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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
王华滔  秦昭栋  倪玉山  张文 《物理学报》2009,58(2):1057-1063
采用准连续介质多尺度方法模拟面心立方金属铝单晶薄膜的纳米压痕变形过程.对薄膜分别采用三种不同的晶体取向(分别为x[1 1 1],y[1 1 0],z[1 1 2]; x[1 1 2],y[1 1 1],z[1 1 0];x[1 1 0],y[0 0 1],x[1 1 0]),得到载荷-位移响应曲线.加载过程中,对晶体内部变形比较剧烈的部分画出原子图,并从微观角度分析产生剧烈变形的原 关键词: 纳米压痕 准连续介质方法 晶体取向 位错成核  相似文献   

2.
陆怀宝  黎军顽  倪玉山  梅继法  王洪生 《物理学报》2011,60(10):106101-106101
本文采用多尺度准连续介质法(quasi-continuum method, QC)模拟体心立方(body-centered-cubic, bcc)金属钽(Ta)Ⅱ型裂纹尖端位错的形核与发射过程,获得位错发射位置与应力强度因子关系曲线,分析裂纹尖端缺陷萌生过程,研究全位错分解以及扩展位错形成机理. 位错活动在不同阶段表现出不一致的特征,新位错的发射对于位错运动具有促进作用. 研究表明,裂纹扩展初始阶段首先萌生点缺陷,点缺陷随着加载强度增加会萌生新的点缺陷,点缺陷最终运动到边界,导致Ⅱ型断裂破坏. 在全位错发射之前有不全位错的形核与发射表明全位错的分解分步进行,从势能曲线上来看,也就是两个极小值点的形成机理不同. 关键词: 多尺度 准连续介质法 Ⅱ型裂纹 扩展位错  相似文献   

3.
王静  朱震刚  刘国东 《物理学报》1996,45(11):1782-1787
研究了[110]和[100]取向高纯铝单晶在6×10-4拉压疲劳应变振幅条件下的应力σm和内耗Q-1的变化,对不同阶段的位错组态作了详细的透射电子显微镜观察,并利用滑移几何的观点予以解释 关键词:  相似文献   

4.
飞秒激光辐照金属材料的过程是一个复杂的物理过程,涉及等离子体、材料熔化和喷溅、热波的产生和发展等方面。用传统的连续介质力学的方法对这一过程进行数值模拟还有困难,包括高应变率下材料参数选取,状态方程的描述等,另外固液界面的产生及熔化材料的喷溅也超出了连续介质假设的范畴。与连续介质力学的方法不同,分子动力学方法是基于统计力学的计算方法,通过对材料中单个原子的受力进行分析,从而模拟整个模型状态的计算方法,避免了连续介质假设的局限。  相似文献   

5.
用分子动力学方法模拟了拉伸状态下纳米单晶铜中孔洞的力学行为.通过与无孔纳米单晶铜块体弹性性能的比较,可知小孔使纳米单晶铜的弹性模量显著下降.弹性阶段,有孔单晶铜中无位错产生;超过其弹性极限后,位错线从四周向有孔单晶铜内部发射,位错滑移为其主要变形机制.  相似文献   

6.
刘显坤  刘颖  钱达志  郑洲 《物理学报》2010,59(9):6450-6456
采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),计算了铝及铝晶胞间隙位置掺入He原子后体系的几何结构、电子结构、总体能量和电荷布居值.计算结果表明:随着氦在金属铝中逐渐形成,铝晶胞体系会发生晶格畸变,但总的趋势是He在铝体系的八面体位置的晶格畸变小于其在四面体位置的晶格畸变.He在铝晶胞八面体和四面体间隙的杂质形成能分别为1.3367 eV和2.4411 eV.由此可知,He在铝晶胞中最稳定位置是八面体间隙位置.同时,文中还从原子尺度层面分析了He原子在铝晶胞中的占位及其键合性质,讨论 关键词: 铝材料 第一性原理 形成能  相似文献   

7.
梁迎春  盆洪民  白清顺  卢礼华 《物理学报》2011,60(10):100205-100205
桥域方法是一种典型的跨尺度仿真研究方法.基于桥域理论,本文分析了原子和连续介质耦合区域的处理问题,即在耦合区采用不同的权重计算系统的能量,通过Lagrange乘子法对原子和连续介质位移进行约束.采用桥域方法,建立了单晶Cu米纳切削的跨尺度仿真模型,获得了单晶Cu纳米切削的材料变形机理.同时,研究了不同切削速度对纳米切削过程和原子受力分布的影响,仿真结果表明:随着切削速度的提高,切削区原子所受的力值增大,切屑变形系数减小,已加工表面变质层厚度增加.本文基于桥域理论,实现了Cu单晶纳米切削跨尺度的建模和仿真, 关键词: 桥域法 纳米切削 单晶Cu 切削速度  相似文献   

8.
采用聚苯乙烯(PS)小球为硬模板制备大孔硅铝材料。通过扫描电镜(SEM)、N_2吸附-脱附和傅里叶红外光谱(FTIR)等测试手段对其进行表征。结果表明,样品具有大孔结构,孔径约为340—400nm。  相似文献   

9.
非球形粒子的散射特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文首先利用T矩阵方法计算了复折射率吸收指数和折射指数变化时的椭球粒子和Chebyshev粒子在不同等效尺度参数下的光散射特性,并与等效的球形粒子的光散射结果进行了比较;然后分析以上两种类型非球形粒子散射特性之间的关系.结果表明:椭球粒子和Chebyshev粒子的散射特性与等效球形粒子的散射特性存在着差别,粒子的形状越偏离球形,这种差别就越大;复折射率折射指数的变化对非球形散射效率因子的影响要比吸收指数的影响更大一些;当等效尺度参数相同时,椭球粒子与等效球形粒子的散射效率因子的差别要远远大于Chebyshev粒子与等效球形粒子散射效率因子之间的差别.  相似文献   

10.
 采用位错理论和分子动力学模拟研究了金属原子性质对其宏观应变率敏感性的影响。依据位错运动的Orowan关系,认为金属中位错速度对应力的依赖关系是此研究的关键,并分析提出研究金属原子性质与应变率敏感性关系的分析方法。构建了一个中等规模的二维分子动力学模型,应用此模型对单个位错在FCC金属中的运动进行模拟。综合位错理论分析和分子动力学模拟结果得出结论:影响金属应变率敏感性的原子性质是其原子量而不是其原子势。依据此结论分析得到的FCC金属应变率敏感性排序与试验结果相符。  相似文献   

11.
吴文平  郭雅芳  汪越胜  徐爽 《物理学报》2011,60(5):56802-056802
运用分子动力学方法,研究了镍基单晶高温合金γ/γ' 相界面错配位错网在剪切载荷作用下的演化特征.结果表明:(100),(110) 和 (111) 三种相界面形成的位错网在载荷作用下有不同形式和不同程度的损伤,其变形和损伤随温度的增加而增加.在相同的剪切载荷和温度作用下,(100) 相界面形成的正方形位错网最稳定. 关键词: 镍基单晶高温合金 界面位错网 分子动力学  相似文献   

12.
郭巍巍  任焕  齐成军  王小蒙  李小武 《物理学报》2012,61(15):156201-156201
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了[4 18 41]单滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下的疲劳饱和位错结构及其在不同温度等时退火条件下的热稳定性. 结果表明, 在退火温度为300 °C时, 疲劳位错结构(如脉络结构、驻留滑移带PSB楼梯结构、PSB胞结构和迷宫结构等)均发生了明显回复. 当退火温度高于500 °C, 上述这些疲劳位错结构基本消失, 均发生了明显的再结晶现象, 并大都伴随有退火孪晶的形成. 分析认为, 再结晶的发生和退火孪晶的出现不仅与退火温度和外加塑性应变幅有关, 还与累积循环塑性应变量有着密切的关系.  相似文献   

13.
蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
王剑屏  郝跃  彭军  朱作云  张永华 《物理学报》2002,51(8):1793-1797
报道了在蓝宝石(αAl2O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究.通过引入ⅢⅤ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在3549°和7502°发现了6HSiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的.扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵 关键词: 碳化硅 外延生长 化学汽相淀积  相似文献   

14.
单晶合金激光熔凝过程中晶向对单晶完整性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
唐林峰  王楠  管强  姚文静 《物理学报》2010,59(11):7941-7948
运用几何模型对单晶合金激光熔凝过程中激光扫描方向与[100]方向夹角ξ变化时熔池内的枝晶生长方向和速度进行了计算,研究了ξ增大时不同晶向区域的分布变化规律.发现随着ξ的增大, 0]区域增大,[010]区域减小,且熔池两边不同部分速度差别增强.根据速度变化规律,构造出了熔池不同部位的过冷区域变化图,说明了可能出现新晶粒的趋势变化,并与实验结果进行了比较,揭示了在晶向不同的交界区域产生新晶粒的内在机理. 关键词: 单晶合金 激光熔凝 晶向 组成过冷  相似文献   

15.
The evolution of misfit dislocation network at γ/γ phase interface and tensile mechanical properties of Ni-based single crystal superalloys at various temperatures and strain rates are studied by using molecular dynamics (MD) simulations. From the simulations, it is found that with the increase of loading, the dislocation network effectively inhibits dislocations emitted in the γ matrix cutting into the γ phase and absorbs the matrix dislocations to strengthen itself which increases the stability of structure. Under the influence of the temperature, the initial mosaic structure of dislocation network gradually becomes irregular, and the initial misfit stress and the elastic modulus slowly decline as temperature increasing. On the other hand, with the increase of the strain rate, it almost has no effect on the elastic modulus and the way of evolution of dislocation network, but contributes to the increases of the yield stress and tensile strength. Moreover, tension–compression asymmetry of Ni-based single crystal superalloys is also presented based on MD simulations.  相似文献   

16.
采用φ振荡和φ固定两种数据采集模式的中子衍射实验结果表明较高的时效温度对消除枝晶最有效,微应变(晶粒区域间的变形不协调性)主要存在于γ'相.利用中子衍射结合扫描电子显微镜对合金的微观组织形貌进行了细致观察,给出了时效温度和时间对γ'相的影响状况,超晶格测量发现了γ'相晶粒之间出现的独特取向差.由不同晶面的中子衍射结果判断时效后合金出现了轻微的四方对称性(a < c)畸变,对这种畸变起主要作用的是基体相.实验结果同时证实了不同方向的应变差异,因而为筏化驱动模型的定量 关键词: 单晶高温合金 中子衍射 超晶格 时效处理  相似文献   

17.
陈明文  王自东  孙仁济 《物理学报》2007,56(3):1819-1824
利用渐近分析方法研究了远场来流引起的对流对过冷熔体中球状晶体的生长形态的影响.结果表明,由远场来流导致的对流使得正在生长的球状晶体的界面在向着来流的前部朝来流方向相反的方向生长, 并且提高了朝来流的相反方向的生长速度, 在背风方向衰减;正在衰减的球状晶体的界面在向着来流的前部加速衰减, 在背风方向减缓衰减. 关键词: 球状晶体 远场来流 对流 界画形态  相似文献   

18.
Al single crystals oriented for single slip were cyclically deformed under constant plastic strain amplitudes between 1?×?10?3 and 5?×?10?2 at 77?K. Al single crystals showed hardening to saturation at all applied shear stress amplitudes. The resultant cyclic stress–strain curve (CSSC) showed a stress plateau in a range of plastic strain amplitude from 2?×?10?3 to 2?×?10?2. Surface observation revealed that multiple slip systems were active even at the strain amplitude in the plateau region. At plastic strain amplitudes corresponding to the plateau of the CSSC, persistent slip bands (PSBs) were formed parallel to the primary slip plane. In the PSBs, well-developed dislocation walls parallel to the {100} planes were observed. The microstructure in the PSBs was explained by the fact of multiple activation of the primary and critical slip systems. The above results indicate that the high stacking fault energy of Al is an important factor affecting the fatigue behaviour even at 77?K.  相似文献   

19.
陈明文  倪锋  王艳林  王自东  谢建新 《物理学报》2011,60(6):68103-068103
考虑了在非平衡凝固条件下球晶生长过程中界面动力学系数随界面温度的变化,利用渐近分析方法求出了在过冷熔体中球晶生长温度场和界面的近似解析解,研究了非线性界面动力学过冷对于过冷熔体中球晶界面形态和生长速度的影响.研究表明,界面动力学系数越大,球晶的生长速度越快; 反之,表明界面动力学系数越小,球晶的生长速度越慢.与忽略界面动力学的情形比较,在球晶生长过程中依赖于界面温度变化的界面动力学显著地减缓了晶体生长的速度. 关键词: 球晶 界面形态 渐近分析  相似文献   

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