负阻或正阻特性的新型浪涌吸收器,击穿电压为２７－５４０Ｖ,导通电压仅３－４Ｖ,可通过的浪涌电流为５０－１００Ａ。与气体放电管１ＴＶＳ和ＭＯＶ等其它类型的瞬态电保护保护器比较,ＳＩＤＡＣｔｏｒ具有导通阻抗和开通电压低响应速度快等特点因此,它是一种全能的电压保护器件。     

保护ADSL调制解调器防止电涌击穿

熟悉保护标准、指导原则和器件,可以提高设计人员保护ADSL调制解调器的电话线及数据线免遭过压冲击的能力。因为同普通电话线相连,异步数字用户线路(ADSL)调制解调器十分容易遭受电击,如雷电、电源线交叉和静电放电(ESD)。因此,必须对ADSL调制解调器进行恰当的保护,以防止破坏性过压和过流的冲击。     

CSSPD型固体放电管及其应用

本文扼要介绍了新一代防雷电涌保护器件－ＣＳＳＰＤ型固体放电管的一系列独特优点、工作特性、电学参数和应用实例。     

邮电设计技术2007年3月推出《中国防雷》专集

信息产业部非常重视通信局（站）的防雷工作，又于2005年颁布了《通信网防御雷电安全保护检测管理办法》，又于2006年8月31日转发了国务院办公厅《关于进一步做好防雷减灾工作的通知》。2002年以来信息产业部还先后颁布了YD／T1235．1-2002《通信局（站）低压配电系统用电涌保护器技术要求》、YD／1235.2—2002《通信局（站）低压配电系统用电涌保护器测试方法》、     

高山广播电视发射台综合防雷保护措施

本文对雷电的形成、放电过程、活动强度、雷击区域的选择及雷电对广播电视系统的破坏程度进行了系统的阐述,针对雷电对高山广播电视发射台广播电视系统破坏程度提出了防范措施,并对防范措施及方法做了详尽的描述。     

半导体致冷器件及其应用

本文论述了半导体致冷器件的原理、结构和特性;讨论了半导体致冷装置的设计原则和计算方法;介绍了半导体致冷器件的应用领域;提出了开发半导体致冷器件和半导体致冷装置的问题与建议。     

多元胞半导体电涌吸收器件的研究

设计并试制了一种多元胞结构的半导体电涌吸收器件（ＳＳＡＤ），旨在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力。初步实验结果证明器件经历过电涌后，其失效率比单元胞有较显著的降低。     

语音芯片ISD及其应用

现代控制系统中 ,指示灯被广泛应用 ,但如果有声音提示 ,效果会更好。本文介绍一种简单实用的语音芯片ISD,用该芯片可以方便地组成板上语音系统 ,电路相当简单。ISD系列语音芯片是美国 ISD(Information Storage Device)公司的新型产品。ISD系列产品采用直接存储模拟信号的方式 ,从而打破了传统的先 A/ D再 D/ A的模式。这种新型存储形式的优点 :一是提高了存储密度 ,二是模拟数据得到永久保存。下面以 ISD140 0系列为例进行介绍 ,其它系列的芯片大同小异。1.ISD140 0的特点及结构简图ISD140 0的功能块图如图 1所示 ,其特点是 :1…     

铝硅铜合金和铝铜合金多层结构的电迁移行为

本文给出了由同一工艺线上加工的铝硅和铝硅铜金属互连线的电迁移加速寿命试验结果，后者寿命比前者要高一个数量级，我们对此作了简要的说明，并介绍了铝铜多层结构互连的的民迁移性能。     

碳化硅器件及其应用

作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性,在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。本文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技术及其应用。     

开关电源及其应用概述

开关电源按变流电路方式可分为脉冲宽度、调制变流器和谐振型变流器,它们广泛应用在产业和民用电子机器中,美国预计1992年将销售32亿美元,日本目前开关电源市场规模己达2000亿日元。     

δ掺杂技术及其应用

给出了δ掺杂的半导体定义，论述了这种掺杂的特点，方法，材料的能带结构及影响δ掺杂分布宽度的因素，同时介绍了在此技术基础上改进或发展地一些新颖半导体器件。