火焰原子吸收法测定大洋底锰结核中的铜,钴,镍,铁,锰

本文介绍了用火焰原子吸收法对大洋底锰结核中铜，镍，铁、锰中五种离子同时测定的方法。确定了仪器工作条件，并对共存元素及残留试剂的影响进行了研究。方法精密度和准确度令人满意。     

ICP-AES同时测定镍锰钴硅铁铌硼合金中钴、铌、铁和硼

用全谱直读ICP-AES分析技术,对试样溶解方法、元素分析谱线、共存元素干扰、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,综合确定了最佳实验条件。将镍锰钴硅铁铌硼合金试样用硝酸、氢氟酸溶解,ICP-AES直接测定钴、铌、铁、硼。测定范围为：Co0.5%—12%、Fe0.1%—3%、Nb0.1%—5%、B0.05%—1.0%。加标回收率为96.6%—103.7%,相对标准偏差为0.37%—4.56%。方法简便、快速、准确。     

ICP－AES法测定钨合金中镍、钴、铁、锰时酸度的影响

本文研究了用电感耦合等离子体发射光谱技术测定钨合金中镍、钴、铁、锰含量的方法及酸度对测量结果的影响。用氢氟酸及硝酸处理试样，并加入适量盐酸。实验研究了测量值随氯离子浓度增大而下降的变化曲线，找出了测量不同元素的最佳测定条件，测量结果同标准值比较，误差较小。     

辉光等离子体辅助化学气相沉积低温合成金刚石薄膜的研究

采用辉光放电等离子体增强化学气相沉积 (GP CVD)技术在低温条件下合成了高品质的亚微米金刚石薄膜 ,并通过对合成过程的实时发射光谱诊断确定了 [CH4 H2 ]系统参与金刚石合成反应的主要荷能粒子。对合成过程的研究表明 :采用这种技术能使电子增强热丝化学气相沉积 (EACVD)合成高品质金刚石薄膜的温度从 85 0℃降至 (340± 5 )℃ ;薄膜低温合成中的主要荷能粒子为CH3 、CH ,CH+ 、H 等 ,其中过饱和原子氢保证了高品质金刚石薄膜的合成 ;根据光诊断和探针测量的结果推断近表面辉光放电可在基片表面形成电偶极层 ,该偶极层是进行超常态反应的必要环境 ,并在低温合成中起重要作用     

ICP-AES测定环烷酸锰、环烷酸钴中锰和钴含量

ICP- AES法测定环烷酸锰、环烷酸钴中锰和钴含量 ,回收率为 95 .0 %— 1 0 3.0 % ,相对标准偏差<0 .4 % ,方法简便、快速、准确     

镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星配合物的荧光特性研究

荧光分光光度法研究了镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星配合物的荧光光谱特性.发现镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星产生的配合物在pH 6.0的KH2PO4-K2HPO4的缓冲溶液中均使诺氟沙星的荧光猝灭.确认镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星产生的配合物的组成分别为2 : 1、1:1、1:1.用锰与诺氟沙星配合物体系测定诺氟沙星滴眼液的含量,相对标准偏差为0.60%-1.1%,回收率为98.87%-102.7%,结果令人满意.     

英平诸痹灵药酒中铜、锰、镍、钴、锶、锂的含量及分析

利用火焰原子吸收法测定5种英平诸痹灵药酒中铜、锰、镍、钴、锶、锂的含量。结果表明，该类药酒中锰含量较丰富，锂含量较低，其含量由多到少的顺序为：锰＞锶＞镍＞铜＞钴＞锂。探讨了英平诸痹灵药酒中微量元素与治疗类风湿疾病的关系。     

双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

用脉冲激光沉积(PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=032)单相薄膜.这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上.测量发现，两种衬底上生长的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=032)薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM-I及其他物性.界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果.在衬底的压应力下，薄膜的电阻-温度曲线的峰值(TM-I)向高温移动且电阻率(ρ)下降；相反，对于衬底张应力下的薄膜，TM-I下降ρ上升.这些结果可以用双交换模型做很好的解释. 关键词： CMR 双层锰氧化物薄膜 PLD 应力     

水合钴氧化物超导体的合成和表征

最近发现的水合钴氧化物超导体引起了超导领域的强烈兴趣. 由于该超导体非常不稳定,因此有关该超导体的合成和表征是个重要的基本课题. 本文报道几种典型的合成方法,并对所得到的超导体进行表征. 我们将着重介绍利用歧化反应来制备含有很低的钠离子浓度和很高的水合氢离子浓度的钴氧化物超导体的新方法.     

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.     

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论. 关键词： 自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火     

脉冲激光气相沉积法制备钴纳米薄膜实验研究

采用脉冲激光沉积技术制备了钴纳米薄膜,分析和讨论了不同背景气压和脉冲频率对钴纳米薄膜表面形貌的影响及纳米微粒的形成机理。实验结果表明：在低背景气压下,等离子体羽辉自身粒子之间的碰撞占主导作用,容易形成液滴;在较高背景气压下,等离子体羽辉边缘粒子和背景气体粒子之间的碰撞占主导作用,容易形成小岛并凝聚成微颗粒;在4Hz的脉冲重复频率和5Pa背景气压下生长出单分散性良好的钴纳米颗粒。     

真空变温薄膜电阻测试仪器的设计与应用

设计了自制真空变温薄膜电阻测试仪器,可以实现粗真空条件下,从室温到300℃的四探针法薄膜电阻测试.该仪器适用于开展薄膜物性与电阻和温度相关的实验,例如,金属与半导体薄膜的温度-电阻特性实验,二氧化钒薄膜热滞效应实验等.     

温度变化对金属Ag膜反射镜偏振特性的影响研究

空间遥感应用中的光学有效载荷对系统偏振控制提出了越来越高的要求,作为常用的宽光谱反射镜,金属银(Ag)膜反射镜的偏振特性随着环境温度的改变而变化。本文设计并制备了低偏振灵敏度的Ag膜反射镜,研究了反射镜在45°和60°入射角下,从室温25℃升温到150℃时的偏振特性变化和反射光谱变化情况。随着温度的升高,Ag膜的折射率在350~1 200 nm波长范围内有所增加;Ag膜反射镜的反射光中s和p光的相位差Δ在350~600 nm波长范围内减小,在600~650 nm波长范围内基本稳定,在650~1 200 nm波长范围内增大。温度上升到125℃时,Ag膜和反射镜表面形貌发生改变,增加了表面散射和吸收,导致350~900 nm波段反射率降低,在波长350 nm附近的降低约25%。     

Oxidation temperature dependent properties of MgO thin film on alumina

The magnesium oxide thin films were prepared by thermal oxidation (in air) of vacuum evaporated magnesium thin film on alumina. It was found that oxidation temperature (623 K, 675 K and 723 K) and thickness (103 nm and 546 nm) dependent effects were prominently manifested in the surface morphology. Electrical and microwave properties (8-12 GHz) of the MgO thin films were also carried out. X-ray diffraction showed orientation along (2 0 0) and (2 2 0) directions. Flowerlike morphology was observed from SEM and flake like morphology for films of higher thickness oxidized at higher temperatures. The magnesium oxide thin film showed NTC behavior. Microwave transmittance was found to increase with increase in oxidation temperature but was lower than alumina. Frequency and oxidation temperature dependent microwave permittivity was obtained. The microwave dielectric constant varied in the range 8.3-15.3.     

铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法

本文针对铟锌氧化物薄膜晶体管(IZO TFT)的低频噪声特性与变频电容-电压特性展开试验研究,基于上述特性对有源层内局域态密度及其在禁带中的分布进行参数提取.首先,基于IZO TFT的亚阈区I-V特性提取器件表面势随栅源电压的变化关系.基于载流子数随机涨落模型,在考虑有源层内缺陷态俘获/释放载流子效应基础上,通过γ因子提取深能态陷阱的特征温度;基于沟道电流噪声功率谱密度及平带电压噪声功率谱密度的测量,提取IZO TFT有源层内局域态密度及其分布.试验结果表明,带尾态缺陷在禁带内随能量呈e指数变化趋势,其导带底密度N1TA约为3.42×10~(20)cm~(-3)·eV-,特征温度TTA约为135 K.随后,将C-V特性与线性区I-V特性相结合,对栅端寄生电阻、漏端寄生电阻、源端寄生电阻进行提取与分离.在考虑有源层内局域态所俘获电荷与自由载流子的情况下,基于变频C-V特性对IZO TFT有源层内局域态分布进行参数提取.试验结果表明,深能态与带尾态在禁带内随能量均呈e指数变化趋势,深能态在导带底密度NDA约为5.4×10~(15)cm~(-3)·eV~(-1),特征温度TDA约为711 K,而带尾态在导带底密度NTA约为1.99×10~(20)cm~(-3)·eV~(-1),特征温度TTA约为183 K.最后,对以上两种局域态提取方法进行对比与分析.     

铁电薄膜铁电性能与温度关系的一种实时测量实验方法

介绍了一种实时测量铁电薄膜的铁电性能与温度关系的实验方法,为进一步研究铁电薄膜的特性提供了实验基础。     

High‐mobility flexible thin‐film transistors with a low‐temperature zirconium‐doped indium oxide channel layer

Thin film transistors (TFTs) with zirconium‐doped indium oxide (ZrInO) channel layer were successfully fabricated on a flexible PEN substrate with process temperature of only 150 °C. The flexible ZrInO TFT exhibited excellent electrical performance with a saturation mobility of as high as 22.6 cm² V^–1 s^–1, a sub‐threshold swing of 0.39 V/decade and an on/off current ratio of 2.5 × 10⁷. The threshold voltage shifts were 1.89 V and ?1.56 V for the unpassivated flexible ZrInO TFT under positive and negative gate bias stress, respectively. In addition, the flexible ZrInO TFT was able to maintain the relatively stable performance at bending curvatures larger than 20 mm, but the off current increased apparently after bent at 10 mm. Detailed studies showed that Zr had an effect of suppress the free carrier generation without seriously distorting the In₂O₃ lattice. (© 2016 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)     

镍锰铁氧体纳米线阵列的制备与表征

采用真空负压灌注技术, 结合溶胶-凝胶法在多孔氧化铝模板的纳米孔洞中成功制备了平均直径为80 nm左右的Ni_{1- x}Mn_xFe₂O₄(x=0, 0.25, 0.5, 0.75) 纳米线阵列. XRD结果显示所制备的纳米线阵列为立方尖晶石结构, SEM和TEM的结果表明纳米线是由大量不同晶体取向的亚微晶粒联接组成. 磁测量结果显示, 随着Mn掺杂浓度的增加, 饱和磁化强度先增加而后减小, 这种变化与离子在尖晶石结构中的替代、占位变化有关. 相比于块体材料的NiFe₂O₄, 由于非线性磁结构比例的增加, 导致了线体NiFe₂O₄的饱和磁化强度降低.